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101.
102.
为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。 相似文献
103.
高博 《电子产品维修与制作》2010,(14):35-35
众所周知,Windows XP、Vista等系统内置了Internet时间校准功能,默认设置是每周对时一次,但在实际使用过程中,往往因为主板CMOS电池电力不足或其他的原因,造成系统时间不准确,因此,我校搭建了一个本地网络的授时服务器。 相似文献
104.
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107.
108.
109.
例1故障现象:VFD屏不亮,也无开机画面。分析与检修:观察保险管3F1已熔断且发黑,判断开关电源有严重短路。测量发现场效应开关管3IC2D-S极间正、反向阻值为0Ω,说明已击穿,电流取样电阻3R7、3R8也烧煳开路。当开关管被击穿时,不能简 相似文献
110.
1.外貌的检查通过观察变压器的外貌来检查是否有明显异常现象:如线圈引线是否断裂、脱焊,绝缘材料是否有烧焦痕迹,铁芯紧固螺杆是否有松动,硅钢片有无锈蚀,绕组线圈是否有外露等。 相似文献