太阳能光伏发电之未来

2007年中国和世界太阳能光伏发电在技术、产业、市场和资源等方面都取得了新的进展;展望太阳能光伏发电的未来,应当重新审视光伏发电在我国能源结构中的战略地位;建议把支持光伏发电的快速发展和实施大规模应用作为应对当前和今后国际能源涨价的国策.     

太阳电池减反射膜系统的研究

减反射膜系的制备对于高效空间太阳电池来说非常重要,对其进行优化设计可以大幅度的提高太阳电池的短路电流,从而提高太阳电池的光电转换效率,从波动光学的基本原理出发,用加权平均反射率作为评价膜系设计质量的参数,编制出了进行减反射膜系优化设计的计算机程度,理论上可以使太阳电池表面的加权平均反射率降到1％以下,提高了电池的短路电路。     

空间太阳电池发展现状及展望

电源系统是卫星的重要分系统之一 ,几乎所有的卫星均需配置一个合适而可靠的电源分系统。电源分系统在整个卫星系统中所占质量的比例是最高的[1] ,因此对电源系统的研究就非常重要。多数地球轨道卫星都采用太阳电池阵与蓄电池联合供电系统。空间的环境非常恶劣 ,温度起伏大 ,高能粒子多 ,使得工作在其中的太阳电池必须具备性能稳定和抗辐照等特性。文中对空间太阳电池系统的发展现状作了较为详细的介绍 ,比较分析了硅太阳电池与其它几种材料的空间太阳电池的发展现状和优缺点 ,得出了硅电池仍是目前空间应用的最佳选择的结论。还介绍了几种高效硅太阳电池及当前的发展水平 ,通过比较分析 ,提出了空间太阳电池的未来研究方向。     

一种喷涂SnO_2减反射薄膜的新工艺及材料研究

采用超声雾化喷涂法沉积得到 Sn O2 薄膜和掺氟离子 Sn O2 薄膜。通过改变掺杂量和选择合适的工艺条件可控制掺氟 Sn O2 薄膜的方块电阻 ,其最小方块电阻值达 10 Ω/□。用 5 5 0 nm单色光测得其透过率为 85 %— 90 %。用 X射线衍射仪及扫描电子显微镜分析 Sn O2 薄膜的微结构和成份 ,薄膜为择优取向晶化。薄膜具有很好的抗腐蚀性能。在已完成 pn结及电极制作工序的单晶硅太阳电池上沉积一层厚 70 nm的未掺杂 Sn O2 薄膜 ,构成光学减反射层 ,其电池的短路电流 Isc提高约 5 %— 10 %。     

低温生长SiO2钝化膜在太阳电池上的应用

主要研究在晶体硅衬底上采用干氧氧化法生长SiO2薄膜,通过改变非晶SiO2薄膜的生长温度、时间以及气体流量等参数优化工艺条件,增强对硅片的钝化作用,提高光生少数载流子寿命.实验发现在840℃下生长的非晶SiO2薄膜对硅片钝化效果最佳,可将硅片少子寿命提高约90%.此外,为优化SiO2/SiNx双层膜的减反射作用,采用Matlab程序计算SiO2/SiNx双层膜的反射谱,从理论上获得最优的膜系组合.实验发现生长有SiO2钝化膜的SiO2/SiNx双层膜太阳电池相对单层SiNx膜太阳电池,短路电流和开路电压分别提高了0.2A和8mV,转换效率提高约9%.     

美国光伏技术发展新动态

一、前言1987年5月4—8日,美国新奥尔良市举行了“第19届IEEE光伏专家会议”,与之同时套开的还有“光伏:投资于发展会议”以及“光伏展览会”。与会者达一千人。共发表美国、欧州、日本、中国、印度等14个国家316篇论文,中国有8篇论文入选,其中二篇来自台湾省。会议的主要内容是:(1)太阳电池发电系统的设计、销售、安装、维护及使用情况报告;(2)太阳电池的技术经济分析及评价;(3)讨论了为什么要投资于光伏?如何筹资?以及怎样投资于光伏发展?等众所关心的问题。会上,世界银行、联合国计划开发署,儿童基金组织和世界缝康组织等许多代表都表示愿意为光伏投资。据了解,美国能源部和美国太阳能工业协会正在筹集10亿美元的资金投资于光伏发展。美国     

硼离子掺杂类金刚石薄膜及C（B）n—Si异质结光伏特性

采用直流弧光放电等离子ＰＣＶＤ法，沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜，该材料ｐ型半导体，电阻率５－１０Ωｃｍ。俄歇电子能谱测试表明，硼离子含量为０．８％，由扫描电镜和激光喇曼谱分析可知，薄膜以非晶为主，观察到许多线径为０．５－１．０μｍ的金刚石结晶微粒。     

太阳能与2010年上海世博会

太阳能(包括风能、生物质能、空气热能、地温热能等)的科学利用，使得这些“农村能源”可以让城市更美好。文章建议将太阳能等可再生能源利用列入2010年上海世博会主题规划，在世博会场馆内外广泛展示太阳能高新科技的进步以及在城市中的应用，保证世博会场馆总能耗的50％来自太阳能等可再生能源，以期促成“上海十万个太阳能屋顶计划”、“上海10万kW近海风力发电场计划”以及“上海10万kw生物质能(含垃圾)发电计划”。希望到2010年，上海的可再生能源发电达到全市发电总装机容量的5％，成为实施《中华人民共和国可再生能源法》(草案)的先锋和模范。     

光伏新材料a-CN_x薄膜的光电响应性质

采用离子束溅射反应沉积技术,以高纯N2 为工作气体,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应,沉积出a- CNx 薄膜.在室温下,研究薄膜的暗电导和在卤素光源照射下的光电导、光响应增益、响应时间等性质,以及制备工艺和掺杂、氢化对这些性质的影响及关系.实验结果表明:未掺杂的a- CNx 薄膜的光响应增益达1 8,磷掺杂薄膜的光响应增益为3.0 ,经过氢化处理的未掺杂a- CNx 薄膜的光响应增益为30 ,光响应时间大约为30 0 s.     

超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究

报道了采用超声雾化喷涂工艺沉积优质掺杂二氧化锡透明导电半导体薄膜的实验成果 ,选用氟作为掺杂元素 ,通过改变掺杂量和工艺参数 ,可控制薄膜的方块电阻在 1 0 Ω/□以上的范围内变化 (40 0 nm膜厚 ) ,掺氟离子二氧化锡为 n型导电半导体 ,高浓度掺杂的二氧化锡薄膜光学透过率为 87%～ 90 % (采用 550 nm单色光源测透过率 )。用 X射线衍射及扫描电子显微镜分析 ,可获得该薄膜材料的微结构、表面形貌以及薄膜组成、掺杂百分含量。该成果为大规模生产优质二氧化锡透明导电薄膜 ,提供了有效、简单的方法和装置。