基于BP网络的压力传感器信息融合

压力传感器输出特性容易受环境温度、电压扰动等各种非目标参量的影响，从而大大降低了其性能。BP算法是一种最速下降的静态寻优算法，而对其改进的算法LMBP算法克服了标准BP算法的固有缺点，不但学习速度快，而且精度高。利用LMBP算法对压力传感器的输出进行融合，有效地消除了非目标参量特别是温度对压力传感器输出的影响，最后利用MATLAB软件对样本数据进行训练和仿真，通过对融合结果分析可知：BP网络的LMBP算法不仅提高了压力传感器的精度，而且提高了压力传感器的稳定性和可靠性。     

基于AlN绝缘的多晶硅高温压力传感器设计

探讨了一种多晶硅高温压力传感器的设计方法,采用AlN作硅衬底和多晶硅力敏电阻条之间的电绝缘层,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,使制作的压力传感器特性好.利用多晶硅材料在高温条件下能够表现出良好的压阻特性,考虑其纵横向压阻效应的不同,作了理论分析,在此基础上制作力敏电阻条.利用有限元分析方法,借助MARC软件,模拟了传感器承压弹性膜的应力场分布.确定了多晶硅力敏电阻条的位置和排列方式.并且施加10kPa压力时,模拟了不同膜厚t与对应的最大应力o11的曲线;模拟了11方向主应力COMP11边缘中点应力为一特定值时所需压力尸N与膜厚t的关系曲线.     

圆环力传感器应力分布的研究

本文介绍了以前作者对受力圆环中的应力计算公式及结果,在今后的设计中可以选取更加合适的公式。这对圆环及其力传感器的设计有着指导性意义,另外对圆环力传感器进行研究时在周向应力最大的位置贴应变片提出了建议。     

硅芯片封接用PbO、ZnO、B_2O_3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系

对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行 DSC、红外吸收光谱及 X射线衍射谱分析 ,实验表明 ,淬火态的软化点低 ,在 5 0 0～ 5 10℃下完全熔化 ,有利于芯片的低温封接 .重熔再凝固态的熔点高 ( 63 0℃ )、热稳定性好 ,有利于器件的使用 .进一步研究表明 ,淬火态为无序态 ,再凝固态为结晶态 ,其中存在 Pb2 Zn B2 O6 的晶体相 .无论是在无序态中还是在结晶态中 ,[BO3]3- 离子团都不会破裂 ,均出现其分子振动的特征简正模 .     

动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望

介绍了DRAM 0.1μm特征尺寸理论极限的突破及相关技术进展,以及各种非易失性随机存储器(NVRAM)如FeRAM,相变RAM,MRAM.现今PC中的RAM很快将被NVRAM所取代,从而可缩短PC的启动时间.     

硅单晶的热处理问题

一、引言硅单晶的热处理工艺在我国已开始受到重视,并开展了这方面的研究工作。在国外,热处理工艺已经是许多半导体硅生产厂家的必要工艺环节。热处理的好处在于: (a) 稳定电阻率,改善截面均匀性,消除杂质条纹; (b) 消除晶体内应力和机械损伤; (c) 稳定位错,减小它的有害影响; (d) 消除微缺陷,杂质微沉淀。     

P/P~+外延片电阻率均匀性、一致性的控制

本文研究了P/P~+硅外延工艺中多种影响外延层电阻率的因素,并将研究结果应用于外延生长中,制备出电阻率均匀性,一致性好的外延片。图6,表3,参3。     

压力传感器芯片版图设计中若干重要问题（1）

详细讨论了压阻型压力传感器设计中若刊重要问题，这些问题是合理利用压阻系数和膜上的应用，电阻条的布置和设计以及可靠性。     

智能压力传感器无线数据采集系统

无线技术能在短距离内用发射、接收模块代替有线电缆的连接。本文给出了一种基于无线技术的智能压力传感器数据采集系统,由数据采集发射端和接收端两部分组成。主要介绍了硬件结构设计、软件系统工作流程及测试结果,并且应用多项式标准化拟合的方法对压力值作了热零点漂移补偿,提高了传感器的测量精度及温度稳定性。该系统可以在一些特殊的场所实现信号的采集、处理和发送,解决了复杂的现场连线,并且具有成本低、可靠性好、实用性强等优点。     

退火温度对纳米TiO2薄膜的乙醇气敏特性的影响

采用直流磁控反应溅射法分别在Al2O3陶瓷管和Si(111)基片上制备纳米TiO2薄膜.首先将样品置于马孚炉中,分别在500℃、700℃和1100℃下进行3小时退火处理,然后利用XRD测定各退火条件下TiO2薄膜的晶粒尺寸和晶型,并对样品的气体敏感特性进行测试.实验结果表明:薄膜的结构、晶粒尺寸、晶相和气敏特性随着退火温度的不同而变化,经过500℃×3小时退火后的TiO2薄膜(锐钛矿相)对乙醇蒸汽的灵敏度最高,响应(恢复)时间为2-3s,并具有很好的选择性,其最佳工作温度为280℃左右.最后讨论了薄膜的乙醇气敏机理.