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11.
吴建辉 《电子器件》1998,21(3):163-167
本文讨论了在电子词典生产中的SMT工艺,着重阐述了SMT工艺流程,列举了一些不良焊接及其产生不良焊接的原因以供参考。  相似文献   
12.
本文根据三盛公大桥的工程实例,总结了在黄河冲刷较严重的震动液化砂质地层中钻孔施工及下沉钢套箱的一些具体方法,供以后的类似工程参考。  相似文献   
13.
近十年来,随着物联网和人工智能的飞速发展,电力部门通过引入“智能电网”来补偿当今电力供应的需求,有效利用电力资源。此背景下,利用物联网对智能电网进行监测、控制,是智能输配电的发展方向。本文所设计的检测系统基于物联网的应用通信思想和输配电监控框架,采用GPRS技术和ZigBee模块相结合的方式,实现传感器数据的传输。实验表明,该智能电网输配电检测系统通过物联网技术,满足通信数据、实时和远程监控系统的基本要求,可以在PC机甚至智能手机上直观显示输配电参数,将促进电力输送服务的健壮性、响应性和交互性。  相似文献   
14.
一种动态开关电容运算放大器共模负反馈电路   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文主要介绍了一种应用于Cascode结构运放中的开关电容共模负反馈电路,它具有稳定性好、对运放频率特性影响小、不消耗额外功率等优点。对电路运用Hspice进行了模拟,并给出了模拟结果。  相似文献   
15.
殷勤  戚韬  吴光林  吴建辉   《电子器件》2006,29(4):1126-1130
设计了一个多通道逐次逼近型结构的10 bit 40 Ms/s模数转换器(ADC).由于采用时间交叉存取技术,提高了整个芯片的转换速度,同时通过运用比较器自校准和电容自校准结构,提高了整个电路的转换精度.本芯片采用Chart 0.25μm2.5 V工艺,版图面积为1.4 mm× 1.3 mm.40 MHz工作时,平均功耗为33.68 mW.输入频率19.9 MHz时,信号噪声失真比(SINAD)为59.653 3 dB,无杂散动态范围(SFDR)为74.864 6 dB.  相似文献   
16.
在增益增强型运算放大器优化中采用了自动设计方法,此方法在电路性能方程式和自适应遗传优化算法基础上对电路性能指标进行优化。该放大器在0.18μm CM O S工艺条件下中开环增益为92.1 dB,单位增益带宽积为1.78 GH z,相位裕度为55.1°和0.2%建立时间为1.27 ns,同时说明此优化设计方法的有效性。  相似文献   
17.
用0.25μm标准CMOS工艺实现了单次变频数字有线电视调谐器中的频率合成器.它集成了频率合成器中除LC调谐网络和有源滤波器外的其他模块.采用I2C控制三个波段的VCO相互切换,片内自动幅度控制电路和用于提升调谐电压的片外三阶有源滤波器,实现VCO的宽范围稳定输出.改进逻辑结构的双模16/17预分频器提高了电路工作速度.基于环路的行为级模型,对环路参数设计及环路性能评估进行了深入的讨论.流片测试结果表明,该频率合成器的锁定范围为75~830MHz,全波段内在偏离中心频率10kHz处的相位噪声可以达到-90.46dBc/Hz,100kHz处的相位噪声为-115dBc/Hz,参考频率附近杂散小于-90dBc.  相似文献   
18.
尹莉  恽廷华  唐守龙  吴建辉   《电子器件》2007,30(1):132-135
设计了一种高线性度的宽带CMOS全差分放大器,输入级采用带有电阻共模负反馈的差分电路,输出级则由推挽跨导运算放大器及其反馈环路组成.采用输入级源退化电阻及输出级负反馈技术,使得差分输出峰峰值为1 V时三阶谐波失真达到-60 dB.同时利用反馈环路中反馈电容的欠阻尼滞后补偿作用,使放大器的带宽增大了15%.测试结果表明,在0.25 μmCMOS工艺下,该放大器-3 dB带宽达到150 MHz,噪声系数小于14 dB.  相似文献   
19.
采用片外谐振网络和多VCO的结构设计了一个宽带CMOS VCO,并采用一种新型的电荷泵式自动幅度控制电路,确保了VCO在整个带宽内的可靠性。基于Chartered 0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,该VCO的频率能够覆盖75~900 MHz,单边带相位噪声最佳值达到了-92 dBc/Hz@10 kHz。  相似文献   
20.
吴俊  吴建辉  张萌  李晶晶   《电子器件》2007,30(1):140-143
采用 Berlekamp-Massey(BM)算法设计了符合DVB-C标准的RS(204,188)解码器,同时采用SRAM作为缓存和时分复用等方法,减小了电路规模和硬件结构的复杂性,设计的电路能够对每帧数据(204字节)中不多于8个字节的错误进行检查和纠正,并且能达到28.8 MHz的工作频率,符合HDTV解调芯片的性能要求.  相似文献   
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