InAs／GaSbⅡ型超晶格红外探测器的发展

InAs/GaSbⅡ型超晶格具有特殊的能带结构,做成的探测器工作波长可覆盖3～30 μm,文中阐明了Ⅱ型超晶格探测器的工作机理,并综述了目前国外利用InAs/GaSbⅡ型超晶格能带结构的特殊性广泛开展对其材料和器件研究的新进展.     

湿度传感器技术展望

随着工业的发展,湿度监测已广泛地应用在仪器仪表、自动控制系统,农业、气候和环境等各个领域。文中以近十几年的文献资料为基础,介绍了目前利用电学、声学和光学各种不同原理制作的湿度传感器,比较了采用陶瓷,半导体、聚合物和纳米等敏感材料制备的湿度传感器对其灵敏度、湿滞,恢复和响应时间等的影响,给出了一些市场上流行的湿度传感器性能指标。并对未来湿度传感器产品应用、制造材料、工艺的趋势做了展望。     

温度和材料参数对InAsxSb1-x俄歇复合寿命影响的数值分析

工作在中长波的红外探测器可被广泛应用在空间成像、军事和通信等领域,锑基InAsSb材料由于其特殊的性质是制作长波非致冷光子探测器的理想材料。俄歇复合寿命是影响探测器性能的重要因素之一,文章采用Matlab软件模拟研究了n型和p型InAsxSb1-x材料的俄歇复合寿命随温度、As组分及载流子浓度的变化。对确定的As组分,可通过优化工作温度及载流子浓度获得较长的俄歇复合寿命。当载流子浓度为3.2×1015 cm-3、温度为200K时,n型InAs0.35Sb0.65的俄歇复合寿命最大为2.91×10-9 s。     

XRD对ZnO 薄膜生长条件和退火工艺的优化

利用等离子体MOCVD设备在(001)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析,优化了薄膜的生长条件,长出了半高宽仅为0.15°的单一取向的高质量ZnO薄膜,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力,而生长结束后一次退火却引入了压应力。     

适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质

研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质 ,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构 ,器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性 ,实现了偏振灵敏度小于 0 5dB ,10 0mA偏置时可达 0 1dB。在较大的电流范围内 ,峰的半高全宽 (FWHM)为 4 0nm。     

含磷组分薄膜对InGaAsP/InP多量子阱无序处理的影响

报道了采用不同的电介质薄膜SiO2、SiOxNy、Si3N4和SiOxPyNz及其组合用于InGaAsP/InP多量子阱材料的包封源.在高纯氮气保护下经850℃、7s的快速退火处理,结果发现:含磷组分SiOxPyNz电介质薄膜包封下的InGaAsP/InP量子阱带隙展宽十分显著,高达224meV,PL谱峰值波长蓝移342nm,半宽较窄仅为25nm,说明量子阱性能保持十分良好,并对此现象的成因做了初步分析.     

适于单片集成光发射机制作的正装GaAlAs／GaAsBH激光器

本文研究了一种用于单片集成光发射机而制作的正装ＳＩ衬底上的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓＢＨ激光器。其制造工艺简单，全部结构由两次外延形成，目前条宽６－８μｍ，腔长２５０μｍ的ＨＢ激光器已实现了室温连续工作，典型阀值电流为４０－５０ｍＡ，最低阀值电流为２８ｍＡ。     

沟道SI－GaAs衬底上正装GaAlAs／GaAs BH激光器的制作

介绍了宽沟道ＳＩ－ＧａＡｓ衬底上的ＢＨ激光器的制作，全部结构由两次外延形成，阈值电流为５５ｍＡ。在Ｉ＝２Ｉｔｈ时，Ｐ－Ｉ曲线仍保持良好的线性关系。     

异质结光电晶体管增益特性分析

从理论上分析了用宽带隙材料作发射区的ｎ－ｐ－ｎ光电晶体管可提高其发射区注入效率，就ｎ－ｐ－ｎ光电三极管的增益特性进行了研究，给出了光增益与电增益的关系。     

利用弯曲光纤探头检测液体浓度

介绍了一种利用弯曲光纤探头作为传感器件来测量液体浓度的系统，并使用单片机进行控制和数据处理，实现了系统的智能化。其结果表明，对于小区域的浓度测量，具有速度快、实时性强等优点，实时性强等优点，测量精度可达到２．５％，非线性误差小于０．２％。