10Gbit/s高T0无制冷分布反馈激光器

与折射率耦合分布的分布反馈（DFB）激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性．本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行了单纵模激光器研发,并对器件特性进行了测试分析．     

1.3微米低阈值大功率基横模BH InGaAsP/InP激光器

我们采用二次液相外延技术,成功地研制出1.3微米低阈值,大功率,基横模BH InGaAsPInP激光器,其室温连续工作阈电流低至 10mA,单面微分量子效率达到 31％,最大线性光功率输出为20mW~*/facet以上,在2.5倍阈值的工作电流下仍可稳定的基横模工作.     

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100～250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1.55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率．     

低阈值1.5μm平面掩埋脊型(PBR)分布反馈激光器

采用质子轰击的PBR 结构,研制了室温阈电流小于15mA,高稳定单纵模输出的1.5μmDFB激光器.为今后研制长寿命无致冷1.5μmDFB激光器组合件奠定了基础,在大温度范围(-40-+60℃)和大工作电流范围(1.2-3I_(th)内可稳定单纵模工作,边模抑制比(SMSR)可达30dB以上.静态线宽一般为30-40MHz,最窄可低于20MHz.器件经50℃恒功加速老化实验,外推20℃连续工作时间已超过3000小时无显著退化迹象.本器件已首次在国内做为信号源成功地用在140Mb/S相干光通信系统上.     

1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器

用两次液相外延的方法制备了 1.55μm掩埋条型 InGaAsP/InP双异质结激光器.室温下的阈电流低达55mA.在接近3格阈值时,器件的光强-电流特性仍保持良好的线性度.直到1.6倍阈值时仍可得到稳定的单纵模、基横模工作.     

制管工艺中问题的讨论

本文讨论双异质结激光器工艺中的二个问题: 一、管芯烧结中的问题和不同形状的热沉对器件性能的影响。二、器件热处理前后的比较。如何把DH激光器烧结得好,这不仅直接关系着器件的机械性能,而且直接影响着器件的热导和应力。如果能烧得好,就可以使管芯激射,并且能提供最高的功率输出,否则最大功率输出就将降低,以至会造成管芯无法激射。因此研究合适的烧结工艺及轰击热处理条件是研制双异质结激光器不可缺少的一环。     

半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器

研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ源／Ｉｎ源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长掺Ｆｅ半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０８Ω·ｃｍ,击穿电场４×１０４Ｖ／ｃｍ．用半绝缘Ｆｅ－ＩｎＰ掩埋１．５５μｍ多量子阱激光器,激光器的高频调制特性明显优于反向ｐｎ结掩埋的激光器,３ｄＢ调制带宽达４．８ＧＨｚ．     

质子轰击条形GaAs—Al_(0.3)Ga_(0.7)AsDH激光器的增益特性

一、引言在半导体激光器的各种特性和参数中,最经常遇到的测量是阈电流密度和微分量子效率,它们是表征器件性能的最重要的参数之一。激光器有源区中,光增益达到谐振腔总损失时,激光器便建立了受激光振荡。注入式激光器的光增益是由正向注入电流产生,光增益是表示通过单位长度有源材料光子能量的相对增加量,它与材料的带尾结构、导带电子的分布和晶体的完整性或缺陷等有关,增益特性还与异质结界面的晶格匹配、有源区少子注入效率、器件结构等有关。激光器的光增益特性直接影响着阈电流密度的大小,此外激光器波导和谐振腔总损耗的大小,也直接影响激光器的阈电流密度和微分量子效率。通过对激光器增益特性的测量可以检定有区材料的性能、波导谐振腔的质量和界面的好坏。     

用瞬态电容谱技术观察AlGaAs DH结构中的深能级

用瞬态电容谱技术(DLTS)能探测到10~(-3)×|N_D—N_A|的深能级中心。能量范围从0.2ev到禁带中心。实验中测量了宽接触,条形以及老化各阶段的AlGaAsDH结构。给出了各样品典型的DLTS谱。着重观察0.35ev(LE_2),0.89ev(LE_4)及LED三个电子陷阱的特性,讨论了这些能级与器件工艺和性能之间的关系。概述了这些深能级与衰退机理之间的联系。     

InP和InGaAsP晶体上衍射光栅的刻制技术

采用全息光刻的技术,在InP 和InGaAsP晶体上刻制亚微米衍射光栅,获得较好的重复性和均匀性,并已应用于研制长波长分布反馈激光器.