Sol－Gel法制备的CoMnNiMgO热敏元件老化特性的研究

假设老化是从亚稳态到稳态的变化，利用反应动力学理论对Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的ＣｏＭｎＮｉＭｇＯ热敏元件的老化特性进行了研究，推导出老化公式△Ｒ／Ｒｏ＝Σｒｉ［１－ｅｘｐ（－ｔ／τｉ）］其中：τｉ＝τｏｉｅｘｐ（Ｅｉ／ｋＴ））。结果表明理论与实验能很好地一致，对于本文所研究的热敏元件，符合公式ＡＲ／Ｒｏ＝ｒ１［１－ｅｘｐ（－ｔ／τ１）］＋ｒ２［１－ｅｘｐ（－ｔ／τ２）］，该式中：，ｒ１＝１１．７６７×１０－３；ｒ２＝２０．６７３５×１０－３；τ１＝６．４５７８×１０－３ｅｘｐ（６１９０．８９／Ｔ）；τ２＝１．０４６１×１０－６ｅｘｐ（８ｌｌ６．２４／Ｔ）。     

PZT纳米晶薄膜的Sol—Gel法制备及铁电性质

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法，以Ｚｒ的硝酸盐替代醇盐，引入ＰｂＴｉＯ３过渡层的方法成功的制备了纳米晶铁电薄膜。并进行了差热、热重、结构、组分、铁电性能的测定、分析。     

NPC电池染料敏化剂的研究进展

简要介绍了染料敏化纳米晶体光电化学太阳能电池(简称NPC电池)的发展、结构、工作原理和表征方法,并着重对纳米晶体光电化学太阳能电池染料敏化剂的研究进展进行了综述。在此基础上,提出了一些值得深入研究的问题。     

热释电材料及其应用

对热释电材料进行了分类 ,对热释电材料、热释电传感器、热释电探测器的性能作了介绍 ,提出了一些改进热释电材料性能的方法 ,对热释电材料的研究现状和应用前景作了探讨。     

影响多孔硅孔隙率的因素

研究了在制备多孔硅过程中影响其孔隙率的各种因素 ,给出了氢氟酸浓度、腐蚀时间、阳极腐蚀电流、温度及光照度与多孔硅孔隙率的关系 ,同时研究了多孔硅的晶格常数随其孔隙率变化的规律 ,并对以上各项结果作出了初步解释。     

铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。     

ZnO纳米粉对压敏陶瓷材料显微结构和电学特性的影响

用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备掺杂的ＺｎＯ纳米粉体，分析讨论了这种粉体对材料显微结构，材料电学特性如非线性系数，压敏电压和介电特性的影响，与传统方法制成的粉体相比，ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制成的纳米粉人有掺杂均匀，晶粒尺寸分布均匀，其电学特性得到较大提高。     

Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜

介绍了Sol-Gel法，并对近年来Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的有关研究进行了分析和总结，详细介绍了Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的各种原料及工艺流程。     

用喷雾热分解法制备MgO薄膜

用压缩空气式喷雾热分解法在Ｓｉ（１００）衬底上制备了（１００）取向ＭｇＯ薄膜。结果表明：衬底温度和喷雾速率是制备（１００）取向ＭｇＯ薄膜的关键因素。在６００℃得到了（１００）取向的ＭｇＯ薄膜,用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）,原子力显微镜（ＡＦＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）分析了薄膜的微观结构。