谈红外隐身与反红外隐身技术

谈红外隐身与反红外隐身技术栾大龙（驻○一四中心军代表室洛阳４７１００９）本文以红外隐身技术与反红外隐身技术为内容，着重介绍了其实现和发展，以及对红外制导武器的影响，并论及了我国红外隐身技术发展的对策。谈红外隐身与反红外隐身技术@栾大龙$○一四中心军代表...     

从光电子谱的峰背比及背景信号变化获得成分深度分布信息

光电子谱中的背景信号包含样品的信息，但过去往往被忽略，通过对背景信号简单的分析，可以获得成分随深度变化的信息，本文介绍了如何利用光电子谱的背景信号获得元素在深度方向的分布情况，本文所述方法可以用于纳米镀嵌结构，包裹物，表面偏析，氧化，钝化等体系的非破坏性深度剖析研究。     

二进制乘方,乘积速算法

本文给出了二进制数乘法运算的一种速算方法及其合理性证明。     

酱香型低度白酒除浊技术

研究了酱香型低度白酒各种除浊方法的最佳条件。通过比较，优选适合酱香型低度白酒除浊的最佳方法和条件。     

盐酸蒸气处理对酞菁氧钛薄膜的影响

用HCl蒸气对真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜进行了处理，并用UV-Vis吸收谱、X射线光电子能谱（XPS）和X射线衍射（XRD）进行了分析，吸收谱结果表明HCl与酞菁氧钛蒸气作用后产生一个新的吸收峰，峰值位于820nm附近，此峰的出现使得酞菁氧钛光吸收带（Q带）加宽进入红外波段，光电子谱分析表明酞菁氧钛薄膜的成分发生了变化，其中Cl和O的含量随HCl蒸气处理的时间的增加而增加，而N和Ti的含量随HCl蒸气处理时间的增加而减小，说明HCl蒸气可与真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜发生作用。XRD测试结果表明，经HCl蒸气处理后的酞菁氧钛薄膜的衍射谱中出现了若干新的衍射峰，表明酞菁氧钛分子的排列结构也发生了变化。     

利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征

采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜 .XRD测试和UV - Vis吸收谱测试证明在高于 880℃的温度下热处理 ,可以获得结晶状态很好的硅酸锌薄膜 .光致发光光谱分析表明 ,未掺杂的薄膜在紫外波段有较弱的发射 ,而掺锰的硅酸锌薄膜在可见光波段有很强的光致发射 .由于硅酸锌薄膜在高温下非常稳定 ,可以与硅集成电路工艺兼容 ,而且发光强度高 ,因此在制作硅基光电集成器件方面有非常大的应用前景     

HD系列制冷恒温槽

介绍了采用单级或双级制冷系统和精密温度控制系统组成的高精度制冷恒温槽系列.最低槽温分别可降至—40℃或—80℃,温度波动度达±5mK,温场均匀且能长期连续工作.     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．