全文获取类型
收费全文 | 178篇 |
免费 | 11篇 |
国内免费 | 79篇 |
专业分类
电工技术 | 13篇 |
综合类 | 21篇 |
化学工业 | 12篇 |
金属工艺 | 6篇 |
机械仪表 | 11篇 |
建筑科学 | 16篇 |
矿业工程 | 6篇 |
能源动力 | 3篇 |
轻工业 | 17篇 |
水利工程 | 11篇 |
石油天然气 | 2篇 |
武器工业 | 9篇 |
无线电 | 86篇 |
一般工业技术 | 12篇 |
冶金工业 | 7篇 |
原子能技术 | 1篇 |
自动化技术 | 35篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 10篇 |
2022年 | 8篇 |
2021年 | 12篇 |
2020年 | 6篇 |
2019年 | 10篇 |
2018年 | 11篇 |
2017年 | 4篇 |
2016年 | 7篇 |
2015年 | 12篇 |
2014年 | 11篇 |
2013年 | 12篇 |
2012年 | 18篇 |
2011年 | 9篇 |
2010年 | 10篇 |
2009年 | 4篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 2篇 |
2005年 | 20篇 |
2004年 | 11篇 |
2003年 | 10篇 |
2002年 | 13篇 |
2001年 | 9篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 5篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 5篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 6篇 |
1990年 | 5篇 |
1989年 | 5篇 |
1988年 | 1篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有268条查询结果,搜索用时 46 毫秒
21.
根据扩底桩的横向加载模型试验,分析研究扩底桩基础在横向荷载作用下出现不同破坏模式时的受力承载性状。试验结果表明,扩底桩出现弯曲破坏形式的受力承载性状为:在横向荷载作用下,加载一侧桩身受拉,另一侧桩身受压,最大拉应力出现在桩身中上部位置。桩身土压力分布为两端小,中部大。扩大头可为桩身提供嵌固作用。扩底桩出现剪切破坏时的受力承载性状为:在横向荷载作用下,桩身上部两侧均为受拉,桩身中下部加载一侧受拉,另一侧受压。桩身土压力分布呈波浪形,出现两处峰值和两处近似零点,扩大头基本不提供嵌固作用。研究结果表明,在相同的横向荷载作用下,出现弯曲破坏的桩比出现剪切破坏的桩具有更大的延性,扩大头的嵌固作用发挥的更好,具有更高的承载性能。 相似文献
22.
以硅基底和光纤纤芯阵列为定位夹具,手工排列熔凝法得到的Au微球,获得3×3 Au微球阵列;在Au微球表面先用水浴法合成ZnO纳米线、后固定葡萄糖氧化酶,得到球形跨尺度阵列葡萄糖酶电极。对球形跨尺度结构的表面形貌、葡萄糖氧化酶的固定效果、酶电极的电化学性能进行了定量表征。球形跨尺度结构阵列葡萄糖传感器的线性范围为0~2.5mmol/L、灵敏度为17.24μA·(mmol/L)~(-1)·cm~(-2)、最低检出限为3.44μmol/L、Michaelis-Menten常数为1.85 mmol/L。 相似文献
23.
针对澳洲坚果干燥时间长、能耗大等问题,设计了中红外干燥机,分析澳洲坚果干燥水分与速率变化规律,探明干燥水分扩散与活化能变化机制,运用1Stopt软件对典型干燥模型进行数据拟合并建立中红外干燥模型。结果表明,采用加热腔内60℃,中红外发射管0.8kW的干燥条件,经过360min果仁含水量降至1.36%的安全水分,整个干燥阶段主要为降速干燥,Midilli-Kucuk模型可以有效预测澳洲坚果在中红外干燥过程中水分的变化机制,各时段澳洲坚果的有效水分扩散系数在2.03×10-7~2.31×10-7 m2/s,利用阿伦尼乌斯公式计算出澳洲坚果的干燥活化能为159.5kJ/mol。 相似文献
24.
25.
文章从力学基本概念、传力途径及受力载体等方面结合工程实际阐述在土建监理中如何正确把握力学概念,科学地、合理地开展监理工作. 相似文献
26.
研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器.有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层.这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制.当电流通道为5μm宽时,获得了12.9mA的阈值电流和0.47W/A的斜率效率.与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比,这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了31.7%,斜率效率稍微有所提高.低阈值和高效率的特性表明,氧化AlInAs波导层能够提供良好的侧向电流限制.这种AlInAs氧化物限制的激光器垂直方向的远场半高全宽角为36.1°,而水平方向的是21.6°,表明AlInAs氧化物对侧向光场也有很强的限制能力. 相似文献
27.
28.
29.
30.
宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器 总被引:1,自引:1,他引:0
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100~250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0~250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率. 相似文献