HD2103锁相同步及电机稳速电路的研制

本文介绍了ＨＤ２１０３锁同步及电机稳速电路的工作原理，设计及研制中对关键问题的解决方法，并详细叙述了ＡｌＮ陶瓷基片在功率电路中的应用。     

基片温度对SnO_2超微粒薄膜气敏特性的影响

在基片温度180℃溅射淀积的SnO_2超微粒薄膜,内应力较小,含有很多微孔,对乙醇有很高的灵敏度。     

高阻抗半导体桥雷管

装有半导体桥起爆组件（35）的雷管（10）的起爆与点火药（18）有关。半导体桥起爆组件（35）的两电极（62a,62b)间有一个半导体桥（60）起爆元件（36）。半导体桥（60）应具有至50Ω的电阻，48，600-600，000μm^3的体积并要有2μm的标准厚度。通过输入引线（26a,26b)传递给起爆组件（35）超过200mA的发火电流半导体桥引燃点火药（18）。     

基片开槽抑制SAW滤波器体声波的工艺研究

当叉指换能器在基片上激励声表面波模式时，同时伴随着体声波的激励。文章根据叉指换能器的激励原理，采取对压电基片背面开槽抑制叉指换能器体声波进行了实验研究。分别在ST、LT、LN压电基片上背面开槽并制作了中心频率为28MHz、70MHz、71MHz、120MHz声表面波滤波器。实验观察了体声波的抑制情况，并得出了具体实验数据。     

高纯氧化铍陶瓷基片及金属化研究

氧化铍陶瓷原料纯度、杂质含量、煅烧温度、颗粒度分布、成型方法、烧结曲线陶瓷基片十分重要.特别是成瓷后的基片晶粒大于45 μm,直接影响抗折强度、体积密度、金属化抗拉强度(晶粒粗大抗拉强度低于30 MPa),氧化铍陶瓷基片采用轧膜成型,由于轧膜成型具有方向性,坯件中水分含量控制不严(南方坯件容易吸潮),烧成坯件有收缩变化,使基片产生开裂变形及翘曲,对金属化印刷、电镀及键合强度具有不同程度的影响.本文通过原料制备、成型、烧成等工艺进行研究控制,使氧化铍陶瓷基片及金属化的合理性、稳定性得到进一步提高和完善.     

生丝匀度,类节的计算机检测系统

利用光电传感器，数据采集板及计算机等，建立一套生丝匀度与类节的计算机检测系统，并通过与乌斯特匀度仪作对比测试，探讨了系统的可靠性。     

玻璃基片的机械强度

本文研究了三种具有不同厚度和表面缺陷深度的抗压层的化学增强玻璃对用作存储磁盘的基片的适合性。抗压层的厚度由15～40μm 变化到120～160μm。测量了旋转断裂强发和三点弯曲强度并且用维泊尔统计法分析了测试数据。对于具有120～160μm厚抗压层的玻璃获得的维泊尔模量为50,与常规陶瓷的维泊尔模量相比,这是一个极高的值。深度小于20μm的表面缺陷似乎不会降低具有120μm厚抗压层的玻璃的强度,因而这样的玻璃对用作高度可靠的玻璃基片来说应当是合适的。     

氮化铝陶瓷基片制造工艺稳定性研究

本文讨论了影响ＡｌＮ制造工艺稳定性的几个因素。得到一种具有热导率大于１００Ｗ／ｍ．Ｋ，成品率约为８５％的ＡｌＮ基片较为稳定的制造工艺。