离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果 ,初步探讨了离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射的机制     

磁泡存贮器平面技术

一、引言因为非平面工艺会使盖复层(金属或介质)形成一定的台阶坡度,容易引起复盖层起伏或断裂。Ni-Fe合金薄膜的台阶坡度致使驱动场磁场强度在台阶处的减小,导致器件性能变差,操作区变窄等。为了提高器件容量和工作性能,现已发展了新的平面技术。所谓平面技术就是将金属图形“镶嵌”于介质中的同一平面上。有关制作磁泡存贮器的几种平面技术,D.C.Bullock等人已经作了详细的综述。现在付诸实际使用的主要有S.Orihara等人和N.Tsuzuki等人应用剥离SiO_2法的平面技术。     

斜入射低能离子束溅射表面貌相的研究

如300～1200eV低能氩离子束以45°入射角溅射锗、硅、玻璃等七种样品的抛光表面,则样品表面都出现均匀分布的小丘。考察了离子入射角、能量、剂量、靶子旋转与否对貌相的影响。二次离子质谱和俄歇电子能谱的分析都表明了小丘不是由于杂质再沉积而形成。我们提出了关于小丘形成机理的假设,推导出小丘形成与离子入射角、能量、剂量等的关系式,并对实验结果作出了满意的解释。