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利用对-硝基苯基重氮氟硼酸盐和聚酰胺酸进行重氮偶合反应,再经过酰亚胺化反应,合成了侧链含偶氮苯发色团的聚酰亚胺非线性光学材料(NLOPI).在室温下测试了NLOPI的光致变色性能,研究了激光作用时间和激光功率密度对光致变色性能的影响.研究发现,在波长为532 nm的YAG激光作用下,随着激光辐射时间的延长和激光功率密度的增大,NLOPI在360 nm处的吸收增强,而在500 nm处的吸收减弱.采用单光束Z-扫描技术,系统地研究了NLOPI三阶非线性光学特性.研究表明,侧链含偶氮苯发色团的聚酰亚胺为自散焦介质,其非线性折射率n2为-1.62×10-7 esu,非线性折射系数γ为-4.04×10-14 m2/W,非线性吸收系数β为3.98×10-8 m/W,三阶光学非线性极化率χ(3)为3.41×10-18 m2/W. 相似文献
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可溶性聚(2,5-二己氧基)对苯乙炔三阶非线性光学特性 总被引:2,自引:2,他引:0
报道了利用脱氯化氢反应制备可溶性聚(2,5二己氧基)对苯乙炔(PDHOPV),这种聚对苯乙炔(PPV)衍生物在波长450~550nm范围内具有强的光学吸收,最大吸收峰位于499nm处。采用简并四波混频(DFWM)技术对PDHOPV薄膜的非线性光学特性进行研究。结果表明:PDHOPV具有大的三阶非线性光学特性;激发波长为532nm的共振三阶非线性系数和1.064μm的非共振三阶非线性系数分别为9.6×10-10esu和2.1×10-11esu;电子共振增强有利于提高三阶非线性光学系数。 相似文献
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CuPc-G-PAn/Perylenes异质结太阳电池性能研究 总被引:4,自引:1,他引:3
对聚苯胺材料进行染料接枝改性,将其用作异质结光伏电池的p型材料,制作出结构为导。电玻璃/酞菁铜接枝聚苯胺(p型)/Pei(n型)/Al)简写为ITO/CuPc-G-PAn(p型)/Pei(n型)/A1)的有机p-n异质结光伏电池。该电池在37.2W/m^2的碘钨灯照射下,开路电压Voc=802mV,短路电流I=41μA/cm^2,填充因子FF=58%,能量转换效率大约为0.51%,它比聚苯胺及Pei肖特基电池大得多。通过测量其电流-电压J-V和电容-电压C-V特性,研究了其光伏效应及电学性能。J-V特性表明,二极管的曲线因子约为6.3,比1大得多;C-V特性表明,在CuPc-G-PAn/Pei界面处的耗尽层约为231nm,从p/n层的光吸收谱可知,光激活层在CuPc-G-PAn/Pei界面处,它们分别与ITO及铝形成欧姆接触,对在暗场及光照下电荷传输机理作了较详细的分析。 相似文献
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以均苯四甲酸酐(PMDA)和二氨基二苯醚(ODA)为单体原料,研究了在2×10-5Torr真空度下,通过控制双源单体的加入摩尔计量、加热时间和其沉积速率,在玻璃衬底上合成了聚酰亚胺的预聚体聚酰胺酸,再经150~200℃真空加热亚胺化,1小时后得到了成膜性良好的均匀聚酰亚胺薄膜.通过红外吸收、X射线衍射、扫描电镜等方法对样品的组织结构和特性进行了研究和探讨.结果表明,气相沉积法制备的聚酰亚胺薄膜具有良好的电学特性和热稳定性,不失为聚合物合成的可能途径之一. 相似文献
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以均苯四甲酸酐(PMDA)和二氨基二苯醚(ODA)为单体原料,研究了在2×10-5Torr真空度下,通过控制双源单体的加入摩尔计量、加热时间和其沉积速率,在玻璃衬底上合成了聚酰亚胺的预聚体聚酰胺酸,再经150~200℃真空加热亚胺化,1小时后得到了成膜性良好的均匀聚酰亚胺薄膜。通过红外吸收、x射线衍射、扫描电镜等方法对样品的组织结构和特性进行了研究和探讨。结果表明,气相沉积法制备的聚酰亚胺薄膜具有良好的电学特性和热稳定性,不失为聚合物合成的可能途径之一。 相似文献
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低能离子注入对聚吡咯甲烯的改性 总被引:2,自引:0,他引:2
利用低能氮离子对聚[(3乙酰基吡咯-2,5-二)对二甲氨基苯甲烯](Papdmabeq)薄膜进行了离子注入改性(注入能量为10~35 keV、剂量为1.2×1016~2.2×1017ions/cm2),研究了与材料三阶非线性极化率相关的物理量的变化规律.结果表明,氮离子注入使Papdmabeq薄膜的光电特性都发生了显著变化.适当能量和剂量的氮离子注入Papdmabeq薄膜后,薄膜中导电岛的数量增加,在聚合物分子链间形成了大的导电区域,导致其电导率显著提高.当注入离子的能量为25 keV、剂量为2.2×1017ionS/cm2时,Papdmabeq薄膜的电导率为9.2×10-4S/cm,比本征态Papdmabeq的电导率提高了5个数量级,且离子注入后薄膜电导率的环境稳定性优于经碘掺杂的Papdmabeq.氮离子注入可以使这种聚合物薄膜在可见光范围内的光吸收大幅度提高,使共轭程度得到显著增强.当注入离子的能量为35 keV、剂量为2.2×1017ions/cm2时,Papdmabeq的光学禁带宽度(Eg)由1.626 eV降低到1.340 eV. 相似文献
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