非对称量子阱中线性和三阶非线性光吸收系数的研究

主要研究了一个特殊非对称量子阱中的线性和三阶非线性光吸收系数。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了线性和三阶非线性光吸收系数的表达式，然后以典型的非对称量子阱GaAs／AIGaAs材料为例作了数值计算。数值结果表明，入射光强以及系统的非对称性对总的光吸收系数有比较大的影响，从而为实验研究提供理论依据。     

冰上运动馆建筑创作的地域性表达实践——第十四届全国冬运会内蒙古冰上运动训练中心设计

<正>20世纪以来全球化影响和对现代性的追求,使得地域间的差异性与多元化逐渐减弱,文化趋同和特色危机与日俱增。冰上运动馆是国际标准化及高科技集成的特殊体育建筑类型。我国多数场馆建设以大事件为引领,崇尚技术追随形式的攀比而对地域性思考不足,高投入与强竞争造成冰上场馆荣耀与危机并存,     

3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon–germanium heterojunction bipolar transistors

This paper presents 3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in domestic silicon-germanium heterojunction bipolar transistors （SiGe HBTs）. 3D damaged model of SiGe HBTs single-event effects （SEE） is built by TCAD simulation tools to research ions angled strike dependence. We select several different strike angles at variously typical ions strike positions. The charge collection mechanism for each terminal is identified based on analysis of the device structure and simulation results. Charge collection induced by angled strike ions presents a complex situation. Whether the location of device ions enters, as long as ions track through the sensitive volume, it will cause vast charge collection. The amount of charge collection of SiGe HBT is not only related to length of ions track in sensitive volume, but also influenced by STI and distance between ions track and electrodes. The simulation model is useful to research the practical applications of SiGe HBTs in space, and provides a theoretical basis for the further radiation hardening.     

12位125MSPS 模数转换器总剂量效应研究

This paper presents the total ionizing dose test results at different biases and dose rates for AD9233, which is fabricated using a modern CMOS process. The experimental results show that the digital parts are more sensitive than the other parts. Power down is the worst-case bias, and this phenomenon is first found in the total ionizing dose effect of analog-to-digital converters. We also find that the AC as well as DC parameters are sensitive to the total ionizing dose at a high dose rate, whereas none of the parameters are sensitive at a low dose rate. The test facilities, results and analysis are presented in detail.     

特低渗储层PQ区试井资料解释方法研究及应用

对于低渗透、特低渗透油藏，压力恢复曲线往往不出现径向流，不能求地层压力和其他参数。根据叠加原理和van Enverdingen ＆ Hurst的叠加函数理论，提出了新的解释方法。用该方法能有效解释早期段测试数据，同时还解决了其他早期段分析方法不能求地层压力的矛盾。     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

促细胞凋亡方法的建立

细胞凋亡在保证多细胞生物生长发育过程中扮演着重要角色,其在医学领域也有很大的发展空间,对于肿瘤等疾病可以通过诱导突变细胞自主凋亡的思路来治愈疾病。在细胞凋亡过程,抗凋亡因子具有重要的调控作用,因此靶向这些分子可以人为干预细胞凋亡。本研究设计了利用计算机辅助药物设计的方法发现促细胞凋亡药物分子的研究方案,在广泛调研文献的基础上,了解抗凋亡因子Bcl-2家族、p53、c-FLIP,P13K-AKT参与细胞凋亡过程的作用机理,筛选出候选药物靶标,结合计算机辅助药物的方法寻找潜在药物分子,再运用流式细胞仪检测细胞凋亡率,最终筛选出促细胞凋亡的最佳药物分子,该方案为之后的实验和理论研究奠定基础,帮助探索治疗恶性肿瘤等疾病的可能方法。     

γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究

针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题,开展射线对中波碲镉汞（HgCdTe）光伏器件暗电流影响的研究。在室温和77 K温度下,利用60Co-射线对HgCdTe器件进行辐照试验,辐照试验结束后对低温辐照器件进行77 K低温退火和室温退火。通过比较辐照前后和退火后器件的I-V特性、R-V特性和零偏动态电阻R0参数,分析了辐照对HgCdTe器件暗电流的影响机制。试验结果表明:在总剂量为7 Mrad（Si）照条件下,器件暗电流未出现明显的退化;在77 K温度辐照条件下,器件暗电流随着总剂量的增加而增加,且暗电流退化幅度与辐照过程中的偏置有关。研究表明暗电流的退化源于辐照在器件中造成电离损伤,导致器件HgCdTe化层中的界面态和空穴陷阱电荷密度增加。     

国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS

研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律.实验结果表明,在100 rad(Si)/s和0.01 rad(Si)/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad (Si)时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和.相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间.两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS),且在反偏下ELDRS更显著.并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨.     

电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应

对东芝公司生产的TCD1209D线阵电荷耦合器件(CCDs)进行了60Coγ和1 MeV电子辐照实验,获得了CCDs的像元信号输出波形、像元光强量化值及器件功耗电流随辐照剂量的变化规律。比较了两种射线产生的CCDs辐射损伤。结果显示,60Coγ和1 MeV电子导致的CCDs辐射损伤不仅在程序上存在差异,而且二者的表现形式也有所不同。分析了电离辐射和位移损伤对CCDs内部不同单元的影响,表明了电子辐照产生的位移损伤是造成上述差别的重要原因。