笼状有机硅季鏻盐阻燃抗静电剂的合成研究

以甲基三氯硅烷和四羟甲基硫酸鏻为原料合成了笼状有机硅季鏻盐阻燃抗静电剂1-甲基-4-羟甲基-1-硅杂-4-磷杂-2,6,7-三氧杂双环[2,2,2]-辛烷季鏻硫酸盐。考察了反应温度、反应时间、溶剂对产率的影响,最佳工艺条件为:甲基三氯硅烷与四羟甲基硫酸鏻的摩尔比为2∶1,以二乙二醇二甲醚作溶剂,反应温度为120℃,反应时间为8 h。采用FTIR、1HNMR对产物结构进行了表征,测试了产品的阻燃和抗静电性能。结果表明,该化合物在失重20%时的分解温度为478.5℃,有优良的阻燃抗静电性能。     

从反应活化能垒角度探讨多晶硅还原机理

三氯氢硅还原反应是改良西门子法生产多晶硅的主要过程,本文对三氯氢硅还原反应进行分子模拟,采用密度泛函理论方法(DFT)研究了三氯氢硅还原成多晶硅的能量变化,对其分子结构进行优化,通过LST/QST方法计算多晶硅还原过程中可能出现的过渡态及能量的变化,得到过渡态TSa、TSb、TSc。结果表明,三氯氢硅还原反应通道Path a所得过渡态的活化能垒较低,过程进行较顺利。     

三氯氢硅生产现存问题及发展前景

分析国内三氯氢硅生产中须解决的问题——副产物四氯化硅出路,尾气回收治理,精品三氯氢硅中含硼、磷,探讨了三氯氢硅的市场前景。     

四氯化硅制备三氯氢硅新工艺研究

四氯化硅是光伏产业的副产物,对环境产生严重污染。以四氯化硅合理化利用作为研究对象,分析了四氯化硅制备三氯氢硅主要工艺方法的优缺点,找出最佳的工艺方法。对直流放电等离子法还原四氯化硅工艺进行实验研究,找出最佳的工艺条件获得最大的收率。     

歧化法制备单硅烷的工艺进展

单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,因其高纯度和能够实现精细控制而成为至今为止世界唯一大规模生产粒状高纯硅的中间产物。SiH4的工业合成方法包括硅化镁法、氯硅烷或烷氧基硅烷歧化法、氯硅烷还原法等,重点介绍了用歧化法制备SiH4的工艺,原料可用芳基硅烷、烷氧基硅烷以及氯硅烷等。     

三氯氢硅精馏工艺的模拟研究

为了降低多晶硅的生产成本,模拟和优化了三氯氢硅合成料精馏过程中脱轻-脱重和脱重-脱轻2种工艺路线,比较2种了工艺路线的综合热负荷。结果表明,在相同进料组成、操作压力、分离要求前提下,脱重-脱轻工艺的综合热负荷显著大于脱轻-脱重工艺的综合热负荷。对进料1、进料2和进料3 3种情形,分别高出17.6%,14.7%和11.3%,平均高出14.5%。原因是与脱轻-脱重工艺中脱重塔相比,脱重-脱轻工艺中脱重塔需要处理的物料流量大,且其塔顶温度更低一些,导致后一个塔的热负荷明显高于前一个塔的热负荷。     

从还原副产物中提纯二氯二氢硅和三氯氢硅的新工艺

针对二氯二氢硅对多晶硅生长过程中的促进作用,介绍了一种从还原副产物中提纯二氯二氢硅和三氯氢硅混合物的新工艺.对比了新工艺和常规工艺的技术指标,通过生产试验和分析,验证了新工艺具有简化工艺、降低投资和节能降耗的先进性.     

提高γ-氯丙基三氯硅烷含量的技术探讨

针对以铂化合物为主要催化剂、用置氯硅烷和氯丙烯生产,γ-氯丙基三氯硅烷出现的成品含量低、杂质含量高、原料（以三氯氢硅计）转化率低、产品效益差等问题,结合反应机理,提出了加入助催化剂、活化剂等助剂、在半成品中通一定量亚硫酰氯使副产物转化为目标成品、优化蒸馏工艺等方法,剥‘提高成品含量进行了较为深入的探讨。提出的解决方案已实现工业化。     

新型“三防漆”的研制

以生产乙烯基三氯硅烷的含硅副产物为原料合成出具有优良性能的新型“三防漆”，既消除了含硅副产物对环境的污染，又取得了明显的经济效益和社会效益。     

我国气相法白炭黑行业发展现状和市场分析

2005年我国气相法白炭黑的生产能力为2600t/a,主要生产厂家是广州吉必时科技实业有限公司(1500t/a)、沈阳化工股份有限公司(1000t/a)和上海氯碱化工股份有限公司(100t/a)。白炭黑的主要消费领域是硅橡胶、聚酯制品、涂料和油墨。并就国内气相法白炭黑行业发展存在问题进行了分析,提出了相关建议。