基于D-S理论的多源信息融合冲突问题处理方法

D-S理论在不确定性的表示、量测和组合方面的优势,使得它在多源信息融合领域得到广泛应用。对于证据源本身的优先级别、可靠性及重要性,Dempster组合规则没有给予考虑,使其在证据推理过程中会产生与直觉相悖的结论。在多源信息融合处理中,针对基于D-S理论融合产生的冲突问题,进行了全面分析和总结,归纳为三个方面的问题:一般冲突问题、“一票否决”问题及“鲁棒性”问题;对其相应的解决方法进行分析,指出各自的优缺点。最后,指出解决冲突问题的方法存在的问题及未来研究方向。     

340 GHz固定调谐分谐波混频器

基于最新研制的小阳极结反向并联肖特基二极管芯片,设计和制造了320~360 GHz固定调谐分谐波混频器。混频器的结构采用的是传统电场（E）面腔体剖分式结构:将二极管芯片倒装焊粘在石英基片上,再用导电银胶将石英电路悬置粘结在混频器下半个腔体上。电路设计采用场路相结合的方法:用场仿真软件建立混频电路各个功能单元的S参数模型,将它们代入非线性电路仿真软件中与二极管结相结合进行混频器性能整体仿真优化。最终测试结果表明,谐波混频器的双边带在4~6 mW的本振功率驱动下,在320~360 GHz超过12%带宽范围内,双边带变频损耗均小于9 dB;混频器在310~340 GHz频带范围内,双边带噪声温度最低为780 K。声温度最低为780 K。     

X波段高输出功率凹栅AIGaN／GaN HEMT

使用自主研制的SiC衬底GaNHEMT外延材料，研制出高输出功率A1GaN／GaNHEMT，优化了器件研制工艺，比接触电阻率小于1．0×10^-6Ω·cm^2，电流崩塌参量小于10％，击穿电压大于80V．小栅宽器件工作电压达到40V，频率为8GHz时输出功率密度大于10W／mm．栅宽为2mm单胞器件，工作电压为28V，频率为8GHz时，输出功率为12．3W，功率增益为4．9dB，功率附加效率为35％．四胞内匹配总栅宽为8mm器件，工作电压为27V时，频率为8GHz时，输出功率为33．8W，功率增益为6．3dB，功率附加效率为41．77％，单胞器件和内匹配器件输出功率为目前国内该器件输出功率的最高结果．     

基于平面肖特基二极管的300GHz平衡式二倍频器

设计了肖特基二极管的结构和尺寸,采用点支撑空气桥结构降低器件在高频下的损耗,根据二极管测试结果和实际结构,分别建立了肖特基结的非线性模型和三维电磁场模型。依据此模型,采用平衡式电路设计,将二极管放置在波导内,利用模式正交性很好地实现输入与输出信号的隔离,简化了电路结构,降低了损耗,成功设计并制作出300 GHz二倍频器,在312～319 GHz的倍频效率大于5%,最大倍频效率为10.1%@316 GHz,在307 GHz～318 GHz的输出功率大于4 mW,最大输出功率为8.7 mW@316 GHz。采用较高掺杂浓度材料二极管的倍频器最大效率为13. 7%,最大输出功率为11. 8 mW。该倍频器的输出功率与已报道水平相当,验证了国产肖特基二极管的设计、工艺以及高频工作等方面的能力。     

单片集成430 GHz三倍频器的设计及测试

通过单片集成的方法,将工作于太赫兹频段(430GHz)的三倍频器的各个功能电路集成在厚度为12μm的砷化镓薄膜单片上,设计、制造太赫兹三倍频集成电路单片。单片结构采用一对反向并联连接的肖特基二极管,构成串联平衡式电路,电路不需要外加偏置电压。平衡式电路只产生奇数次谐波,简化了电路分析和优化过程。电路设计采用三维电磁仿真软件与谐波非线性仿真软件联合仿真场路的方法,准确模拟单片电路的射频特性。将单片电路安装在中间剖开的波导腔体内制成三倍频器进行测试,在430GHz处测得输出功率为215.7μW,效率为4.3%。     

基于HMM的英语文语转换系统

研究了基于隐马尔可夫模型(HMM:Hidden Markov Model)的语音合成系统的关键技术,在此基础上,借助HTK和Festival等工具,以基频和声道谱参数为训练参数,实现了一个基于HMM的英语文语转换系统,主观试听,合成的语音流畅、清晰可懂,并把混合激励应用到系统中对激励进行改进,提高了自然度。实验结果表明,利用HMM技术实现合成单元的选择,较好地解决了文语转换系统中的协同发音的问题。     

Comparison for the carrier mobility between the III-V nitrides and AIGaAs/GaAs heterostructure field-effect transistors

Using the measured capacitance-voltage curves ofNi/Au Schottky contacts with different areas and the current-voltage characteristics for the A1GaAs/GaAs, A1GaN/A1N/GaN and InoAsA10.szN/A1N/GaN heterostructure field-effect transistors （HFETs） at low drain-source voltage, the two-dimensional electron gas （2DEG） electron mobility for the prepared HFETs was calculated and analyzed. It was found that there is an obvious difference for the variation trend of the mobility curves between the Ⅲ-V nitride HFETs and the A1GaAs/GaAs HFETs. In the III-V nitride HFETs, the variation trend for the curves of the 2DEG electron mobility with the gate bias is closely related to the ratio of the gate length to the drainto-source distance. While the ratio of the gate length to the drainto-source distance has no effect on the variation trend for the curves of the 2DEG electron mobility with the gate bias in the A1GaAs/GaAs HFETs. The reason is attributed to the polarization Coulomb field scattering in the Ⅲ-V nitride HFETs.     

碱液处理和拉伸处理对丝绵纤维性能的影响

用质量分数为0.5%、1%和2%的纯碱液处理丝绵,测试丝绵纤维的强力和伸长率,结果是用1%碱液处理的丝绵纤维的相对断裂伸长率最高,平均值为19.66%;单位纤度强力差异不显著,平均单位纤度强力值分别为1.95、2.12、1.98cN/dtex。丝绵纤维拉伸处理前后的平均相对断裂伸长率分别为15.11%和22.7%,平均单位纤度强力分别为1.95cN/dtex和2.66cN/dtex。根据红外光谱分析,纯碱处理后的丝绵纤维β-折叠结构信息主要是酰胺Ⅱ、酰胺Ⅲ和酰胺Ⅴ的变化。     

260 GHz GaN高功率三倍频器设计

基于GaN太赫兹二极管芯片,采用非平衡式电路结构,设计了一款260 GHz三倍频器。采用GaN肖特基二极管芯片提高电路的耐受功率和输出功率;采用“减高+减宽”的输出波导结构抑制二次谐波;采用高低阻抗带线结构设计了倍频器的输入滤波器和输出滤波器。测试结果显示,该三倍频器在261 GHz峰值频率下,实现最大输出功率为69.1 mW,转换效率为3.3%,同时具有较好的谐波抑制特性。     

多信息融合电路故障诊断系统设计与开发

基于多源信息融合的电路故障诊断,当融合的信息源数目增加时,计算量变得越来越大,采用手工方式融合多源信息,具有劳动强度大、诊断结果准确率低等问题。针对这些问题,设计开发了基于信息融合的电路故障诊断系统。系统以MATLAB7.0和Microsoft Access 2003为开发工具,采用模块化设计思想,具有使用方便、稳定性好、通用性强、易扩展等特点。同时,给出了系统的体系结构及用到的融合算法流程图,并以一具体实验电路检测数据为对象,进行故障诊断,说明了系统的特点及功能。