基于AIN绝缘的多晶硅高温压力传感器设计

探讨了一种多晶硅高温压力传感器的设计方法,采用AIN作硅衬底和多晶硅力敏电阻条之间的电绝缘层,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,使制作的压力传感器特性好。利用多晶硅材料在高温条件下能够表现出良好的压阻特性,考虑其纵横向压阻效应的不同,作了理论分析,在此基础上制作力敏电阻条。利用有限元分析方法,借助MARC软件,模拟了传感器承压弹性膜的应力场分布,确定了多晶硅力敏电阻条的位置和排列方式。并且施加10kPa压力日寸,模拟了不同膜厚t与对应的最大应力σ11的曲线;模拟了11方向主应力COMP11边缘中点应力为一特定值时所需压力PN与膜厚t的关系曲线。     

一种扭矩传感器的无线数据传输系统

本文介绍了一种扭矩传感器无线数据传输的设计方法,并给出了利用单片机进行无线数据传输显示的实例,提出了电路设计中需要注意的问题,给出了程序流程图。该系统利用编解码技术和软件容错技术,传输可靠,非常适合于无法进行有线传输而需要利用无线数据传输的区域。     

硅的电阻率温度系数～电阻率关系Si几种拟合方法的比较

本文以硅单晶的电阻率温度系数～电阻率非线性曲线为应用对象,用直线最小二乘法、牛顿插值法、规范化多项式、MATLAB3次、4次及5次曲线分别进行拟合近似逼近,并得到各自的多项式,用到表和图线以作对比。结论是牛顿插值法、规范化多项式法、MATLAB5次曲线最为逼近。     

一种改进的硅片薄层电阻及其均匀性表征方法

概述了微区电阻测试方法及其均匀性表征方法的应用 ,利用自主研制的斜置式方形四探针微区薄层电阻测试仪 ,对P型硅芯片进行了无图形Rymaszewski法测试 ,在 3寸芯片上测试了 5 98个 3 66μm× 3 66μm方形微区的薄层电阻 ,并用等值线图表示了其分布 ,得到了薄层电阻的不均匀度及平均值 ,这种微区薄层电阻表示方法适用于评价材料质量及改进制造工艺。     

霍尔元件测磁场系统中实验数据的采集与处理

文章介绍了霍尔元件测磁场的原理，并设计了单片机自动采集系统及与PC机进行通讯，实现了由单片机采集数据，PC机进行数据运算、存储和打印等功能。     

基于双极性脉冲电压的水电导率仪控制系统的设计

介绍了一种智能型水电导率仪的测量原理及软硬件结构.仪器采用双极性脉冲电压作为电导率测量的激励源,较好地解决高纯水电导率测量中的极化效应和电容效应对测量结果的影响.该仪器可以实现量程自动换档,温度自动补偿,电导率超限报警,清洗池进水和放水自动控制等功能;同时系统还具有人机交互界面,数据存储,与上位PC机通信等功能.上位机软件采用LabVIEW编程,通过串口实现了电导率数据的实时采集和显示.     

绘制硅单晶电阻率等值线的Mapping技术

用斜置式四探针测定了硅单晶片(Ф75mm)上3mm间距测试点的电阻率分布.本文从电阻率的统计分布出发,确定了电阻率的分隔数和差值,采用指数函数作为模糊集的隶属度,并且选择合适的门槛值,利用模糊数学将电阻率数据归类于不同的模糊集.同一模糊集对应相同的电阻率,这样使电阻率能以一定的间隔分布,然后结合MATLAB软件画出电阻率等值线,以构成Mapping图.在同一等电阻率线条上各点具有较小的阻值偏差,且剩余未连接点少.连接质量好,可以应用于指导实际生产.     

压力传感器芯片键合用低温玻璃焊料的研制

研制开发了一种用于压力传感器芯片与 1 0 1玻璃基座相封接的三元系结晶性低温玻璃焊料 ,其基本成份为 Pb O:Zn O:B2 O3 =58:1 8:2 4 (% wt)。已用 DSC分析该玻璃焊料 ,显示在 51 0℃出现主晶相的熔化吸热峰 ,其开始熔化温度为 445℃。在硅芯片背面制备一过渡层 ,然后用此低温玻璃焊料将压力传感器芯片与玻璃基座封接在一起。封接温度为 530℃ ,低于铝硅合金相的低共熔温度 577℃。用这一封接技术制备的压力传感器有良好的技术性能 ,热漂移小且能耐沸水、耐油 ,耐 1 50℃热冲击。封接强度达 7MPa。