Raman和TPR法研究丙烷氧化脱氢VOx/MoOx/Al2O3催化剂

采用原位激光拉曼和程序升温还原法研究了VOx分散于载有单层MoOx(4.8 Mo/nm2)的Al2O3上丙烷氧化脱氢.比较了这些催化剂和VOx/Al2O3的脱氢速率和选择性.在一定VOx表面密度下,每克VOx/MoOx/Al2O3催化剂的脱氢反应速率比VOx/Al2O3催化剂的高1.5～2倍.中间层MoOx通过抑制丙烷和丙烯燃烧反应速率增加了丙烯选择性.偏钒酸铵作钒源,使用钒的醇盐制备催化剂可使VOx形成高分散的单钒酸根和多聚钒酸根配位结构、减少V2O5晶粒的生成及促使V-O-Mo键的形成.催化剂的C3H6形成速率与其H2消耗速率成线性关系.     

复合陶瓷颗粒/环氧模塑料的制备与性能

选用SiO_2、Al_2O_3、Si_3N_4三种陶瓷颗粒的复合填充环氧模塑料(EMC),研究了不同填料种类、含量对EMC导热系数、热膨胀系数(CTE)、介电常数等性能的影响随着填料百分含量的增加,EMC的热导率、介电常数也随之增加,而其热膨胀系数显著下降相同体积百分含量下,Al_2O_3、Si_3N_4复合体系EMC热导率和介电常数高于SiO_2、Si_3N_4复合体系,而其热膨胀系数比后者低。百分含量为60%时,前者热导率达到2．254 W(m·K)~(-1)、后者达到2．04w(m·K)~(-1)。百分含量为65%时,其CTE分别为1．493×10~(-5)K~(-1)、1．643×10~(-5)K~(-1),同时两体系复合材料的介电常数可以维持在较低水平     

氧化铝陶瓷基板化学镀铜金属化及镀层结构

通过化学镀铜在氧化铝陶瓷基板表面实现了金属化,采用SEM研究了镀铜层表面微观形貌以及热处理的影响,检测分析了金属化镀层附着力。结果表明:通过控制镀液中铜离子浓度以及铜沉积速率,在基板表面可形成均匀致密的铜金属化层;热处理后进一步提高镀层致密化和导电性,其方阻由3.6 mΩ/□降为2.3 mΩ/□。划痕法测试表明镀铜层与氧化铝陶瓷基板结合紧密无起翘,可以满足敷铜基板的要求。     

农网建设中的无人值班变电站

介绍了无人值班变电站的优越性以及它在功能与管理方面的要求.     

均匀化温度对Al-0.8Mn-0.5Fe合金铸轧板坯组织的影响

研究了铸轧坯料和均匀化退火态的Al-0.8Mn-0.5Fe系合金的显微组织,分析出均匀化退火温度对显微组织的影响及温度和组织间的变化规律.结果表明经过540 ℃×4 h的热处理后, 材料析出大量细小弥散状分布的第二相粒子,合金可获得较均匀的显微组织.在540 ℃之前的均匀化处理,铸轧板坯晶粒几乎没变化,经580 ℃均匀化处理后,晶粒明显长大,是均匀化前的几十倍.     

低浓度甲烷流向变换催化燃烧

以水铝石和改性过的γ-Al2O3为原料制备了铝溶胶涂层,考察了不同涂层固含量对催化剂比表面积的影响.以贵金属Pd作为催化剂活性成分,研究了催化剂在不同Pd含量和还原条件下催化活性的变化规律,并考查了催化剂预热温度、系统换向周期对反应系统床层温度的影响.结果表明:涂层固含量20%、Pd负载量占涂覆层质量分数1.5%为催化剂最佳制备条件;当催化剂预热温度为450℃、空速为15 000 h-1、换向周期为10 min、甲烷体积分数为0.2%时,甲烷转化率最高可达85%.     

一种简化的模糊神经网络优化学习算法

提出一种用最速下降-单纯形法,先优化确定FNN的结构和参数．然后在优化确定的网络基础上用最速下降法再进一步学习的简化的优化学习算法．该算法学习效率高,泛化能力好．仿真结果证实了算法的有效性．     

类球状和棒状Eu_2O_3和Sm_2O_3纳米粒子的合成与表征

采用表面活性剂和超声波辅助的沉淀法合成了类球状和棒状多晶Eu2O3和Sm2O3纳米粒子,并用透射电镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)、N2吸附-脱附和紫外-可见漫反射(UV-Vis DRS)技术表征了其物理性质.结果表明,以十二烷基硫酸钠作表面活性剂所得产物为类球状体心立方晶相Eu2O3和单斜晶相Sm2O3纳米粒子,比表面积为44~49 m2/g;而以聚乙烯吡咯烷酮作表面活性剂所得产物则是棒状正交晶相Eu2O3和体心立方晶相Sm2O3纳米粒子,比表面积为34~37 m2/g.除了在紫外光区(λ390 nm)有较强的吸收外,类球状和棒状Eu2O3和Sm2O3纳米粒子在可见光区(390 nmλ535 nm)也有不同程度的吸收.该吸光性能差异与所得稀土氧化物的表面形貌和晶体结构有关.     

预设加热温度对Fe—Ti—C系低温燃烧合成的影响及燃烧合成机理探讨

采用Gleeble—1500D热模拟试验仪，就预设加热温度对55w％(Ti C) 45w％Fe压坯在大热流密度条件下燃烧合成过程的影响进行了研究。结果表明：在各预设加热温度条件下，体系的反应起始温度均在400℃以下，且随预设加热温度的升高，体系燃烧反应起始温度下降。同时讨论了在电场作用下体系燃烧合成的机理。认为：由于粉末压坯结构的不连续性，外加电场将对其产生能量有特有贡献，导致在低温条件下压坯获得巨大的能量而发生反应。     

直接敷铜陶瓷基板及制备方法

直接敷铜技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术,随着大功率模块与电力电子器件的发展与要求,直接敷铜已从氧化铝陶瓷基板发展到其他陶瓷基板。介绍了国内外陶瓷基板直接敷铜技术、理论研究、新进展和今后的发展趋势。