无铅BGA封装可靠性的力学试验与分析

着重研究了机械冲击和应力对无铅BGA封装焊点可靠性的影响,介绍了BGA封装的可靠性力学试验(跌落、弯曲试验)及其分析方法.通过对力学试验中失效焊点的分析以及借助ANSYS模拟工具,找出引起失效的根本原因,为开发性能更好、高可靠性的无铅材料、改进无铅工艺提供依据.     

铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究

由于铜线具有较高的热导率、卓越的电学性能以及较低的成本,被普遍认为将逐渐代替传统的金线而在IC封装的键合工艺中得到广泛的应用。铜线键合工艺中Cu/Al界面金属间化合物(IMC)与金线键合的Au/Al IMC生长情况有很大差别,本文针对球焊键合中键合点的Cu/Al界面,将金属间化合物生长理论与分析手段相结合,研究了Cu/Al界面IMC的生长行为及其微结构。文中采用SEM测试方法,观察了IMC的形貌特点,测量并得到了IMC厚度平方正比于热处理时间的关系,计算得到了生长速率和活化能数值,并采用TEM,EDS等测试手段,进一步研究了IMC界面的微结构、成分分布及其金相结构。     

红外发光显微镜及其在集成电路失效分析中的应用

随着超大规模集成电路的发展,半导体芯片中元器件的特征尺寸越来越小,已经进入了深亚微米时代.近几年新发展起来的红外发光显微镜技术,能利用集成电路(IC)器件中大多数缺陷都呈现微弱红外发光的现象,迅速准确地定位失效点,成为对IC进行失效缺陷定位的有力工具.本文介绍了半导体的发光机理,红外发光显微镜的基本结构、主要部件及技术特点.通过对两个IC失效样品的分析实例,介绍红外发光显微镜及其补充技术--激光束诱导电阻率变化测试技术在IC失效分析中的具体应用.     

聚焦离子束诱发金属有机化学气相淀积碳-铂薄膜

通过一系列实验,对聚焦离子束诱发MOCVD的成膜机理进行了研究,给出了淀积速率同离子束流等参数之间关系的理论模型.发现随着离子束流的增大,薄膜淀积速率增大,但并非完全线性增加,薄膜中的C/Pt比例也随之变化,薄膜电阻率则随之降低,最后趋向恒定.研究结果对实际工作中的工艺参数选取和薄膜电学性质的改进都有一定价值.     

ROS高精度Cr-Si薄膜电阻网络及其应用

硅上高精度薄膜电阻(ROS)不仅是一种新型的混合集成电路电阻元件,而且,由于其工艺能与双极型和CMOS工艺相兼容,因而也是单片集成电路中高精度电阻网络制作的理想技术.本文介绍了ROS工艺及其在12位硅栅CMOS D/A转换器中的应用.     

镀钯铜线键合中FAB表面的钯覆盖

铜引线键合由于低廉的成本和优良的材料综合性能而受到越来越多的重视,而镀钯铜线较纯铜线的应用更为广泛。其中,自由空气球(FAB)上钯的覆盖情况是需要进行研究的问题之一。由于烧球工艺为瞬态过程,因此在形成FAB后其表面的钯可能会出现不均匀的分布,后续的塑封环节中低含量的钯区域就会遭受外界的侵蚀,这对焊点的可靠性会有不良的影响。基于此,针对线径20μm镀钯铜线FAB上的钯覆盖区域进行了探究,并采用定制化的化学腐蚀方案来显示FAB上钯膜较厚区域和较薄区域在形貌上的差异。此外还讨论了不同电子火焰熄灭(EFO)工艺参数样品的钯薄弱区形状参数,最后分析了影响FAB表面上钯薄弱区的主要工艺因素,得到了相关工艺参数参考值,对后续工艺的可靠性提升有一定的借鉴意义。     

电子封装面临无铅化的挑战

随着环境污染影响人类健康的问题已成为全球关注的焦点,电子封装业面临着向“绿色”无铅化转变的挑战,采用无铅封装材料是电子封装业中焊接材料和工艺发展的大势所趋。本文主要介绍了电子封装无铅焊料以及其他辅助材料的研究现况,并对无铅BGA封装存在的可靠性问题进行了讨论,进而指出开发无铅材料及工艺要注意的问题和方向。     

聚焦离子束刻蚀性能的研究

对聚焦离子束（FIB）的基本刻蚀性能进行了实验和研究．通过扫描电镜对FIB刻蚀坑的观测,给出了在不同材料上（硅、铝和二氧化硅）FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系．由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因素对离子束溅射产额的影响,从而影响着离子束的刻蚀速率;随着离子束流的增大,刻蚀速率并非线性增加,且刻蚀坑的形貌越来越不均匀,对此也作了系统的分析和探讨．     

无定形硅透明掩模版的制备及其性能

复旦大学电子工程系