一种具有偶氮侧链的吡咯甲烯的合成与研究

以4 甲酰基 4′ 二甲胺基偶氮苯(FDMAA)与吡咯为原料,在浓盐酸催化下缩聚得到了聚吡咯对二甲胺基偶氮苯甲烷(PPDMAB),再与四氯苯醌进行脱氢反应得到聚吡咯对二甲胺基偶氮苯甲烯(PPDMABQ)。红外光谱、紫外-可见吸收光谱表明PPDMAB中含有部分醌化的成分,而PPDMABQ的红外谱图在1650cm-1附近的吸收强度增加,紫外-可见吸收光谱530nm附近强度的增加都说明了醌化反应的发生和共轭结构的形成。X衍射表明PPDMABQ主要呈非晶态,但存在微小晶区。热重分析显示PPDMABQ在260℃以上开始分解。采用了两种模型对PPDMABQ薄膜的光学禁带宽度进行了计算,分别为1 42eV和1 76eV。     

窄能隙共轭聚合物:聚{[(3-辛基)噻吩-2,5-二基][(对二甲氨基)苯甲烯]}的合成与表征

聚噻吩甲烯是一类具有极低能隙的共轭聚合物,为了提高其溶解性和成膜性,采用3 辛基噻吩与对二甲氨基苯甲醛进行聚合反应得到了聚(3 辛基)噻吩对二甲氨基苯甲烷(POTDMAB),然后在氧化剂四氯苯醌的作用下进行脱氢反应得到聚(3 辛基)噻吩对二甲氨基苯甲烯(POTDMABQ)。用红外光谱、紫外-可见吸收光谱对POTDMAB和POTDMABQ的结构进行了表征。红外光谱上1653cm-1处的小吸收峰,紫外-可见吸收光谱上450～600nm的吸收说明POTDMAB含有部分醌化的成分。与POTDMAB相比,POTDMABQ的红外谱图在1653cm-1处的吸收强度增加,紫外-可见吸收光谱上450～600nm吸收强度的增加以及核磁共振氢谱都说明了醌化反应的发生和共轭结构的形成。热重分析表明POTDMABQ在200℃以上开始分解。采用了两种模型对POTDMABQ薄膜的光学禁带宽度进行了测量,发现具有很低的禁带宽度,分别为1 32eV(r=1)和1 69eV(r=2),具有用作三阶非线性聚合物光学材料的潜在能力。     

非线性光学有机聚合物材料研究进展

非线性光学有机聚合物材料在光通信、高密度光存储、及全光信息处理等高技术领域中的应用前景已引起广泛关注。在简要介绍非线性光学效应的基础上,主要论述了有机聚合物非线性光学材料的研究发展及其应用。同时,根据实用化器件对材料的要求及目前存在的主要问题提出解决方案。     

二次蒸发制备的CuxS薄膜结构与特性研究

在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备ＣｕｘＳ薄膜。硫在衬底温度１６０℃￣２００℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应，生成ＣｕｘＳ薄膜。实验发现，生成的ＣｕｘＳ薄膜与衬底温度有很大关系，１６０℃时生成的ＣｕｘＳ呈黄绿色，而在１９０℃左右生成的多晶状的ＣｕｘＳ薄膜，颜色为深绿色。通过ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＳ等方法对样品的组织结构进行了研究和探讨。     

一种新型偶氮染料的图像存储性能的研究

用于光存储材料的偶氮染料具有廉价易得、响应时间快、分辨率高、有较高的记录灵敏度、分子结构易调整等优点。目前报道的偶氮染料掺杂聚合物薄膜的掺杂浓度一般为3％～20％，因为高的掺杂浓度容易使共混体系发生相分离，但掺杂浓度低会限制材料的记录密度。为此，我们合成了一种新的偶氮染料4-硝基-4'-N，N-二(2-羟丙基)偶氮苯     

聚(2,5-二丁氧基)对苯乙炔的制备及其离子注入改性研究

通过双醚化反应、氯甲基化反应以及在强碱性条件下进行的脱氯化氢反应,制备出新型光电功能材料聚(2,5 二丁氧基)对苯乙炔(PDBOPV)。采用能量为10～35keV,剂量为3.0×1015～4.8×1017ions/cm2的氮离子(N+)对PDBOPV进行离子注入改性。PDBOPV薄膜的电导率随注入离子能量和剂量的增加而提高。当注入N+的能量为35keV,剂量为4.8×1017ions/cm2时,PDBOPV薄膜的电导率为0.136S/cm,比本征态的电导率提高了8个数量级。通过超高阻测试仪研究了PDBOPV薄膜表面电导率与温度的关系,发现N+注入PDBOPV薄膜的电导活化能为0.155eV。离子注入PDBOPV薄膜的电导率的环境稳定性能优于Br2、I2和FeCl3掺杂的PDBOPV。对离子注入PDBOPV薄膜的导电机理进行了初步探讨。     

离子源中等离子体密度与有关参量之间关系的初步探讨

本文介绍了利用朗谬尔探针对离子源放电特性进行实验研究的一些结果。讨论了离子源的等离子体密度与放电电压,弧流以及外加磁场之间的关系。在放电电压120伏处,离子源的等离子体密度出现极大值,此时,对应的电子能量为最低。等离子体密度与弧流的关系比较简单,而在与外加磁场的关系中也存在有极大值。这三者之间的关系不是独立的,而是相互制约的。     

聚3-乙酰基吡咯的合成、表征及其三阶非线性光学效应研究

以吡咯为原料,通过4步反应合成了一种大π共轭高分子———聚3 乙酰基吡咯(PAPY)。利用1HNMR、FTIR和UV-Vis-NIR对反应中间产物及聚合物PAPY进行了结构表征。热重分析表明PAPY可耐330℃的高温。通过碘掺杂和w(H2SO4)=98%的浓硫酸掺杂处理,PAPY的电导率提高了3个数量级,分别为0 86和0 28S/cm。用721型分光光度计对PAPY在可见光区的透过率进行了测量,计算结果表明,PAPY的光学禁带宽度Eg=1 435eV,属窄能隙聚合物。采用标准后向简并四波混频(DFWM)系统对PAPY的三阶非线性光学效应进行了测量。结果表明,在532nm处PAPY的三阶非线性极化率为8 6×10-10esu。     

离子注入对聚合物材料表面改性的研究与应用进展

离子注入对聚合物材料表面改性有着独特的优越性,文中介绍离子注入技术在聚合物材料表面的力学性能、电学性能、光学性能、生物相容性能等方面改性的最新研究与应用进展。     

两种新型聚(3-丁酰基吡咯苯甲烯)的三阶非线性光学性能

通过3-丁酰基吡咯单体分别与对硝基苯甲醛和香草醛的缩聚反应,成功合成了两种新型可溶性聚吡咯甲烯衍生物——聚[(3-丁酰基吡咯-2,5-二)对硝基苯甲烯](PBPNBE)和聚[(3-丁酰基吡咯-2,5-二)(3-羟基-4-甲氧基)苯甲烯](PBPHM BE)。采用1H-NM R、FT-IR和UV-V is-N IR光谱对目标产物的分子结构进行了详细的表征。通过测试计算得到聚合物PBPNBE和PBPHM BE的光学禁带宽度分别为1.84 eV和1.48 eV。采用后向简并四波混频技术研究了聚合物薄膜的三阶非线性光学性能。结果表明,聚合物PBPNBE和PBPHM BE具有大的三阶非线性极化率,其值分别为2.10×1-0 8esu和8.65×10-8esu。