基体温度对磁控溅射沉积ZAO薄膜性能的影响

利用中频交流磁控溅射方法 ,采用氧化锌铝陶瓷靶材 [w(ZnO) =98%、w(Al2 O3 ) =2 % ]制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜 ,观察了基体温度对ZAO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响 ,采用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析 ,采用光学分度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性 ,采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率。结果表明 :沉积薄膜时的基体温度对薄膜的结构、结晶状况、可见光透射率以及导电性有较大的影响。当基体温度为 2 5 0℃ ,Ar分压为 0 8Pa时 ,薄膜的最低电阻率为 4 6× 10 -4Ω·cm ,方块电阻为 35Ω时 ,可见光 (λ =5 5 0nm)透射率高达 92 0 %。     

五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性

本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1～ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度     

UG NX2在模具复杂曲面设计及制造中的应用

介绍了利用UG NX2设计制造模具复杂曲面的工作过程，缩短了设计时间，同时介绍了UG NX2在模具复杂曲面中CAD／CAM的基本方法和一般步骤。     

基于最小二乘支持向量机的多属性决策*

分析多属性决策问题, 提出了基于最小二乘支持向量机的多属性决策方法。该方法从决策问题本身出发,构造学习样本,再通过最小二乘支持向量机拟合出多属性效用函数,从而实现对方案的排序。该模型与支持向量机相比,参数少,算法简单、可靠。最后通过算例表明方法的可行性与有效性。     

超高速比例电磁铁的静态研究

在三维电磁场有限元方法理论基础上,运用有限元分析软件——ANSYS对比例电磁铁进行静态研究。在其他条件相同的情况下,改变永磁体的块数,分析线圈上磁感应强度分布和线圈输出力的大小变化情况;在设计行程范围内改变线圈位置,分析线圈输出力的大小变化情况;改变线圈输入电流的大小,分析线圈输出力的大小变化情况。为比例电磁铁的设计、优化提供了重要的理论依据。     

双层预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响

采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上依次沉积了Mo、CuIn、CuGa薄膜,制备了CuInGa（CIG）双层预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu（In1-xGax）Se2（CIGS）吸收层薄膜,考察了CuGa层制备过程中工作气压的改变,对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,改变溅射制备CuGa层的工作气压,所获得的CIG双层预制膜均由Cu11In9、CuIn和CuGa组成。在溅射制备CuGa层的工作气压为1．0Pa的条件下所获得的CIG双层预制膜经过硒化后,获得的CIGS薄膜致密。采用不同结构的双层预制膜,在不同的硒化时间下制备的CIGS薄膜,均具有黄铜矿相结构,薄膜具有（112）面的择优取向。     

动圈式直线电机的高响应特性研究

针对常规电机在输出电磁力、响应时间和响应速度等特性上的不足,基于线圈组合变换的电感和电阻对时间常数和电流的影响,对动圈式直线电机的载流线圈采用分割与组合变换的方法,对其响应时间、输出位移、输出电磁力和加速度进行了数学建模和仿真分析。结果表明:在单位阶跃信号输入下,均匀分割的线圈组件通过并联设计,其位移的阶跃响应由14.6 ms以上减小到9.94 ms以内,响应速度至少增加了1倍,电磁力由原来的10.8 N增加到93.2 N,加速度也提高了8倍。     

基于扩展分形和CFAR特征融合的SAR图像目标识别

研究了多信息融合技术在SAR图像目标识别中的应用。将扩展分形特征(Extended Fractal)与双参数恒虚警特征(Double Parameter CFAR)形成的多信息进行融合处理。运用Dempster-Shafer证据理论，在决策层对SAR图像中的像素进行识别分类。实验结果表明通过融合对像素分类的准确性明显好于单特征的检测结果，减少了虚警概率，提高了系统的识别能力。