磁光记录及其介质

磁光记录作为可擦除式光盘存储是当前最有吸引力的光存储技术.它具有光盘存储容量大的特点,又有磁记录随录随取的优点.另外,提高磁盘的记录密度,必须减小磁头的尺寸,降低磁头和盘面的间距和减薄介质的厚度,这在技术上遇到了相当大的困难.但是,光存储技术是非接触式的,作为录放头的半导体激光器又极易聚焦,它不仅克服了技术上的难点,又提高     

GdFeCo/AIN/DyFeCo静磁耦合多层薄膜磁化方向转变的研究

对GdFeco／AIN／DyFeco静磁耦合多层薄膜变温磁化方向变化进行了研究。结果表明读出层GdFeCo随温度上升从平面磁化转变成垂直磁化，转变过程中受饱和磁化强度(M)和有效各向异性常数影响，但主要受饱和磁化强度(M)的影响。在高温时读出层的磁化强度很小，退磁场能减小，在静磁耦合作用下，使GdFeCo读出层的磁化方向发生转变，而且磁化方向的转变在较小的温度范围内变化较快。     

Sol-gel法制备(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜

采用柠檬酸络合物型溶胶 凝胶法首次制备得到了具有垂直各向异性的(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜,并对材料结构和磁光性质进行了研究,结果得到石榴石磁光记录薄膜磁滞回线具有较好的矩形比,在430nm和520nm的品质因子为2°和1.5°,最佳晶化温度为675℃。     

Al,Ga取代Bi：DyIG薄膜的磁和磁光特性的研究

本文报道用热分解法在玻璃衬底上制备了Ａｌ和Ｇａ取代的Ｂｉ：ＤＹＩＧ薄膜，对其磁和磁光特性做了详细研究．Ａｌ和Ｇａ取代的薄膜均可获得好的矩形比和高的矫顽力．对于Ｂｉ１．２Ｄｙ１．８Ｆｅ５－ｘＭＸＯ１２（Ｍ＝Ａ１，ＧＺ）薄膜，Ａ１和Ｇ２的最佳替代成份分别为１．０和Ｇ．７；最佳晶化温度分别为７００ｏ℃和６７５℃．在波长５１０ｎｍ附近，法拉第旋转角可达８°／ｕｍ左右．光学吸收和品质因子的研究结果表明，Ａｌ和Ｇａ取代能够影响光学吸收和品质因子，其中Ｇａ取代对光学吸收和品质因子的影响较大．     

可录CD无机存储介质──AgOx的研究

本文研究了AgOx薄膜的光学性能、分解过程和记录特性．研究表明，在氩气分压为0.67Pa和氧气分压为2.0Pa的条件下，反应溅射制备的AgOx薄膜是非晶态的，在400℃热处理时，完全分解为Ag;本文成功地对AgOx薄膜进行了静态写入实验，AgOx有望成为一种新的CD－R存储介质．     

磁记录介质的表面形貌和磁结构的观测

使用磁力显微镜和偏光显微镜观测了硬磁盘，磁光盘，录像带，录音带和磁卡的表面形貌和磁结构，揭示了磁记录介质的信息存储状态，对于不同的记录模式，介质的磁结构截然不同，并且表面平整度也有差别，记录密度越高，介质表面越平整。     

新型磁存储介质L10有序FePt薄膜研究综述

L10有序FePt合金薄膜有大的各向异性能、矫顽力和饱和磁化强度,而且根据制备工艺条件的不同,其易磁化轴可以平行或垂直于膜面,因此极有可能成为下一代超高密度磁存储的介质,近年来引起了广泛的关注.详细介绍了Fept薄膜近年来的研究结果,分析了其大矫顽力的机制、降低有序化温度、控制易磁化轴取向、降低粒子间相互作用的方法等对磁存储至关重要的问题,并对其在磁存储中的应用前景作了分析.     

超高密度磁存储的展望

磁性存储是最常用的海量存储技术,其记录密度越来越高,发展也越来越快。本文通过对信息记录、读出和存储三个过程的分析,对比了硬磁盘记录、垂直磁记录和磁光记录的优缺点,指出了采用垂直记录模式、非晶结构合金薄膜或铁氧体薄膜介质是实现超高密记录的方向,光辅助磁记录是很有希望的记录技术。同时,还指出量子磁盘技术是未来高密记录的方向。     

稀土元素-过渡族金属非晶态磁性薄膜的激光热磁记录

本文介绍激光热磁记录装置及Gd-Co非晶态磁性薄膜的静态记录特性。     

磁光记录及其介质

<正> 磁光存储的思想最早由H.J.Wil-liams于1957年提出。他对具有垂直磁化的MnBi薄膜用磁笔实现了磁化反转(法拉第效应观察磁畴),予示了记录信息的可能性。次年L.Mayer用居里点原理实现了记录。此后出现了磁光存储技术的开发。