In0.17Al0.83N在碱性溶液中的化学湿法腐蚀行为研究

介绍了In0.17Al0.83N在质量分数10%的四甲基氢氧化铵(TMAH)碱性溶液中的腐蚀行为实验研究。通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察腐蚀样品,发现其腐蚀机理是起源于晶体中线位错缺陷的侧向腐蚀。这是由于线位错在In0.17Al0.83N晶体表面的交汇处与周围晶体相比,具有较高的化学不稳定性,容易被腐蚀,形成缺陷腐蚀坑。随着腐蚀的进一步发生,暴露在腐蚀液中的腐蚀坑侧壁,更容易受到腐蚀,造成了以侧向腐蚀为主的腐蚀。AFM和SEM观察到的大多数腐蚀坑是与InAlN晶体中的螺位错、刃位错或混合位错有关。这种腐蚀方法适合在宽禁带半导体制造中以InAlN为牺牲层的工艺上应用。     

X波段GaN HEMT内匹配器件

自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4 A量级减小到了10 -6 A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性.采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压为33V时,器件连续波输出功率为18.2W,功率增益为7.6dB,峰值功率附加效率为43.0%.2.5mm×4 GaN HEMT内配配器件,测试频率8GHz,连续波输出功率64.5W,功率增益7.2dB,功率附加效率39%.     

基于平面GaAs肖特基二极管的220 GHz倍频器北大核心CSCD

设计和制造了一种高效高功率的220GHz倍频器,倍频器的有源器件是一只反向串联二极管芯片,它是由四个平面GaAs肖特基二极管通过线性阵列方式集成到一块芯片上。使用ADS和HFSS软件相结合的方法对220GHz倍频器的进行了仿真优化,首先利用HFSS三维电磁仿真准确建立二极管和波导的结构模型,再利用ADS线性和非线性谐波电路仿真来优化倍频电路的性能。在210～230GHz的频带范围内,220GHz倍频器在20mW固定功率输入条件下测试,功率输出大于0．5mw;在100mw固定功率注入时,整个20GHz频带范围内功率输出大于2．1mW,在214GHz处输出峰值功率5mW,效率为5％。反向串联二极管单片上的二极管采用的是并联布局放置方式,这种方式将二极管产生的热量从二极管直接传导到波导腔体的金属导体壁上,利于散热。220GHz倍频器的研制成功,证明了国产平面封装GaAs肖特基二极管的毫米波频段的应用能力,其研制方法对将来更高频率的电路设计具有借鉴意义。     

毫米波AlGaN / GaN HEMT 交流特性研究

毫米波频段已经成为AlGaN/GaN HEMT研究的一个发展趋势。利用器件仿真软件TCAD,对AlGaN/GaN HEMT交流特性进行了研究。从势垒层的Al组分和厚度两个参数分析了器件特征频率变化趋势。用TCAD仿真得到的AlGaN/GaN HEMT器件本征S参数,在ADS中添加器件的非本征参数,得到器件仿真的频率特性。在器件设计的基础上,进行了器件版图设计和流片,并测量了器件频率特性。测试和仿真结果的对比表明两者较为一致,表明器件仿真的有效性和指导意义。     

星载SAR箔条走廊干扰特性分析

鉴于对星载合成孔径雷达实施干扰的必要性、实施有源干扰的复杂性,人们越来越重视星载SAR的无源干扰研究。文章在借鉴传统箔条干扰技术的基础上,根据星载合成孔径雷达的工作特点,分析了星载合成孔径雷达的箔条走廊干扰方法。通过对该方法的描述,分析了箔条走廊干扰星载合成孔径雷达的干扰环境、时间特性和空间特性,还给出了在对抗多频段多极化合成孔径雷达的一些思路。文章的分析结果对于应用箔条走廊干扰星载SAR有一定意义。     

fT为102 GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

研究了一款高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件(HEMT),器件基于在蓝宝石衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构HEMT材料,器件栅长为86 nm,源漏间距为0.8μm。电子束光刻实现T型栅和源漏,保证了器件小的栅长和高的对准精度。制备的器件显示了良好的直流特性和射频特性,在栅偏压为0 V时漏电流密度为995 mA/mm,在栅源电压Vgs为-4.5 V时,最大峰值跨导为225 mS/mm;器件的电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax分别为102和147 GHz。高fT值一方面得益于小栅长,另一方面由于小源漏间距减小了源漏沟道电阻。     

基于平面GaAs肖特基二极管的220 GHz倍频器

设计和制造了一种高效高功率的220 GHz倍频器,倍频器的有源器件是一只反向串联二极管芯片,它是由四个平面GaAs肖特基二极管通过线性阵列方式集成到一块芯片上。使用ADS和HFSS软件相结合的方法对220GHz倍频器的进行了仿真优化,首先利用HFSS三维电磁仿真准确建立二极管和波导的结构模型,再利用ADS线性和非线性谐波电路仿真来优化倍频电路的性能。在210~230 GHz的频带范围内,220 GHz倍频器在20 mW固定功率输入条件下测试,功率输出大于0.5 mW;在100 mW固定功率注入时,整个20 GHz频带范围内功率输出大于2.1 mW,在214 GHz处输出峰值功率5 mW,效率为5%。反向串联二极管单片上的二极管采用的是并联布局放置方式,这种方式将二极管产生的热量从二极管直接传导到波导腔体的金属导体壁上,利于散热。220 GHz倍频器的研制成功,证明了国产平面封装GaAs肖特基二极管的毫米波频段的应用能力,其研制方法对将来更高频率的电路设计具有借鉴意义。     

Ⅲ-Ⅴ族氮化物同 AlGaAs/GaAs异质结场效应晶体管迁移率比较

依据测试得到的低源漏偏压下的AlGaAs/GaAs、AlGaN/AlN/GaN、In0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）的电容-电压曲线和电流-电压特性曲线,计算得到了器件的二维电子气（2DEG）电子迁移率。我们发现Ⅲ-Ⅴ氮化物HFETs器件同AlGaAs/GaAs HFETs器件的2DEG电子迁移率随栅偏压的变化趋势有很大不同。在Ⅲ-Ⅴ氮化物HFETs器件中,2DEG电子迁移率随栅偏压的变化趋势与栅长同源漏间距的比值有很大关系,但是栅长同源漏间距的比值对AlGaAs/GaAs HFETs器件的2DEG电子迁移率随栅偏压的变化趋势没有影响。这是因为Ⅲ-Ⅴ氮化物HFETs器件中存在极化梯度库仑场散射的缘故。     

MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长无应变InAlN/GaN异质结材料研究

In Al N/Ga N heterostructures were grown on sapphire substrates by low-pressure metal organic chemical vapor deposition.The influences of NH3 flux and growth temperature on the In composition and morphologies of the In Al N were investigated by X-ray diffraction and atomic force microscopy.It’s found that the In composition increases quickly with NH3 flux decrease.But it’s not sensitive to NH3 flux under higher flux.This suggests that lower NH3 flux induces a higher growth rate and an enhanced In incorporation.The In composition also increases with the growth temperatures decreasing,and the defects of the In Al N have close relation with In composition.Unstrained In Al N with In composition of 17% is obtained at NH3 flux of 500 sccm and growth temperature of790 °C.The In Al N/Ga N heterostructure high electron mobility transistor sample showed a high two-dimensional electron gas(2DEG) mobility of 1210 cm2/(V s) with the sheet density of 2.31013cm2 at room temperature.     

移动WiMAX技术与商用进展

本文对WiMAX的最新标准进展及技术热点进行了介绍．对移动WiMAX商用进展进行概述，并分析了移动WiMAX产业链发展趋势．总结了移动WiMAX的优势与挑战．并对其今后在中国发展的不确定性进行了分析，主要有三个方面：中国3G许可证未发，寻找移动WiMAX的可用频率比固定WiMAX更为困难；技术上的选择可能影响中国整个电信行业的发展。