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与传统探针相比,使用碳纳米管探针能探测到更精细的样本表面形貌,为减小针尖形貌和尺寸造成的测量误差提供了一个良好途径。然而,在普通探针上黏贴碳纳米管时总是难以避免地出现一个倾斜角度,它使得对刻线样本进行测量时只能获得单侧较精确的边墙数据,而另外一侧失真较大。提出一种双图像拼接方法,样本在经过一次测量以后被旋转180°,然后重新测量,分别保留两次测量中较好的一侧边墙测量数据,并把它们拼接成一幅更接近真实样本的图像。采用基于ICP算法的图像配准技术匹配两次测量图像,消除两次测量的位置偏差, 并应用双线性插值和最小二乘拟合方法对配准后的图像进行处理,计算得到更准确的线宽和边墙角等单刻线样本的特征尺寸值。 相似文献
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纳米尺度线宽的测量在半导体集成电路制造业、数据存储工业以及微机电系统等领域广泛应用。随着制造技术的进步,线宽的临界尺寸也变得越来越小,目前已经缩小至100nm左右。在这一尺度范围内,由于样本制造技术的限制和测量仪器的影响,很难得到精确的测量结果。针对目前纳米尺度线宽测量的研究状况,分析了这一领域的主要研究内容和面临的问题。 相似文献
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不锈钢中镍的测定方法,目前常采用重量法或络合滴定法(容量法)。重量法需要对处理后的样品在马弗炉中高温灼烧,浪费大量的电能,试验周期长;容量法因大量使用氨水,对试验者和环境都有很大的危害。为了克服上述两种方法的缺点,我们建立了采用比色法测定不锈钢中镍含量的方法,减少了对试验人员以及环境的危害,提高了分析速度。 相似文献
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基于AFM的刻线边缘粗糙度幅值与空间频率的表征方法 总被引:1,自引:1,他引:0
针对使用原子力显微镜测量纳米尺度半导体刻线边缘粗糙度的参数表征问题进行了研究.在对线边缘粗糙度的定义与现有测量方法进行分析的基础上,采用图像处理技术分析硅刻线的原子力显微镜测量图像的线边缘粗糙度特征,提出了线边缘粗糙度的幅值与空间频率的表征方法.其中幅值参数能够在一定意义上反映刻线边缘形貌的均匀性,而采用小波多分辨分析与功率谱密度函数(PSD)频谱分析相结合的空间频率表征方法,则有效地分析了侧墙轮廓边缘复杂的空间信息.实际测量结果表明,样本线边缘粗糙度的主要能量集中在低频区域,其主导空间频率为~0.04nm^-1,在低频部分约500nm特征波长上有最大的线边缘粗糙度分布. 相似文献
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分析了现有线边缘粗糙度(L ine Edge Roughness,LER)表征参数的不足,针对二维LER的表征参数信息量缺失,提出了基于子波中面的LER参数表征.子波理论给LER的综合评定提供了恰当的工具.利用子波在空间和频率域内都具有的定位特性,可以在任意细节上分析信号特征,且构造的子波基准线不存在拟合误差,可以分析LER来源,改进刻线边缘加工工艺.给出了基于子波分析的几个LER评定参数,并分析了这些参数如何应用于工艺和元件电气性能的表征. 相似文献
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现代集成电路制造业、数据存储工业和微机电系统等行业的不断发展,对纳米尺度线宽的测量提出了越来越高的要求。目前的一些测量方法分别存在各自的缺点与不足,在缺少更高准确度计量标准的情况下,往往采用比对的方法使计量结果趋于一致。国际计量局在1998年把纳米尺度线宽计量确定为纳米尺度基本特征国际关键比对项目之一。文章对它的主要研究内容以及进展情况作了介绍。 相似文献
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