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应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。 相似文献
102.
《水力发电学报》2022,(11):I0001-I0001
一、本学报刊载与水力发电有关的学术论文,主要包括水文水资源与水电站优化运行,水力学、水环境与水生态,河流海岸动力学,岩土力学与工程,水工结构、材料与施工管理,水能与水力机械,海洋能发电工程,遥感水文与水利大数据等领城的研究性成果。二、稿件要求:1.论文稿件通过网上直接投稿,网址:www.slfdxb.cn.来稿文字应明了简练,每文均应有中英文園目。摘要及关键词。中图分类号、作者姓名。工作单位及邮政编码:并在首页注脚处附第-.作者和通信作者简介及E-mail地址。若有基金资助,写明基金项目名称及编号。有关论文写作及格式和文字的具体要求,请参考“论文模板”(由网站“下载中心”下载)。 相似文献
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106.
为探索生物活性未知的双对苯醌(2,7-dihydroxy-3,6,9-trimethyl-9H-xanthene-1,4,5,8-tetraone,DTXT)的抗氧化活性,并提高其发酵产量,考察DTXT的还原力以及对超氧阴离子自由基、羟自由基、1,1-二苯基-2-三硝基苯肼(1,1-diphenyl-2-picrylhydrazyl,DPPH)自由基的清除效果,在单因素试验基础上,采用响应面法优化了DTXT产生菌瓶生顶孢霉(Acremonium cavaraeanum)CA022菌株的固体发酵培养基。结果表明:在200 μg/mL质量浓度下,DTXT的还原力与芦丁差异不显著,高于VE和2,6-二叔丁基-4甲基苯酚,对超氧阴离子自由基清除率达到67.00%,对羟自由基清除率达到78.83%,对DPPH自由基清除率达到76.53%。通过响应面试验,得到最佳培养基配方为葡萄糖0.773%、硝酸钠0.185%、H3BO3 0.032%、VB1 100 μg/100 g,在此条件下实际获得的DTXT产量为4 150.8 mg/kg,是优化前产量的(2 864.83 mg/kg)1.45 倍。 相似文献
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108.
微屏蔽线在使用过程中难免会产生变形。本文利用矢量有限元法讨论了矩形微屏蔽线和V形微屏蔽线的变形对其传输特性的影响,其中传输特性包括主模截止波长、单模带宽和主模电场结构。计算结果显示,两种微屏蔽线的变形对三种传输特性均有较大影响,这些数值计算结果对两种微屏蔽线在使用过程中出现变形时对整体器件的影响有较强的指导意义。 相似文献
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针对高帧频、全局曝光和光谱平坦等成像应用需求,设计了一款高光谱成像用CMOS图像传感器。其光敏元采用PN型光电二极管,读出电路采用5T像素结构。采用列读出电路以及高速多通道模拟信号并行读出的设计方案来获得低像素固定图像噪声(FPN)和非均匀性抑制。芯片采用ASMC 0.35μm三层金属两层多晶硅标准CMOS工艺流片,为了抑制光电二极管的光谱干涉效应,后续进行了光谱平坦化VAE特殊工艺,并对器件的光电性能进行了测试评估。电路测试结果符合理论设计预期,成像效果良好,像素具备积分可调和全局快门功能,最终实现的像素规模为512×256,像元尺寸为30μm×30μm,最大满阱电子为400 ke^(-),FPN小于0.2%,动态范围为72 dB,帧频为450 f/s,相邻10 nm波段范围内量子效率相差小于10%,可满足高光谱成像系统对CMOS成像器件的要求。 相似文献
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