混凝土泵车泵送系统缓冲效果仿真研究

为了减小混凝土泵车工作时的液压冲击,分析混凝土泵车泵送系统工作原理,利用功率键合图方法建立某款混凝土泵车泵送系统的仿真模型,在验证模型准确的基础上,对该系统缓冲结构中不同孔径阻尼孔的缓冲效果进行对比仿真.结果表明:缓冲效果与阻尼孔的孔径有直接关系,孔径越大活塞的顶缸速度越小,系统工作时的液压冲击与振动越小,但却增加了换向时间,从而降低了泵送频率,影响了工作效率.在实际设计中应综合考虑这两方面因素,适当地选择阻尼孔的孔径.     

彩色显像管屏凹模上下键槽尺寸及对称度的工艺控制

结合深圳赛格三星股份有限公司工装处屏模具设计和制造的实际情况,介绍了屏凹模上、下键槽尺寸及对称度的工艺控制,着重介绍了其设计要求、数控加工中所遇到的问题及解决方法。     

一种圆锥面无键联接接触压力和应力的解析计算方法

推导了计算圆锥无键联接的接触压力的解析公式,给出了心轴和套筒轴的径向应力、轴向应力、切向应力、Mises等效应力以及压入轴向力的方程.对解析解与等效直径的圆柱面无键联接近似解法、有限元法的计算结果进行了比较.在不考虑端部应力集中时,3种方法计算出的接触压力和Mises等效应力结果差别不大.进一步验证了近似解法的可行性,并为计算圆锥联接传递的扭矩和胀紧套的应力分析提供了依据.     

用于固体火箭发动机药浆浇注的阀控式液压激振系统的建模

论述了阀控式液压振动技术在某型号固体火箭发动机药浆浇注系统中的应用,对这种新型的旋转阀控式液压激振系统的控制原理进行了分析,并运用键合图理论进行了液压系统建模,推导出系统状态方程,绘制了Simulink模型。     

一种汉字实时输入显控系统设计

为使用少量按键实现汉字实时输入与显示功能,设计一种基于单片机的汉字实时输入显控系统.系统采用4×4行列式键盘及液晶显示模块RT12864M,完成单片机对键盘的读取、识别、复键处理、汉字查找及液晶显示等所有程序的编写并通过伟福仿真器调试了所有程序.实践证明该系统结构简单、成本较低、组成灵活、易于扩展,可应用于实时大量输入...     

10000号门户助力缩短10000号平均通话时长的研究

主要针对上海电信10000号客服代表使用的业务系统过多、界面繁琐、操作效率低、通话时间长的问题,提出解决方案,即＂10000号门户＂中＂一屏展现＂、＂一键办理＂、＂投诉报障在线处理＂等功能亮点以及在项目建设中总结的技术经验。同时通过使用10000号门户前后的操作步骤和时长对比说明系统的应用效果。     

硅圆片多层直接键合工艺研究

多层圆片键合是实现三维垂直互连封装的重要工艺步骤。利用紫外辅助表面活化技术,实现了多层硅圆片的直接键合。实验将清洗后的硅圆片放置在紫外光下进行照射,经过3min的光照后显著提高了表面能,在不借助外力及电压的情况下,实现了自发性的预键合。通过红外透射观测键合界面,发现键合界面中心区无明显缺陷;对界面横断面的直接观测表明键合过渡层十分薄,证明了多层硅圆片已经结合成为一个整体,其键合工艺可应用于三维垂直通孔互连中。     

真三维虚拟演播室系统应用与技术

介绍了华视恒通公司的真三维虚拟演播室系统(VS-TVSCENE),该实时广播级虚拟演播系统内置多通道色键抠像卡,多通道视音频逐帧延时器,可实现完全独立参数控制的多机位虚拟演播系统.系统采用机械光栅旋转编码器跟踪技术,模块化设计,操作方便.采用实时双路三维虚拟大屏幕电视墙,且具有功能强大的三维虚拟渲染引擎.     

铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究

由于铜线具有较高的热导率、卓越的电学性能以及较低的成本,被普遍认为将逐渐代替传统的金线而在IC封装的键合工艺中得到广泛的应用。铜线键合工艺中Cu/Al界面金属间化合物(IMC)与金线键合的Au/Al IMC生长情况有很大差别,本文针对球焊键合中键合点的Cu/Al界面,将金属间化合物生长理论与分析手段相结合,研究了Cu/Al界面IMC的生长行为及其微结构。文中采用SEM测试方法,观察了IMC的形貌特点,测量并得到了IMC厚度平方正比于热处理时间的关系,计算得到了生长速率和活化能数值,并采用TEM,EDS等测试手段,进一步研究了IMC界面的微结构、成分分布及其金相结构。     

铌酸锂晶片的键合减薄及热释电性能研究

铌酸锂(LN)作为一种热释电材料,可以被用于制作光电探测器敏感单元的敏感层,但通常LN晶片厚度为0.5 mm,远大于光电敏感单元厚度的要求,所以需要用键合减薄及抛光技术对LN晶片进行加工处理。本研究所用键合减薄技术主要包含:RZJ-304光刻胶键合、铣磨、抛光、剥离液剥离和丙酮清洗RZJ-304胶。利用该技术加工得到了面积为10 mm×10 mm,厚度为50μm,表面比较光滑,表面粗糙度为1.63 nm的LN晶片。LN晶片的热释电信号峰峰值在减薄抛光后为176 mV,是未经处理时的4倍,满足了热释电探测器敏感层的要求。