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11.
评述了实现氧化锌压敏电阻器低压化的一些有效途径。介绍一种采用传统电子陶瓷制造工艺,通过添加少量晶粒促进剂和锌锑尖晶石来制备低压氧化锌压敏电阻器的方法及原理,达到的主要结果是压敏电压4V,非线性系数大于15,通流量200A。  相似文献   
12.
为了实现低成本和温度稳定的声表面波带通滤波器,研究了沉积在硼硅酸玻璃上5—10μm厚的氧化锌(ZnO)膜层.讨论了生长ZnO膜采用的溅射方法,同时给出不同膜厚的声学和热特性的测量结果,高的耦合系数(10%)和十分好的温度稳定性(一阶温度系数为零,二阶温度系数为1×10~(-8)/℃~2).此外,在ZnO/玻璃结构上制成了工作频率约为110MHz,1dB相对带宽为8%的带通滤波器.这些结果证实,用这种新的压电基片制成的滤波器的性能比用ST切石英基片为好.  相似文献   
13.
组合式氧化锌浓涌吸收器   总被引:1,自引:1,他引:0  
  相似文献   
14.
氧化锌浪涌吸收器防电磁脉冲特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
测量了氧化锌浪涌吸收器电路在电磁脉冲(EMP)条件下的保护特性。其中R型电路的脉冲响应时间小于10ns,在100MHz频率下的插入损耗小于1.5dB并且有高的保护能力.我们认为它作为EMP的固态抑制器是十分有前途的.  相似文献   
15.
本文叙述有关锌靶和100%氧气的新反应磁控溅射工艺。由于在钟罩周围采用了一种螺线管线圈提高了平行于靶表面的漏磁力线分量。在十分高沉积速率(10微米/小时)下可在玻璃基片上制得高取向ZnO薄膜(C-轴取向)。ZnO薄膜的特性由X-射线衍射,反射电子衍射以及扫描电镜照片(SEM)确定。在0.2-0.4毛高氧压中得到了优质取向ZnO薄膜。这种溅射系统比目前其他溅射系统更为方便。  相似文献   
16.
本文主要叙述最近一个时期发展的新型压电薄膜及其在SAW方面的应用。除了CdS,ZnO,A1N之外,最近又出现了两种有希望的压电薄膜材料,取向性Ta_2O_s膜和剪切ZnO膜。前者具有高的化学稳定性和时间稳定性,而声学特性相当于ZnO压电膜。后者具有高的耦合系数,低的声速,好的温度稳定性。 另外,还概述了近期报导的其他类型薄膜及应用。其中包括:电发光薄膜、电色薄膜、透明导电膜、传感器用薄膜、铁电薄膜等。  相似文献   
17.
低压压敏电阻   总被引:4,自引:2,他引:2  
本文概括了目前低压压敏电阻发展动态,并介绍了本所制备的击穿电压在5—20V的低压氧化锌压敏电阻的电性能。  相似文献   
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