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21.
冰蓄冷技术相关固液相变传热现象的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
列举了与常规冰蓄冷技术相关的传热问题,综述了冰-水固液相变导热控制,导热对流耦合控制下圆管外和球内固液相变传热现象的研究进展情况,以及在冰-水固液相变换热实验研究中所采用的实验方法。 相似文献
22.
摩擦提升机衬垫摩擦温度的近似计算 总被引:3,自引:0,他引:3
针对绝对滑动衬垫表面热流密度随时间变化的情况,依照求解热传导问题的积分法提出了计算多绳摩擦提升机衬垫摩擦温度的近似方法,并对其应用进行了分析和讨论. 相似文献
23.
借助差示扫描量热仪(DSC)和低温显微系统,研究了升降温速率(5、10、25、50和100℃/min)和氧化石墨烯(GO)浓度(0.01、0.1、1和5 mg/ml)对VS55溶液降温过程结晶和升温过程冰晶再生长的影响。结果表明:(1)随着升降温速率的增加,VS55溶液体系在降温过程中的结晶焓Hf以及升温过程中的再结晶焓HTd都会减小;(2)对浓度为2.1 mol/L的VS55溶液进行降温时,GO浓度越大,其结晶焓Hf越大,且初始冻结温度显著提高;但对4.2 mol/L VS55降温时,其结晶焓Hf会随着GO浓度增加呈现出先减小后增大的特点;8.4 mol/L VS55已完全玻璃化,GO对其没有影响;(3)在升温过程中,GO浓度越高,VS55浓度越低,其溶液体系内冰晶再生长抑制程度越大,如GO浓度为5 mg /ml时,2.1 mol/L VS55溶液添加GO前后再结晶焓的差值ΔHTd为14.55 J/g,而4.2 mol/L VS55就显著降低到7.95 J/g,接近8.4 mol/L VS55的6.91 J/g。总体来看,GO对VS55溶液降温过程冰晶生长特点的影响主要取决于VS55浓度和GO浓度,但对复温过程反玻璃化或冰晶再生长特点的影响主要取决于VS55浓度、GO浓度以及升降温速率。 相似文献
24.
采用激光拉曼光谱法对初始压力9 MPa,初始温度273 K,TBAC浓度3%的条件下,四丁基溴化铵(TBAC)水合物粉与氢气生成的TBAC-H2水合物进行了研究,探讨了氢气在TBAC水合物中对笼的占据情况,计算了其储氢密度,并与相同条件下TBAC水溶液的储氢方法做了比较。结果表明:在TBAC水合物中,氢气只填充在水合物的小笼中。在上述条件下,TBAC水合物粉的储氢密度为0.1%,TBAC水溶液的储氢密度为0.021%,采用TBAC水合物粉储存氢气可以提高水合物的储氢密度,这是因为TBAC水合物粉能够增大边界层的接触面积,从而有利于水合物形成过程中的传质,增加水合物的生成量。 相似文献
25.
26.
介绍了Einstein单压吸收式制冷循环的工作原理,对国内两种有代表性的改进型Einstein制冷系统(Ⅰ ,Ⅱ)进行了对比。运用质量、能量守恒定理,建立了系统各部件的热力学模型,并对其性能进行了分析。结果表明:相同工况下,系统Ⅱ的COP较高,达到0.255 1。工况的变化并不能有效改善二者的COP,而通过合理匹配系统各部件,优化管道阻力,采用热回收系统及高效气泡泵,以及选择最佳的发生温度,能够有效改善系统制冷性能。详尽研究内容对Einstein制冷循环系统的性能优化及工业应用具有指导意义。 相似文献
27.
利用高压搅拌式水合物实验装置,进行了四丁基溴化铵(TBAB)水合物储氢的研究。在恒容条件下,考察了水浴温度、初始压力对水合物储氢特性的影响,并比较了TBAB水合物和四氢呋喃(THF)水合物的储氢性能。实验结果表明,在初始压力7.2 MPa、x(TBAB)=0.6%的条件下,水浴温度越低,生成水合物的诱导时间越短,储氢密度越大,水浴温度为0.5℃时储氢密度最大(为0.095%);在水浴温度0.5℃、x(TBAB)=0.6%的条件下,初始压力越大,生成水合物的诱导时间越短,储氢密度越大,在初始压力为8.4 MPa时储氢密度最大(为0.109%);在水浴温度为0.5℃、初始压力7.2 MPa的条件下,THF水合物的储氢密度仅为0.014%,远低于TBAB水合物的储氢密度(0.095%),TBAB水合物的储氢性能更好。 相似文献
28.
29.
喷雾反应器中二氧化碳水合物的生长实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在喷雾反应器中进行了CO2水合物生成实验,观察了CO2水合物的生长过程,以结晶过饱和度作为生长驱动力研究了CO2水合物的生长特性. 结果表明,CO2水合物的生成量随生长驱动力增加而增加;反应温度越低,CO2水合物的生长量越大. CO2水合物生长速率为0.531~9.53 mmol/s,与静态反应装置中一致,表明喷雾反应器促进CO2水合物快速生长的作用有待进一步提高. CO2水合物储气率较低,为14~24 m3/m3,主要原因是生长驱动力偏小,水合反应不完全. 相似文献
30.