多晶硅太阳电池表面化学织构工艺

用化学腐蚀方法织构多晶硅片的表面，利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅片表面状态，通过反射谱的测试，分析了多晶硅片表面陷光效果。结果表明酸溶液腐蚀的硅片表面相对平整，有均匀的腐蚀坑，反射率很小。在没有任何减反射膜的情况下，在500-1000nm波长范围内，反射率在16％以下，有较好的表面陷光效果。而用碱溶液和双纪念品构腐蚀方法得到的多晶硅表面陷光作用都不很理想，反射率高于酸溶液腐蚀硅片，腐蚀后的硅片表面状态也不利于扩散和丝网印刷工艺。     

渐变带隙结构在Ⅲ-Ⅴ族太阳电池中的应用

在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上,研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点,采用AMPS软件结合相关试验参数对Ⅲ-Ⅴ族的AlxGa1－xAs类太阳电池中渐变带隙结构进行了计算模拟,并与普通电池进行了对比分析．一方面,带宽的递增或递减构成的势垒可以形成附加电场,帮助少子收集,增加少子寿命;另一方面,渐变后的带隙会影响实际光谱的吸收效率,使得总的载流子产额以及可利用部分发生变化,总结出带隙的渐变结构对载流子实际产生、收集等情况有着多方面的调制作用．     

MIS／IL p—Si太阳电池的几种低温表面钝化

对P－硅基体的MOS,MNS,MNOS3种钝化系统通过C－V特性测试和电性能分析,系统比较了不同结构及在不同的工艺条件下的介面态,介面固定正电荷和漏电流等参数。结果表明对于MIS／IL p－Si太阳电池,通过工艺优化,MNOS可以发挥良好的表面钝化和存储固定正电荷的功能。     

对太阳电池I-V曲线进行拟合的数论方法

以太阳电池等效电路为数学模型,提出一种采用数论方法拟合I-V曲线的新方法。该方法的基本过程是：先在C∧s上建立glp集合的数论网格,然后确定拟合参数θ的初始范围［a,b］,再把该数论网格映射到［a,b］上,从而获得［a,b］内实数意义上的均匀分布的参数可取值θ,接下来利用目标函数选取最优的参数可取值θ,其寻优过程可反复进行,直到满足给出的拟合精度,以这些满足拟合精度的参数作为最后的拟合参数。该方法对拟合模型没有任何限制,拟合精度可在要求精度范围内任意控制,具有很广的应用领域和实用价值。     

用开路电压法测硅太阳电池中少数载流子寿命

太阳电池基区的少数载流子寿命是影响电池效率的重要因素之一。开路电压衰减法(OCVD)具有直接、简单、重复性好等特点，可准确测量器件的少数载流子寿命。该文分别介绍了利用纳秒激光器和发光二极管(LED)作为OCVD的光源，测量晶体硅太阳电池的少子寿命，结果发现可以利用脉冲信号发生器带动发光二极管作为脉冲光源，取代纳秒激光器，来测量单晶硅和多晶硅太阳电池的少子寿命。     

带有缓变层的大面积集成型a－Si：H太阳电池的研制

报道了把缓变层用于大面积（２７９０ｃｍ２）单结集成型ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板工业化生产的研究工作。分析了它对太阳电池板性能参数Ｖｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、η的影响和对提高ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板转换效率的作用。试验所得电池板的平均开路电压达２５．１Ｖ，平均转换效率达６．２％，分别比同时生产的无级变层电池板的水平提高９．１３％和１６．９８％。试验中最好的电池板开路电压达２５．６Ｖ，转换效率达６．６％。     

纳米硅薄膜及纳米硅薄膜太阳电池

综述了纳米硅薄膜及纳米硅薄膜太阳电池的制备方法、结构特性、光电特性等，显示出其有重要的应用前景。迄今为止，最好的纳米晶硅薄膜太阳电池的光电转换效率已达8．7％。     

利用EDAX方法分析多晶硅电池电极成份

用丝网印刷技术制作多晶硅太阳电池的栅线电极,利用SEM和EDAX测试和分析了金属栅线与硅接触的情况,以及金属与硅界面处各元素的分布,分析了各元素对多晶硅太阳电池p-n结的影响,有利于调整工艺条件来提高电池效率.     

溅射法低温生长纳米硅薄膜及异质结电池

用射频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在100℃左右,工作气体选用H2 Ar,氢气的分压控制在31%到73%,同时改变薄膜的沉积时间.用Raman、XRD、AFM、SEM 及椭偏仪对薄膜的特性进行了测定.XRD的测试结果表明,样品中存在一种微结构,不同于用PECVD方法生长的薄膜.椭偏仪的测试结果给出这种薄膜具有宽带隙.在室温条件下对异质结薄膜电池的I-V特性进行了测量.     

用超声喷雾热分解法制备SnO2:F薄膜

采用超声喷雾热分解法沉积高性能掺氟二氧化锡(SnO2:F)透明导电膜(TCO),其最小方块电阻为9 Ω(400 nm厚),可见光透过率大于80%。X射线衍射(XRD)分析表明,SnO2:F薄膜为多晶结构;原子力显微镜(AFM)观察表明,SnO2:F薄膜平均粒径约为100 nm。此外对石墨导热体和置于其上的玻璃基片两者之间的温度差别做了初步研究。