全文获取类型
收费全文 | 1040篇 |
免费 | 99篇 |
国内免费 | 63篇 |
专业分类
电工技术 | 229篇 |
综合类 | 62篇 |
化学工业 | 120篇 |
金属工艺 | 91篇 |
机械仪表 | 75篇 |
建筑科学 | 44篇 |
矿业工程 | 107篇 |
能源动力 | 23篇 |
轻工业 | 43篇 |
水利工程 | 75篇 |
石油天然气 | 20篇 |
武器工业 | 8篇 |
无线电 | 49篇 |
一般工业技术 | 84篇 |
冶金工业 | 64篇 |
原子能技术 | 37篇 |
自动化技术 | 71篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 18篇 |
2022年 | 29篇 |
2021年 | 29篇 |
2020年 | 37篇 |
2019年 | 43篇 |
2018年 | 54篇 |
2017年 | 27篇 |
2016年 | 40篇 |
2015年 | 36篇 |
2014年 | 52篇 |
2013年 | 46篇 |
2012年 | 52篇 |
2011年 | 54篇 |
2010年 | 42篇 |
2009年 | 58篇 |
2008年 | 56篇 |
2007年 | 68篇 |
2006年 | 46篇 |
2005年 | 44篇 |
2004年 | 32篇 |
2003年 | 32篇 |
2002年 | 33篇 |
2001年 | 30篇 |
2000年 | 25篇 |
1999年 | 25篇 |
1998年 | 23篇 |
1997年 | 17篇 |
1996年 | 9篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 12篇 |
1993年 | 7篇 |
1992年 | 10篇 |
1991年 | 12篇 |
1990年 | 8篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 9篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 12篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 13篇 |
1981年 | 9篇 |
1980年 | 6篇 |
1979年 | 2篇 |
1978年 | 2篇 |
1977年 | 2篇 |
1975年 | 2篇 |
1974年 | 4篇 |
排序方式: 共有1202条查询结果,搜索用时 15 毫秒
112.
本文综述了磁信息材料和物理方面的发展和展望。首先概述了当代科学技术发展中的三大问题(能源、材料、信息)与磁学和磁性材料的关系。简要地举例说明了我们祖国是最早发现和利用物质磁性的国家,对古代磁学的发展曾经作出过许多有重要意义的贡献。磁信息材料的研究和应用虽较为年轻,但研究工作却甚为活跃,应用十分广泛。文中主要介绍了三类磁信息材料:磁记录材料、磁存储材料和磁泡材料。对每一类材料,分别陈述了它们的意义,主要应用领域,工作基本原理,对磁特性的要求,作为磁信息材料的特点,目前常用的各种材料(包括金属和非金属材料),以及该类材料发展前景的展望和值得注意的若干问题。最后指出,能源科学技术正在酝酿着新的重要的突破,材料科学技术正在向按指定性能设计新材料的"分子设计"进军,而新兴的信息科学技术也正在新的广度和深度上开拓着前进的道路。从这种意义上看,磁信息材料和物理的发展前景是有着广阔的天地的。附参考文献20篇。 相似文献
113.
1831年Faraday发现了电磁感应现象。这一现象的发现对于电磁理论的发展,电气化的实现,以及在电子器件和其他方面的应用都有重要的作用和深远的影响。本文是为纪念这一科学上重大发现的150周年(1831—1981)而写的。全文分四部分,第一部分介绍了电磁感应现象发现的历史背景和经过,从Faraday日记上可以看到:在1831年8月29日到10月28日的两个月中,他共进行了10天的有关电磁感应的实验。在这10天实验中,关于电磁感应现象的几项发现,实现了他的“从寻常的磁得到电的希望”,基本完成了电磁学的实验基础,也初步创 相似文献
114.
115.
116.
聚焦式太阳能电力(CSP)作为一种清洁能源利用方式,在最近几年得到了普遍认可,很多国家和地区都在大力发展,它是一种很有潜力的电力生产模式。详细介绍当前世界上多个国家的CSP发展情况与特色,包括美国西南部的可再生能源组合标准、西班牙针对CSP项目的税收补贴计划、澳大利亚的CSP科研投入与技术进步、意大利的政府补贴模式,其先进的聚焦式太阳能发电技术和经验,可以为我国能源利用起到借鉴作用。 相似文献
117.
118.
119.
采用TiCl4-CH3SiCl3-H2-Ar反应体系,低压化学气相共沉积(LPCVD)Ti-Si-C三元体系涂层。采用XRD、SEM、EDS和EPMA分析在1 100~1 250℃不同温度下制备的涂层物相组成和形貌结构。结果表明:1 100℃时形成TiC涂层,无Ti3SiC2相;1 150~1250℃时形成TiC与Ti3SiC2复合涂层。当沉积温度为1 200℃时,Ti3SiC2晶粒沿?104?方向择优生长,而在1150℃和1 250℃沉积时,择优取向不明显。1150℃时涂层为多孔细柱和颗粒堆积嵌合结构,当温度为1 200~1250℃时,涂层分为两层,内层过渡层为柱状晶结构,主要成分为TiC;外层为TiC相与Ti3SiC2相复合的板条错堆状结构。 相似文献
120.