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时至今日国外企业ERP实施的成功率依然较低。国外学者对ERP实施的关键成功因素做出了深入研究。然而由于应用环境的差异,与国外企业相比,我国企业ERP实施的关键成功因素有所差别。企业实施关注的重点同样有所不同。为此,文章提出我国企业ERP实施的关键成功因素的体系架构,并从组织管理、业务应用、产品技术、人员团队、教育培训、项目管理、和文化冲突等多方面详细分析了ERP实施的重点及难点,为我国企业成功实施ERP提供了指南。 相似文献
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AFM探针的形貌和尺寸对纳米尺度线宽的测量有较大影响.首先建立了一个基于最小二乘的应用于AFM测量技术的线宽计量模型,并使用三种不同探针在NanoScopeⅢa型AFM上对设计线宽尺寸为1000nm的样本进行了测量.应用该模型和算法对线宽进行计算,揭示出探针尺寸对线宽测量结果的影响以及该模型对探针尺寸的依赖性. 相似文献
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用于减小控制对测量影响的AFM新工作模式 总被引:3,自引:1,他引:2
原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)是纳米尺度线宽成像和测量的重要工具.但系统的非线性和控制器参数选择的多样性导致AFM控制的不确定性,影响了AFM测量结果的精确性和重复性.为克服这个缺点,分析了AFM的测量原理和工作模式的特点,在此基础上提出了一种新的工作模式——补偿模式.在这种工作模式中,结合了扫描器和悬臂梁的位置信息而得到被测试样表面的形貌图像.与恒力接触模式相比,在补偿模式下,AFM能够在高速度下以更好的精确性和重复性进行成像和测量.仿真和实验结果证明了这种新工作模式的可行性和适用性.实验结果说明该工作模式可以提高扫描速度16倍或减小均方根误差到约1/5. 相似文献
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现代集成电路制造业、数据存储工业和微机电系统等行业的不断发展,对纳米尺度线宽的测量提出了越来越高的要求.目前的一些测量方法分别存在各自的缺点与不足,在缺少更高准确度计量标准的情况下,往往采用比对的方法使计量结果趋于一致.国际计量局在1998年把纳米尺度线宽计量确定为纳米尺度基本特征国际关键比对项目之一.文章对它的主要研究内容以及进展情况作了介绍. 相似文献
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为了解决微电子制造技术中纳米尺度半导体刻线边缘粗糙度(line edge roughness, LER)的测量问题,笔者提出了基于平稳小波变换的线边缘粗糙度分析方法.首先,使用原予力显微镜测量硅刻线形貌,通过图像处理与阈值方法提取出线边缘粗糙度特征.然后采用基于平稳小波变换的多尺度分析确定线边缘粗糙度特征的能量分布,给出了线边缘粗糙度的多尺度表征参数,包括特征长度和粗糙度指数.仿真出具有不同粗糙程度的线轮廓,计算出其粗糙度指数分别为0.72和6.05,表明该方法可以有效地反映出线边缘的不规则程度,并提供直观的LER空间频率信息.对一组硅刻线的测量数据进行处理,得到其特征长度和粗糙度指数分别为44.56nm和12.17.最后,采用该方法对使用3种不同探针和3组不同扫描间隔的测量数据分别进行分析,结果表明该方法可以有效地量化表征线边缘粗糙度. 相似文献
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