锑及金锑矿化形成的物理化学条件

采用溶解度法确定了锑的硫氢络合物形成常数,获得了这些络合物形成常数的温度关系方程式。首次系统测定了锑及金锑矿化脉石矿物流体包裹体中硫化物硫、锑和金浓度。阐明了金锑共同迁移条件下,锑在金迁移和沉淀过程中所起的作用。     

锌(Ⅱ)-氨基酸配合物分子内配体间疏水作用

应用 p H电位滴定法研究了配合物 Zn( Aa) 2 [Aa-=L- val(缬氨酸根 ) ,L- phe(苯丙氨酸根 ) ,L- trp(色氨酸根 ) ,L- tyr(酪氨酸根 ) ]在水和 2 0 %、40 %及 60 %二氧六环 /水溶液中的稳定性 [t=2 5℃ ,c=0 .1 mol/L Na Cl O4]。配合物 Zn( Aa) 2 相对于母体配合物 Zn( Aa) + 稳定性用Δlog K=log KZn( Aa)Zn( Aa) 2 - log KZn Zn( Aa) 表示。结果表明 :与 L-丙氨酸 ( L- ala)配合物 Zn( L- ala) 2 相比 ,所有这些氨基酸配合物 Zn( Aa) 2 均具有相对较大的 Δlog K值 ,表明这些配合物分子内存在着额外的稳定化作用。这种稳定性化作用可能主要归因于配合物分子内氨基酸侧链之间的疏水作用 ,并且这种作用随着氨基酸侧链结构及溶剂极性变化而变化     

PbZr0.52Ti0.48O3薄膜红外椭圆偏振光谱研究

用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5～ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT薄膜的红外光学常数 ,同时拟合得到未经处理的PZT薄膜和退火后PZT薄膜的厚度分别为 45 4.2nm和 45 0 .3nm .最后通过拟合计算得到结晶PZT薄膜的静态电荷值为 |q|=1.76 9± 0 .0 2 4.这说明在磁控溅射法制备的PZT薄膜中 ,电荷的转移是不完全的 .     

精确测定低对称晶系多昌材料点阵常数的X射线衍射方法

点阵常数是多晶材料的重要物理参数之一，陶瓷材料多数属非立方晶系化合物，研究低对称晶系点阵常数的测定方法和提高精度的途径对材料研究有重要的意义，本文提出了联立方程法、联立方程外推法、最小二乘法、最小二乘外推法、线对法、线对最小二乘法等六种测定方法和稳定性判 法、抛弃 平均法、最小二乘判法等三种数据处理方法及其适用条件、用本文的测定低对称晶系多晶材料点阵常数的方法可以得到较精确可靠的结果。     

Sol－Gel法制备的CoMnNiMgO热敏元件老化特性的研究

假设老化是从亚稳态到稳态的变化，利用反应动力学理论对Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的ＣｏＭｎＮｉＭｇＯ热敏元件的老化特性进行了研究，推导出老化公式△Ｒ／Ｒｏ＝Σｒｉ［１－ｅｘｐ（－ｔ／τｉ）］其中：τｉ＝τｏｉｅｘｐ（Ｅｉ／ｋＴ））。结果表明理论与实验能很好地一致，对于本文所研究的热敏元件，符合公式ＡＲ／Ｒｏ＝ｒ１［１－ｅｘｐ（－ｔ／τ１）］＋ｒ２［１－ｅｘｐ（－ｔ／τ２）］，该式中：，ｒ１＝１１．７６７×１０－３；ｒ２＝２０．６７３５×１０－３；τ１＝６．４５７８×１０－３ｅｘｐ（６１９０．８９／Ｔ）；τ２＝１．０４６１×１０－６ｅｘｐ（８ｌｌ６．２４／Ｔ）。     

Al的添加对Gd-Co合金的影响

用X射线衍射、扫描电镜和磁性测量等方法研究了Al的添加对Gd-Co合金的影响。研究结果表明：在一定范围内掺杂Al导致GdCo2、GdCo5和Gd2Co17晶格常数增大，但仍保持各自的晶体结构；Al的添加使GdCo2和Gd2Co17的居里温度降低，但是对于GdCo2却是先增后减。该结论为寻找新的磁性材料提供了有价值的参考。     

景像匹配区中稳定景物的分割方法研究

研究了景像匹配区中稳定景物的分割方法———强度和法及分形常数法 ,成功地分割了匹配区中的稳定景物 ,为评价区配区景物稳定性提供了依据 .其中分形常数法是分形理论应用在图像分割领域的一个新尝试