双单片机控制电力专用UPS的研究

对常规UPS在电力系统使用的局限性进行了比较分析 ,提出了一种新的电力专用UPS。该UPS以C5 0 8和P89C5 1RD2单片机为控制核心 ,采用SPWM控制方式和IPM智能功率模块。着重介绍了该UPS的工作原理以及硬件与软件设计     

纳秒级上升时间的高压脉冲群电源

按照IEC 61000-4-4/GB 17626.4—1998的要求，首先应用PSPICE仿真确定电路中各元件的参数值，然后基于拉普拉斯变换用MATLAB求解二阶电路验证各元件参数。在此基础上研制了一台以开关电源作为高压直流电源、以氢闸流管作为主控开关的脉冲群电源。该电源体积小、重量轻、效率高、成本低廉。试验结果表明，其输出信号符合标准要求，可用于快速瞬变脉冲群抗扰度试验。     

真空电弧涂镀TiN膜中宏观颗粒的电镜分析

用扫描电镜（ＳＥＭ）分析了真空电弧沉积ＴｉＮ膜中宏观颗粒（ＭＰ）的形态，并对观察结果给出了理论解释。电镜分析表明，ＴｉＮ膜中ＭＰ的形态与其粒径有关，粒径大的呈椭球形，粒径小的呈圆球形；ＭＰ与膜层之间有微小孔隙。理论分析表明，形成ＭＰ的液滴在飞行中温度降低的幅度是决定其形态的主要因素。     

真空开关电弧电子温度诊断的实验研究

金属蒸气等离子体是真空开关电弧的基本状态,为了实现对其等离子体电子温度诊断,提高真空开关的工作性能,本文提出了基于光学方法真空开关电弧电子温度诊断技术,阐述了二比色测温的基本原理,建立了真空开关电弧实验装置及相应的CCD光学图像采集系统。利用该实验系统得到了不同波长下的电弧图像,运用MATLAB经过图像处理得到真空电弧的灰度等值曲线,形象地表达了温度场的分布;通过计算得到了电子温度在不同电流下沿着径向的分布。试验结果表明:(1)在电弧电流为8.91kA时,电子温度最高可达3.42eV;(2)电子温度沿着径向不断的降低。     

真空灭弧室冲击电压作用下的击穿统计特性研究

本文实验研究了高压代灭弧室在冲击电太作用下的击穿统计特性，实验结果表明，击穿电压的统计分布满足威尔统计分布律，击穿事件的发生只有在电场应力达到一定值后才有可以，引入击穿弱点的概念，从微观角度对该统计性质作了深入的说明，同时还测量５０％击穿电压Ｖ５０随电极开距ｄ的变化，通过最小二乘法得出Ｖ５０∝√ｄ，说明此时灭弧室中的周穿过程主要由同微粒作用引发的。     

CuCr触头材料制造工艺的现状与新发展

概述了真空开关所用的CuCr触头材料制造工艺中的粉末冶金、真空熔炼等制造工艺的特点和存在的问题,并着重介绍了等离子体技术在CuCr材料制造中的应用。     

真空灭弧室耐压水平的改进和提高

分析了真空灭弧绝缘击穿的物理机理，提出了击穿弱点的概念，指出真空灭弧室的绝缘击穿是击穿弱点在电场应力作用下结果，提出了提高真空灭弧室耐压水平的两个相应的措施。     

热等离子体技术在真空开关铜铬触头材料制造中的应用

介绍了热等离子体技术的简单原理及其在制造真空开关用铜铬触头材料中的应用，对现阶段采用粉末冶金及真空熔炼等工艺制造铜铬触头材料的特点和存在的问题作了简单的评述。     

真空电弧镀膜中金属液滴的热过程研究

本文建立了真空电弧镀膜中液滴热过程的理论模型，求解了沉积ＴｉＮ膜过程中液滴的温度与粒径变化。计算表明，液滴在飞行过程中温度和粒径不断减小；粒径较小的液滴温度降低较大，甚至可能发生凝固。计算实例能较好解释早期ＴｉＮ膜的电镜分析结果，揭示液滴在薄膜中引起两种不同微孔的机理。