光度法快速联合测定钒铁合金中磷锰硅

改单独测定磷锰硅为联合测定磷锰硅，取得了良好的效果。由于省去分别熔解的时间，减少了操作程序，不仅提高了工作效率，而且节约电能源。     

天铁炼铁技术进步

近十年来，天铁集团炼铁厂通过改善原燃料条件；优化炉料结构，提高入炉品位；采用提高炉顶压力、富氧喷煤、低硅冶炼、炉顶气象系统等多项先进技术，使高炉各项经济技术指标逐年提高。     

利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征

采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜 .XRD测试和UV - Vis吸收谱测试证明在高于 880℃的温度下热处理 ,可以获得结晶状态很好的硅酸锌薄膜 .光致发光光谱分析表明 ,未掺杂的薄膜在紫外波段有较弱的发射 ,而掺锰的硅酸锌薄膜在可见光波段有很强的光致发射 .由于硅酸锌薄膜在高温下非常稳定 ,可以与硅集成电路工艺兼容 ,而且发光强度高 ,因此在制作硅基光电集成器件方面有非常大的应用前景     

硅表面上的纳米量子点的自组织生长

纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景     

2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管

研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。     

300W S波段固态发射机

本文介绍了一种用于雷达和医学领域的，工作在2．9—3．1GHz的300W紧凑型固态发射机的结构和性能。该发射机包含三个主要部分：PLL—DDS合成器、脉冲成型电路和多级C类放大器。其峰值功率为300W，脉冲宽度50μs，占空比5％，这些指标是通过合成两个使用均衡结构Si—BJT(硅双极型晶体管)的160W放大器的输出而得到的。输出功率电平通过支流电源模块控制在6dB动态范围内。5％占空比时，在整个输出功率的动态范围内，射频脉冲宽度的功率衰减小于0．2dB。在包含有频率牵引效应和1KHz时—75dBc／Hz的相位噪声条件下，合成VC0可以达到超过10^-7的长期稳定性。另外，频谱特征也令人满意。     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.