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采用能量为 ( 10~ 35 )keV ,剂量为 ( 3 0× 10 15~ 4 8× 10 17)ions/cm2 的氮离子 (N+)对聚 ( 2 甲氧基 5 辛氧基 )对苯乙炔 (PMOCOPV)进行离子注入改性。PMOCOPV薄膜的电导率随注入离子能量和剂量的增加而迅速提高。当注入N+的能量为35keV ,剂量为 4 8× 10 17ions/cm2 时 ,PMOCOPV薄膜的电导率为 0 0 96S/cm ,比本征态的电导率提高了 7个数量级。通过超高阻测试仪研究了PMOCOPV薄膜表面电导率与温度的关系 ,发现N+注入PMOCOPV薄膜的电导活化能为 0 15 6eV。离子注入PMOCOPV薄膜的电导率的环境稳定性优于I2 和FeCl3 掺杂的PMOCOPV。对离子注入PMOCOPV薄膜的导电机理进行了初步探讨。 相似文献
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离子注入技术改性聚合物薄膜在电子及电器工程中有着巨大的潜在应用价值。综述了近年来聚合物薄膜经离子注入后在导电性能、光学性能、导磁性能及表面力学机械性能等方面的最新进展。分析了注入离子与聚合物相互作用的物理过程,并指出了该领域存在的问题及发展方向。 相似文献
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有机磺酸掺杂聚苯胺的光电性能 总被引:2,自引:0,他引:2
对十二烷基苯磺酸( D B S A) 掺杂的聚苯胺进行了光电性能测试,结果表明: D B S A 掺杂的聚苯胺在光照射下,光生载流子明显增大;感光材料的加入有利于聚苯胺在可见光区的吸收,并增加其导电性。对 Al- P An - D B S A- Al 结构的介电弛豫研究表明,在 D B S A 掺杂聚苯胺的薄膜中存在空间电荷极化现象。通过理论计算与测试得知,掺杂态聚苯胺的寿命为微秒级, 迁移率为1 ×10 - 3 ~1 ×10 - 1 cm 2/( V·s) 。从聚苯胺的电导率与温度关系中得到该材料的活化能,并分析了掺杂态聚苯胺的导电机理。 相似文献
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通过一般舰载雷达系统数字化样机基本设计过程及基本分析过程,把CAD实体建模,有限元分析,仿真加工分析,热设计仿真分析,运动学及动力仿真分析等先进设计技术与型号产品研制结合起来,达到提高型号产品的设计水平和设计质量的目的。 相似文献
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聚吡咯衍生物的合成及其三阶非线性光学性能 总被引:1,自引:1,他引:0
以吡咯为原料,通过逐步分子设计合成了聚3 丁酰基吡咯(PBPY)和聚[(3 丁酰基吡咯 2,5 二)对二甲氨基苯甲烯](PBPDMABE)。通过氢核磁(1 H NMR)、傅里叶 红外(FT IR)、和紫外 可见(UV Vis)光谱对反应中间体和目标产物的结构进行了详细表征。对 PBPY和 PBPDMABE粉末进行了 I掺杂处理,采用四探针法对本征态和掺杂后的聚合物电导率进行了测量,测试结果表明,经过 I掺杂处理后PBPY和PBPDMABE具有较高的电导率,分别为1.3×10-1 S/cm和3.8×10-6 S/cm。根据光学禁带宽度与入射光子能量的关系,计算了PBPY和PBPDMABE薄膜的光学禁带宽度,分别为 2.06 eV和1.79 eV。利用后向简并四波混频(DFWM)技术测量了 2 种聚合物薄膜的三阶非线性极化率。结果表明,在波长为532 nm的激光作用下,PBPY和PBPDMABE的三阶非线性极化率分别为8.75×10-10 esu和4.65×10-8 esu。 相似文献
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研究了原料混合球磨研磨时 ,加入表面活性剂对Bi2 O3-ZnO -Nb2 O5(BZN )系复相区陶瓷的相组成及性能的影响 .依据最佳的(Bi3xZn2 - 3x) (ZnxNb2 -x)O7陶瓷配方 ,采用固相反应法制备BZN陶瓷试样 .在原料混合球磨研磨时 ,加入具有醇和胺双重性质的两性表面活性剂 ,借助XRD ,DTA ,SEM和HP42 74A阻抗分析仪等研究手段 ,研究实验制备的BZN陶瓷试样的相结构与介电性能 .结果表明 :试样的相结构仍为焦绿石立方结构α相和单斜结构β相的 (α +β)复相焦绿石结构 ;在制备过程中加入表面活性剂 ,可降低Bi2 O3,ZnO ,Nb2 O5原料固液界面表面张力 ,破坏原料的团聚状态 ,达到各种原料的充分混合 ,从而促进了在较低温度下形成相对较多的立方焦绿石α相 ,提高了相组成的稳定性 .大大扩大了符合零温度系数 [( 0± 30 )× 10 - 6 /℃ ]要求的烧成范围 ,且此BZN陶瓷介电常数高 (ε≥ 10 5 )、介电损耗小 (tgδ <10 - 4 ) 相似文献
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使用I—DEAS对雷达天线系统进行装配设计及动态仿真 总被引:2,自引:1,他引:1
通过建立一个雷达天线稳定转台装配仿真的实例,介绍了I-DEAS软件的部分功能和利用I-DEAS环境实现机械系统装配过程及动态仿真的简易方法。 相似文献
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