一种抗负压和抗共模噪声的全集成GaN电平位移电路

设计了一种基于全集成GaN工艺平台,具有抗负压、抗共模噪声的电平位移电路。相较于传统的电平位移电路,通过电路设计将驱动部分的低电压域同高侧部分电路的低电压域保持一致,实现了抗负压的功能。除此之外,针对半桥驱动开关节点的抬升、下降引起内部电容充放电并导致信号逻辑错误的问题,对高侧部分电路进行设计,实现了抗共模噪声的能力。在200 V GaN工艺下,电平位移电路将0～6 V的输入信号转换至200～206 V。仿真结果表明,该电平位移电路的上升传输延时为4.74 ns,下降传输延时为4.11 ns,抗开关节点负压为-4 V,具有100 V/ns共模噪声抑制能力。     

一种高速高共模瞬态抗扰度电平位移电路

设计了一种适用于GaN栅驱动的高速、高共模瞬态抗扰度的电平位移电路。电路受PWM信号和短脉冲协同控制,利用短脉冲控制的加速电路提升了电平转换速度。在浮动电源轨高速切换和减幅振荡过程中,电路内部对地寄生电容的充放电会导致输出逻辑错误。针对此问题,采用一种高速、低功耗的交叉控制式噪声屏蔽电路,实现了极高的共模瞬态抗扰度。采用0.35 μm高压CMOS工艺进行电路设计。仿真结果表明,在100 V电平转换情况下,该电平位移电路的平均传输延时为1.58 ns,延时失配小于100 ps,共模瞬态抗扰度达到200 V/ns。     

用于关断耗尽型GaN器件的Buck-Boost负压电路

设计了一种Buck-Boost负压关断电平产生电路。通过引入动态调整关断时间的计时模块、分段电流限模块和纹波高速检测模块,实现了在耗尽型GaN器件快速开关时稳定栅极负压的供给,有效消除了耗尽型GaN器件在高压应用时密勒误开启现象的发生。电路基于0.35 μm BCD工艺进行设计与仿真验证。结果表明,该电路在宽输入范围内稳定输出-14 V的负压,在20~130 mA恒定负载电流下工作效率达80~87%,在0.5~1 MHz的工作频率下GaN器件栅极开关切换期间输出电压依然稳定。该电路满足高压应用需求。     

浅谈智能建筑弱电工程防雷接地

防雷是建筑工程事业考虑的一项重点问题,建筑物的防雷关系到人民群众的生命财产安全,对此应加强重视,智能建筑也是如此.在现今智能建筑的弱电工程往往忽略了通过防雷接地的实施保证建筑物的使用寿命,保障人民群众的根本利益,防雷接地做得不到位,会造成重大的社会问题.     

LED负载LLC谐振变换器参数设计

由于LED负载的等效电阻具有可变的特性,传统的电阻负载LLC谐振电路参数设计方法不再适用于LED负载LLC谐振电路参数设计.在电阻负载LLC谐振电路参数设计的基础上,提出一种新的设计方法,使LLC谐振电路在LED负载正常工作范围内满足零电压开关(ZVS);介绍了详细的公式推导和设计过程.基于所提出的方法,以一个谐振频率为100 kHz,额定输入电压为400 V的两路LED灯串为例,给出了设计和仿真结果,验证了新设计方法的可行性.     

一种线性RC压控振荡器的设计

基于LLC串联谐振芯片的应用,提出了一种线性RC压控振荡器.在传统RC振荡器的电容上叠加一个压控电流源,实现了频率受电压线性控制.仿真结果表明,该电路在典型参数下振荡器频率范围为140～280 kHz,在-40℃～125℃温度范围内可保持正常工作,且可通过外部电阻电容进行设置.该振荡器已被应用于脉冲频率调制模式下工作的LLC串联谐振芯片.     

LLC模式LED驱动的精确调光补偿算法及实现

提出了一种用于LLC模式LED驱动的精确调光补偿算法及电路.在开启过程中,积累LED电流实际值与预设值的偏差量,在PWM关断信号出现后,释放积累电荷量并推迟环路关断,实现精确调光补偿效果.基于此原理,设计了精确调光补偿算法电路,该算法电路包括与误差放大器关联的跨导放大器、误差积累与释放电路、PWM信号延展电路.对采用该算法电路的LLC系统进行仿真,结果表明,在恒流过程无偏差的情况下,有效PWM占空比延展了3.3％,即调光精度至少提高3.3％.     

基于片内PID补偿器的高压Buck变换器设计

设计了一种基于片内PID补偿并具有宽输入电压范围的高压Buck变换器.该变换器采用有源电感、有源电容以及密勒电容实现片内PID补偿,从而简化了芯片外围电路的设计.通过改变PID补偿器中低频极点的位置,实现增益补偿,以保证在整个输入电压范围内反馈环路的稳定性.使用Matlab和HSpice软件对环路进行建模、分析和设计.结果表明,该变换器在8～30V的输入电压范围内可以稳定地工作,线性调整率小于0.013%/V.     

一种高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路

介绍了一种应用于GaN驱动的0.35μm HV CMOS工艺的高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路。该电路采用高速电流镜和双锁存结构,并增加共模抗扰辅助电路,大大提高了传输速度和对共模噪声的抗扰能力。该高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路主要用于驱动增强型GaN的高压半桥栅驱动。仿真结果显示该电平位移电路上升沿传输延时1.03 ns,下降沿传输延时1.15 ns,可承受GaN高压半桥栅驱动开关节点SW处电压浮动50 V/ns。     

一种适用于降压型DC-DC转换器的过零检测电路

本文提出了一种新颖的过零检测电路。该电路的特点在于,结构简单,易于实现,且由于所用管子较少,极大地节省了版图面积,功耗也随之降低。基于0.35μm BCD工艺,利用Hspice对该电路进行了验证。仿真结果表明,该电路在给定的工艺和温度波动范围内(-40℃-125℃)都能够实现高精度的过零检测,具有较强的鲁棒性;且电路消耗的电流仅为24μA。