无限深土石坝坝基悬挂式垂直防渗体防渗方法初探

筑坝工艺的提高和计算分析手段的发展,解决了在无限深透水地基上建坝所面临的多方面问题,但在某些方面,仍需改进和完善。通过理论计算和物理模型试验,研究和探讨了采用悬挂式垂直防渗体解决水库渗漏的问题,对在无限深透水地基上建坝的问题进行了分析探讨。     

高等教育人才培养结构与经济结构调整相适应的因素分析

随着我国经济结构调整步伐加快,高等教育的结构性矛盾日益凸显,人才市场呈现人才过剩和结构性短缺并存。阐述了人才培养结构与经济结构调整相适应的现实意义,分析了二者的相互关系,并从人才培养的层级结构、类型结构、学科专业结构、能力素质结构等因素进行了剖析。     

基于单目机器视觉的耐火砖检测技术

耐火砖的检测以往需要在艰苦的环境下采用手工操作来完成。对传统的检测方法进行改进,将单目视觉检测技术和图像处理技术应用于耐火砖的尺寸测量。先用高分辨率的摄像机采集耐火砖的图像,再对图像进行边缘提取、连接、分割与拟合计算,提取出砖块图像的特征信息,最后根据目标平面和图像平面间的映射关系精确地计算出耐火砖的长度和宽度。实验结果表明,该测量系统结构简单、性能稳定,能够快速准确的对耐火砖实现尺寸测量。     

消除应力退火对半工艺电工钢组织和磁性能的影响

为改善半工艺电工钢产品的磁性能,借助NIM2000E电工钢交流磁性能测量系统,采用方圈测量方法研究消除应力退火工艺对半工艺电工钢磁性能、组织的影响。结果表明：在760~790℃×2 h退火时,组织为粗大均匀的等轴铁素体晶粒,平均晶粒尺寸在200μm左右,铁损P1.5/50小于3.5 W/kg,磁感应强度B50高于1.70 T,对应的磁导率μ1.0高于12.57 mH/m。     

柚皮粉对中性红的吸附性能研究

为了探索柚皮粉去除染料废水的效果,采用柚皮粉作为吸附材料吸附去除模拟废水中的中性红,重点研究了柚皮粉在不同的吸附剂投加量、振荡时间、中性红的初始浓度、温度等实验条件下对中性红的吸附规律及吸附效果.结果显示:当温度为30℃时,0.3 g柚皮粉在100 mL质量浓度为150 mg/L的中性红溶液中振荡60 min后,中性红的去除率达到80%以上,最大吸附量为49.20 mg/g.柚皮粉对中性红的吸附过程可以用Temkin吸附等温方程和二级吸附速率方程进行很好的描述,吸附过程主要为物理吸附.     

基于2D Cache结构的H.264运动补偿访存带宽优化方法

H.264/AVC的运动补偿处理环节需要消耗大量的内存访问带宽,这成为制约其性能的关键因素.分析表明,如此巨大的带宽消耗具体来自5个方面:像素数据的重复读取、地址对齐、突发访问、SDRAM页切换和内存竞争冲突.提出一种基于2D Cache结构的运动补偿带宽优化方法,充分利用像素的重用以减少数据的重复读取.同时通过结合数据在SDRAM中映射方式的优化,将众多短而随机的访问整合为地址对齐的突发访问,并减少了访问过程中页切换的次数.此外还提出了访存的组突发访问模式,以解决SDRAM竞争冲突所引入的开销.实验结果表明采用上述优化设计后,运动补偿的访存带宽降低了82.9～87.6%,同现存优化效率较高的方法相比,带宽进一步减少了64%～87%.在达到相同带宽减少幅度的前提下,所提出的新方法比传统Cache结构电路面积减少91%.该方法目前已在一款多媒体SoC芯片设计中实际应用.     

认知无线电网络中系统效益最大化的频谱分配

传统遗传算法和自适应遗传算法在优化认知无线电网络的系统效益时易陷入局部最优。针对该问题,通过引入反映每个染色体基因特性的欧氏距离,对遗传算法进行改进,提出一种系统效益最大化的频谱分配方案。实验结果表明,该方案的频谱分配性能优于基于传统遗传算法和自适应遗传算法的方案。     

BGP/MPLS VPN组播链路恢复方案

BGP/MPLS VPN组播链路失效后,一棵组播树会断开成不相连的子树。为此,使用备用路径连接子树,重构组播树,减少备用链路上的离线概率加权主机数。找出备用路径建立时失效链路对组播树的影响因子,设计组播备用路径算法,使该影响因子最小化,从而提高组播树的健壮性。分析结果表明,该算法能实现组播链路的快速恢复。     

论袁枚性灵说情感理论的自然主义偏向

袁枚性灵说情感理论突破了儒家传统情感理论的藩篱,特别是脱离了宋明以来的理学思想的桎梏,而走向了注重个体自然情感的抒发,对传统文学功利主义是一次有力的反拨.这种理论偏向原因颇为复杂.     

具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.