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测试半导体GaN功率开关器件灵敏度对掌握器件性能具有重要意义,提出一种新的半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术。通过分析半导体GaN功率开关器件的导通电阻与击穿电压关系、空穴电流与栅极电流关系掌握功率开关器件击穿机理,在此基础上,测试半导体GaN功率开关器件灵敏度;根据灵敏度测试原理与微频通道衰减值周期检查原理,测量功率开关器件微频信号功率和微频通道衰减值,汇总微频通道衰减值和最后一次开关灵敏时的衰减值,得到半导体GaN功率开关器件灵敏度。实验结果表明:所提测试技术测量半导体GaN功率开关器件灵敏度过程中,平均测试误差为0.03 dB,仅平均花费9.42ms,是一种高效、可靠的半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术。 相似文献
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为了实现可见光入射时亚波长尺度内的聚焦,设计了以氮化镓(GaN)纳米柱为基本晶胞的超透镜,该透镜能够改进传统成像系统的笨重低效,可应用于微型成像系统。超透镜表面由宽度渐变高度不变的GaN纳米柱阵列构成,分析GaN在亚波长尺度内对相位的调控能力和机理,并基于时域有限差分法模拟仿真了在蓝光波长为460nm入射时透射场的高效率聚焦,对比超透镜尺寸为3.75μm×3.75μm、6.75μm×6.75μm、8.75μm×8.75μm、10.75μm×10.75μm时超透镜的聚焦能力,得出聚焦后透射场焦点处的半峰全宽分别为1,0.8,0.5,0.3μm,给出了强度分布、聚焦光斑等仿真模拟结果,发现实际焦距与设计值存在偏差,且随超透镜尺寸的变化而变化。文中所设计的超透镜能够在微米级别实现聚焦,有效降低了传统成像系统的复杂度。 相似文献
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Jun Huang Ke Xu Ying Min Fan Jian Feng Wang Ji Cai Zhang Guo Qiang Ren 《Nanoscale research letters》2014,9(1):649
This work presents an experimental study on the dislocation luminescence in GaN by nanoindentation, cathodoluminescence, and Raman. The dislocation luminescence peaking at 3.12 eV exhibits a series of special properties in the cathodoluminescence measurements, and it completely disappears after annealing at 500°C. Raman spectroscopy shows evidence for existence of vacancies in the indented region. A comprehensive investigation encompassing cathodoluminescence, Raman, and annealing experiments allow the assignment of dislocation luminescence to conduction-band-acceptor transition involving Ga vacancies. The nanoscale plasticity of GaN can be better understood by considering the dislocation luminescence mechanism. 相似文献
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A low temperature growth method based on an electron cyclotron resonance plasma-enhanced metal organic chemical vapor deposition system (ECR-PEMOCVD) was proposed for the growth of GaN (Gallium nitride) films on ordinary amorphous soda-lime glass substrates. To alleviate the large lattice mismatch between GaN film and glass substrate and improve the heat dissipation performance for potential optoelctrical device application, five intermediate layers (Cu, Ni, Ti, Ag, and ITO) were deposited on the glass substrate before the growth of GaN. A comparative study was performed through structural analysis of the as-grown GaN films with various intermediate layers investigated by means of in-situ reflection high energy electron diffraction (RHEED), X-ray diffraction (XRD), and atomic force microscopy (AFM). The results indicate that the Ti intermediate layer has a great advantage over other intermediate layers in view of crystalline quality and smooth surface, therefore is more suitable and preferred for the potential application in optoelectronic devices. 相似文献
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Xiaolong Cai Chenglin Du Zixuan Sun Ran Ye Haijun Liu Yu Zhang Xiangyang Duan Hai Lu 《半导体学报》2021,42(5):37-48
Gallium nitride (GaN)-based high-electron mobility transistors (HEMTs) are widely used in high power and high frequency application fields,due to the outstanding physical and chemical properties of the GaN material.However,GaN HEMTs suffer from degradations and even failures during practical applications,making physical analyses of post-failure devices extremely significant for reliability improvements and further device optimizations.In this paper,common physical characterization techniques for post failure analyses are introduced,several failure mechanisms and corresponding failure phenomena are reviewed and summarized,and finally device optimization methods are discussed. 相似文献