先驱体转化法制备C/C-SiC复合材料研究

以多孔C/C复合材料为预制型,聚碳硅烷(PCS)为先驱体,制备了C/C-SiC复合材料。研究了浸渍液浓度和不同C/C复合材料预制体密度等级对C/C-SiC复合材料的密度和力学性能的影响。结果表明:当浸渍液浓度为50%时,复合材料的密度均达到最佳值;不同的预制体密度对制得的复合材料性能有很大的影响,其中初始密度为1.2g/cm3试样制得的复合材料性能达到最优,其密度达到1.786g/cm3,弯曲强度达204.1MPa,剪切强度为16.1MPa,断裂韧性为6.83MPa·m1/2。     

非铅基压电陶瓷体系的研究及进展

说明了铅基压电陶瓷与环境保护的不协调性以及锆钛酸铅 (Pb(Zr,Ti)O3 )系列材料的不足。系统地总结了目前已有的和研究中的非铅基压电陶瓷体系 ,介绍了各体系展开的研究工作 ,归纳了成功的经验。详细论述了钛酸铋钠 ((Na0 .5Bi0 .5)TiO3 )为基的系列无铅压电陶瓷材料体系和铋层结构材料 ,并针对这两个体系阐述了在各自的研究中有待进一步解决的问题。     

保温时间对0．98（K0．5Na0．5）NbO3-0．02LaFeO3陶瓷电性能的影响

研究保温时间对0．98（K0.5Na0.5）NbO3-0．02LaFeO3（缩写为0．98KNN-0．02LF）无铅陶瓷相结构、显微组织、介电性能及铁电性能的影响。所有烧结样品均为纯的伪立方钙钛矿相,保温时间对相结构影响不大。随着保温时间的延长,样品的XRD衍射峰逐渐增强,并且向低角度移动。SEM观察结果显示,随着保温时间的延长,陶瓷样品的致密性提高,晶粒异常长大并出现孪晶结构。介电温谱表明,随着保温时间的延长,介电性能有所降低。电滞回线结果表明,2Pr随着保温时间的延长而增大的程度有所减小,而2E略有增加。在1150℃烧结2h得的到陶瓷的性能较优：εr=2253,tanδ〈5％,2Pr=34．51μC／cm2,2Ec=5．07kV／mm。     

PMS-PZT压电陶瓷的制备及性能研究

采用传统陶瓷工艺制备了PMS-PZT三元系压电陶瓷,分析了其粉体和陶瓷样品的相结构组成,测试结果表明在预烧粉体中随着PMS含量的增加,焦绿石相也增加,在所有陶瓷样品中均为100%的钙钛矿结构;研究了室温下PMS含量对相对介电常数er、介质损耗tgd、居里温度tC、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm和压电常数d33的影响,实验表明随着PMS含量的增加,材料逐渐变硬,er、tC、kp和d33逐渐减少,tgd和Qm逐渐增加。     

纳米颗粒包覆方法的研究进展及其应用

综述了近年来国内外对纳米颗粒进行表面改性所采用的包覆方法,包括固相法和沉淀法、溶胶-凝胶法、化学镀法、聚合物包裹法等液相化学法。主要从包覆机理、表征方法、包覆方法及应用进行综述,指出了这些包覆方法的技术关键及优缺点,重点介绍了溶胶-凝胶包覆方法及其应用。并展望了包覆技术的发展前景。     

压电陶瓷晶粒取向生长技术的研究进展

由于取向生长技术可以显著地提高压电陶瓷的性能, 并且不会降低材料的居里温度, 故压电陶瓷的晶粒取向生长技术已成为研究的热点. 本文分别从定向凝固技术、多层晶粒生长技术、模板晶粒生长技术和反应模板晶粒生长技术等四个方面,归纳和分析了近年来压电陶瓷晶粒取向生长技术的研究进展,并对压电陶瓷晶粒取向生长技术今后的研究和发展提出一些建议.     

基于遗传算法的多目标定位技术

面对一般算法在多目标定位技术中难以求解的问题 ,利用遗传算法技术 ,给出了一个完整的多目标定位算法 ,包括空间数据的编码与祖先群体的生成、个体适应度的评价、个体的选择、交叉与变异等步骤 ,解决了该技术中一般算法复杂度为指数的问题     

配筋钢管混凝土短柱轴心受压有限元分析

采用非线性有限元方法对配筋钢管混凝土短柱进行分析,研究了其在轴心荷栽作用下的承载力,对影响其承栽力的各种因素进行了分析,并给出了配筋钢管混凝土的适用条件及设计建议,为其工程应用提供了指导。     

沿海某型飞机镁合金零部件腐蚀与表面防护

针对沿海某型飞机镁合金零部件出现的腐蚀现象 ,分析、归纳出其腐蚀类型为点蚀和电化学腐蚀 ;潮湿的盐雾环境和化学氧化膜的薄而软是引起腐蚀的主要原因。镁合金微弧氧化陶瓷膜的耐蚀性能比化学氧化膜和阳极氧化膜有大幅度的提高 ,可以防止潮湿的盐雾腐蚀     

NbO3-LiNbO3无铅压电陶瓷的烧结特性和压电性能研究

采用传统陶瓷烧结工艺制备了（1-x）（K0．5Na0．5）NbO3-xLiNbO3无铅压电陶瓷，研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征．制备的（K0．5Na0．5）NbO3-LiNbO3陶瓷为单一的钙钦矿结构，室温下其相结构随LiNbO3含量增加逐渐由正交相向四方相转变，显微结构也由于LiNbO3含量的不同而表现出很大差异．与（K0．5Na0．5）NbO3陶瓷相比，（K0．5Na0．5）NbO3-LiNbO3陶瓷的烧结温度降低，烧结特性得到改善．（K0．5Na0．5）NbO3-LiNbO3陶瓷表现出优越的压电性能，其中0．94（K0．5Na0．5）NbO3—0．06LiNbO3（x=0．06）陶瓷的压电常数d33达到205pC／N，机电耦合系数kp为40．3％，kt达到49．8％．