A 2.2-V 2.9-ppm/℃BiCMOS bandgap voltage reference with full temperature-range curvature-compensation

A high precision high-order curvature-compensated bandgap reference compatible with the standard Bi-CMOS process,which uses a simple structure to realize a novel exponential curvature compensation in lower temperature ranges,and a piecewise curvature correction in higher temperature ranges,is presented.Experiment results of the proposed bandgap reference implemented with a 0.6-μm BCD process demonstrate that a temperature coefficient of 2.9 ppm/℃is realized at a 3.6-V power supply,a power supply rejectio...     

LED点阵手写显示屏的设计

介绍了一种手写触摸屏的设计方案。以LED显示屏作为显示器件,除特制光笔之外无需额外的部件就能在LED屏上实现点击、拖动、汉字的手写输入等操作。显示屏采用STC单片机作为控制核心,在软件的控制下显示屏可准确的实现坐标的识别和汉字的手写输入,证明这个方案具有可行性。     

一种新的PDC钻头设计模型研究

在PDC钻头设计过程中,刀具岩石互作用模型是一个很重要的要素。过去设计使用的模型只考虑了剪力、法向力和侧向力3种力,对有倒角或特殊形状的PDC刀具不适用。介绍了一种新的刀具岩石互作用模型,该模型考虑了影响机械转速的倒角、刀具背部力、岩石变形、破碎材料回流等因素,已应用于钻头设计中,全比尺测试和现场试验表明,可提高钻头可钻性。     

一种视觉机器人抓取控制策略算法研究

针对视觉机器人抓取目标的稳定性和准确性,提出一种关注探索方法的强化学习策略。采用深度关注的确定性策略梯度算法,利用关注区域建议网络来选择预勘探区域消息,并通过自适应探索方法计算该消息,以随着目标的变化调整策略。根据末端执行器与预勘探区域中心之间的距离,定义分层奖励函数,用于减少稀疏奖励矩阵带来的杂项信息。在Bullet3环境下进行了训练,实验结果表明：所提策略能够克服训练过程中可能出现的稳定性差和收敛效率低的问题,能产生抗噪声干扰的鲁棒控制,且具有较高的抓取成功率。     

膨胀剂在复合胶凝体系中的水化动力学特性研究

通过等温量热法测试了复合胶凝体系的水化放热,基于Krstulovic-Dabic模型,讨论了膨胀剂对复合胶凝体系水化动力学特性的影响,并分析了复合胶凝体系水化过程。结果表明：复合胶凝体系第三放热峰主要由矿渣粉火山灰反应所致。钙质膨胀剂的掺入会提高复合胶凝体系加速期水化速率及水化放热量,延缓矿渣粉火山灰反应进程;镁质膨胀剂亦延缓了火山灰反应,但程度要弱。各组复合胶凝体系均符合Krstulovic-Dabic模型提出的NG-I-D水化历程,但矿物掺合料的存在影响了Ⅰ阶段的模拟精度;膨胀剂的掺入降低了复合胶凝体系的反应级数n及反应速率常数K1′、K2′,同时缩短了NG阶段,延长了Ⅰ阶段。     

白光LED背光驱动电路研究进展

白光LED应用于LCD面板背光源越来越广泛,其驱动电路随着LCD面板尺寸的增大也相应发展。阐述了从小尺寸面板的驱动电路到大尺寸面板的驱动电路的进展,分析了现有主要应用电路的结构和工作原理。中小尺寸LCD面板中的背光源驱动电路已经发展成熟,它采用DC-DC电源转换器与线性电流源相结合的电路结构;大尺寸LCD面板中的LED背光源驱动电路正在快速更新,围绕着提高电源转换效率和实现灵活准确调光的目标发展。     

一种低压快速瞬态响应的片上LDO

提出了一种低输入电压的快速瞬态响应片上低压差线性稳压器(LDO)。采用基于反相器的轨-轨输入运放作为误差放大器(EA)的输入级。EA后级采用大抽灌电流能力的STCB结构。LDO加入了高通耦合结构,实现了低输入电压和全负载范围下的快速瞬态响应。该LDO无需外加偏置网络就能实现自启动。在Dongbu 0.5 μm CMOS工艺下,LDO的输入电压为2.2~2.7 V,输出电压为2 V。仿真结果表明,在负载电容为100 pF、压差为200 mV的条件下,该LDO可稳定输出0.1~100 mA的负载电流,负载在0.5 μs范围内切换时的电压尖峰在310 mV以内。     

宽负载应用的自适应关断时间Boost电路

设计了一种新型自适应关断时间(AFT)模式Boost电路。不同于传统的采样输入/输出电压的自适应电路,该AFT模式Boost电路直接采用真实的占空比信息,设置了自适应比较点,解决了开关频率受负载电流影响的问题。基于0.5 μm CMOS工艺对电路进行仿真验证。结果表明,当输入电压在2.4~4.2 V、负载电流在0.3~1.2 A范围内变化时,该AFT模式Boost电路的工作频率稳定在967~972 kHz之间,频率变化范围仅为传统自适应电路的14.3%。     

一种基于电源纹波前馈的高PSR的LDO

功率管栅端寄生电容的存在使得LDO的电源抑制特性(PSR)在中高频段变差。在前馈纹波抵消技术的基础上,通过在误差放大器输出端与功率管栅端之间引入具有低输出阻抗的电压跟随器,拓展了PSR带宽,实现了中高频段的高电源抑制特性。采用箝位电路,进一步提高了重载下的环路增益,保证负载范围内LDO在中高频段均具有较高的PSR。基于0.5 μm CMOS工艺进行设计与仿真。结果表明,LDO的最大静态电流为80 μA,功率管的压差电压为150 mV,负载电流范围为50 μA~25 mA。在25 mA负载电流下,LDO的PSR在100 kHz时为-63 dB,在10 MHz时为-57.5 dB。     

GaN功率器件栅驱动电路技术综述

第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更高的开关频率和功率密度,显著提高系统的转换效率,特别适合电源模块小型化发展趋势。介绍了200 V以下低压GaN驱动电路的应用和关键技术。分析了从低压系统拓展到400 V以上高压系统时需要作出的优化与改进。详细介绍了高压GaN系统中基于无磁芯变压器耦合隔离的隔离驱动技术和耗尽型GaN负压栅驱动技术。最后,总结了目前高压GaN驱动电路在工业领域的具体应用。