MIPS内存管理单元的设计与实现

设计MIPS32 4kc处理器内存管理单元(MMU),该模块对处理器地址进行合法性检查,并按照不同的地址空间对虚拟地址进行静态或动态映射。在硬件上采用三级流水线方式实现JTLB,并为处理器指令端口和数据端口设计相应的快表以提高TLB的查询速度。MMU与总线接口模块的时序采用简化的AMBA协议,与处理器进行联合调试并运行Linux操作系统,同时在功能上通过FPGA验证。该模块经过DC综合后,面积约为32K等效逻辑门。     

基于边缘信息C_V模型的医学图像分割方法

图像分割是医学处理中的重要研究内容之一,提出一种基于边缘信息的改进的C_V模型的医学图像分割方法.在模型中增加了表征边界特征的项,利用图像的边界信息与区域信息为分割服务,克服了传统C_V模型不能利用图像的梯度信息的不足.并对C_V模型的区域信息项进行了改造,改变了传统C_V模型中均值取值的定义,提高了对灰度层次丰富的图像分割能力.增加了距离函数惩罚项,将距离函数重新初始化的过程并入整个水平集框架模型中,极大地提高了曲线演化与分割速度.实验表明该模型是有效的医学图像分割方法.     

针对SoC系统的Cache攻击方法及建模分析

针对SoC平台,提出并实现了一种高效的基于Cache的AES旁道攻击方法.该方法利用AES软件运行过程中查找表操作泄漏的时间信息,结合AES算法前两轮的特征,快速确定攻击表与AES查找表间的映射关系,并最终恢复出全部128b密钥.基于此攻击方法,在充分考虑各种系统噪声影响的情况下,进一步提出了一种统计分析模型.该模型揭示了上述攻击方法的内在机理,并能够较为准确地估算攻击所需的最小样本数.该模型的重要意义在于不仅可以用来衡量特定SoC系统的抗攻击能力,同时为抗攻击研究指明了方向.     

面向无线局域网安全领域的片上网络多核架构

在计算机系统和通信网络中,安全协议和密码算法用于保护敏感信息,但如何快速计算上述协议和算法成为难题。为此,提出一种面向无线局域网安全领域的片上网络多核架构。该片上网络架构包括4个类MIPS的精简指令集处理器和12个面向安全领域的专用指 令集处理器(ASIP)。每个ASIP中含有一个改进的并行查找表用来加速高级加密标准算法。该架构凭借任务并行能够获得较高的计数器模式密码块链消息完整码协议吞吐率。在SMIC 0.13 μm标准CMOS工艺下,实现该架构需要约308万等效门。实验结果表明,该系统的最大工作频率为84 MHz,能获得787 Mb/s的吞吐率。     

变压器直流电阻不平衡原因及分析

1引言三相变压器绕组的直流电阻不平衡是变压器试验中的一项重要性能参数,它的大小影响到变压器三相线圈的电压、电流的平衡。国标GB6451.1—86,GB6450—86中规定,对于10kV级,容量1600k V A(干式变压器2500kVA)下变压器,其相直流电阻不平衡率为4%,线电阻不平衡率不为2%,并注明:如果三相变压器的直流电阻值由于线材及引线结构等原因超过规定值,应写明引起这一偏差的原因,同时出厂试验报告中应给出具体实测值,使用单位用验收试验值与出厂值进行比较,偏差不超过2%。从整个变压器的制造工艺来看,对于容量1000kVA以上变压器的低压绕组而言直流电阻不平衡又极容易出现,不平衡可分为结构及材质引起的和变压器本身缺陷引起的两种情况。2变压器本身缺陷引起的不平衡率超标(1)绕组在制造过程中的焊接引起的虚焊、假焊,采用冷压焊时的接触不良等情况。(2)多根导线并联时存在断根,或多根中有一根焊接不良。(3)有载开关或无励磁分接开关接触不良。(4)绕组中存在匝间短路。(5)绕组的几何尺寸出现较大偏差。(6)绕组匝数有误差。3绕组导体材质或结构引起的直流电阻不平衡3.1导体本身的导电率超标,引起变压器的直流电阻不...     

一种新型的节能变压器——非晶合金变压器

1引言在电力系统中,发、供、用电过程的电能损耗主要包括线路损耗和变压器损耗两大部分。整个线路除有一定数量的输电变压器外,还有运行在电力系统末端的配电变压器,其总数量和总容量所占的比例很大,是配电网中不可缺少的主要设备,分布面非常广泛。目前国家正在不断进行电网建设和改造,配电变压器由原先的S7系列,升级为S9系列,到目前的S11系列,主要都是围绕降低配电变压器的损耗进行的。变压器从S7到S11的过程中主要依靠提高变压器导电材料——铜导线和导磁材料——硅钢片的用量来实现的,具有一定的社会效益,同时也有一定的局限性。寻求新…     

InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究

利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生长了InGaN／GaN多量子阱（MQW）蓝光发光二极管（LED），研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明，随着Cp2Mg流量的提高，漏电流升高，并且到达一临界点会迅速恶化；正向压降则先降低，后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量，结果表明，生长p-GaN盖层时，Cp2Mg流量过低，盖层的空穴浓度低，电学特性不好；Cp2Mg流量过高，则会产生大量的缺陷，盖层晶体质量与表面形貌变差，使得空穴浓度降低，电学特性变差。因此，生长p-GaN盖层时，为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求，Cp2Mg流量应精确控制。     

基于CRT的低成本RSA芯片设计

提出了一种基于改进的Montgomery算法和中国剩余定理(CRT)的RSA签名芯片的VLSI实现.由于采用了新颖的调度算法,实现了用576b的模乘单元来完成1152b的RSA模幂运算,从而大大降低了芯片面积;此外,CRT的引入使得整个系统的数据吞吐率与传统的1024bRSA系统相当.实验结果显示:芯片完成一次1024b的模幂运算需要约1.2M个时钟周期,而芯片规模在54K个等效门以下;如果系统时钟频率选取40MHz,系统签名速率可以达到30Kbps.     

蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响

利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0～0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析.结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性,并且存在一个衬底最优斜切角度0.2°,此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好.     

电影摄影镜头的成像质量评定

电影摄影镜头是摄影机的眼睛，是电影摄影系统中最重要的部分之一，也是电影摄影师进行艺术创作的主要工具。镜头成像质量的好坏或者说镜头校正质量的好坏，直接影响着一部影片的技术质量和艺术影调的完美再现。在这一点上，技术人员应该是最清楚的。几乎每一部电影拍摄之前，技术人员都要认真地对即将投入生产的摄影机镜头的成像质量来进行“认可”，实质上这就是一个依据自己的经验对镜头的成像质量进行评定的过程。