快淬速度对Nd2Fe14B/α-Fe纳米复合永磁材料结构和磁性能的影响

利用熔体快淬法制备了(Nd0.9Dy0.1)9(Fe0.9Co0.1)85.5B5.5快淬薄带,研究了快淬速度对晶化过程、晶化后薄带的结构及磁性能的影响.研究发现,快淬速度不同,薄带的非晶程度不同,晶化过程存在很大差异;在快淬速度为12m/s时,快淬薄带中已存在一定的晶态相,晶化后的晶粒细小均匀,磁性能较高;而当快淬速度达到18m/s和25m/s时,合金晶化后的晶粒粗大且不均匀,磁性能较低.     

平面磁化/垂直磁化双层耦合膜的磁化方向分析

平面磁化/垂直磁化双层磁光薄膜之间交换耦合作用的控制是中心孔探潮型磁超分辨(CAD-MSR)技术的关键．本文根据磁能分布的连续模型，通过一定的数值方法和边界条件解磁能量方程．总结了单层膜磁交换常数、有效各向异性常数和饱和磁化强度对读出层磁化方向的影响规律．计算结果表明，要实现CAD-MSR，平面磁化层的饱和磁化强度必须有随温度升高而下降的趋势，而记录层的饱和磁化强度最好随温度升高而增大．计算结果将对两层耦合膜实验中材料的选取有直接的指导作用．     

PT种子层对PZT薄膜结晶及压电性能的影响

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Si衬底上制备了PbTiO3 (PT)薄膜和Pb (Zrx,Ti1-x)O3(PZT)薄膜,研究了退火温度以及PT种子层对PZT薄膜结晶及压电性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,制备的PZT薄膜为纯钙钛矿结构的多晶薄膜,有PT种子层的PZT薄膜晶粒尺寸更大,(110)面取向度更高,结晶性能更好;原子力显微镜(AFM)结果表明,制备的薄膜表面形貌比较平整、均匀、无裂纹;压电力显微镜(PFM)结果表明,压电力显微镜(PFM)结果表明,有PT种子层时,PZT薄膜的平均压电系数d33为128～237 pm/V,无PT种子层时平均压电系数d33为21～29 pm/V。在升温速率为10 ℃/s的退火条件下保温10 min时,随着退火温度的升高,PZT薄膜晶粒尺寸增大,粗糙度增大,(110)面取向度升高,平均压电系数d33增大。PT种子层能够有效的改善PZT薄膜的结晶性能和压电性能。     

聚焦光斑磁光极克尔磁滞回线的热效应分析

实验设计并组建了一套磁光极克尔磁滞回线测量装置,该装置可以通过改变照射到样品上的激光功率来改变薄膜样品上被聚焦光斑照射的测试点的温度。同时通过计算模拟了激光照射在TbFeCo磁光薄膜上的温度分布情况,得到了薄膜的矫顽力随照射激光功率的变化关系,由此可以确定薄膜的居里温度和补偿温度。为研究磁光薄膜样品在各种温度条件下,磁光性能的变化以及多层磁光薄膜的磁耦合效应提供了有效的手段。