溶胶-凝胶法制备铁电薄膜材料研究进展

铁电薄膜是一类重要的功能材料,是近年来高新技术研究的前沿和热点之一.溶胶-凝胶法是制备铁电薄膜的一种重要方法.综述了溶胶-凝胶法制备铁电薄膜的原理(包括水溶液法和醇盐法)、工艺过程(包括前驱体溶液的配制、溶胶的制备、涂覆、凝胶的干燥、热处理)、特点和采用此方法制备出的某些材料的铁电性能.最后指出,溶胶-凝胶法制备铁电薄膜工艺仍需优化和改进,薄膜的质量急待提高,以适应器件的要求.     

本科生毕业设计质量的影响因素及改革措施

毕业设计(论文)要求学生综合运用所学理论知识分析和解决实际问题。联系毕业设计(论文)教学环节中存在的问题,分析了影响工艺性专业本科学生毕业设计(论文)质量的主要因素,提出了改进毕业设计教学,提高学生毕业设计(论文)质量的措施。     

铁电薄膜光伏效应研究进展

铁电材料由于具有反常的光伏效应(光生电场高达103~105 V/cm),理论上存在较高的光电转换效率,在太阳能光伏领域具有潜在的应用前景而备受关注。然而,由于铁电材料带隙通常较大、导电性差等因素导致其光生电流较低、光电转换效率还有待进一步提高。弄清铁电光伏效应是增强其转换效率的重要前提。但关于铁电材料光伏效应的起源目前还没有定论,其机制也一直存在争议。基于以上考虑,本文综述了铁电薄膜光伏效应的研究进展,详细阐述了影响光伏效应的各种因素及铁电薄膜光伏效应的机制,并提出了亟待解决的问题。     

Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的微结构及铁电性能研究

采用射频磁控溅射法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(简称BST)薄膜材料,研究了BST薄膜的组成、晶体结构、表面形貌及介电性能.介电偏压特性曲线和电滞回线都表明其具有铁电性,厚度为500 nm、晶粒尺寸为30 nm的BST薄膜,介电系数电压变化率(介电调谐率)为29.4%,矫顽场强(EC)约为12.1 kV/cm,并讨论了介电偏压特性曲线和电滞回线之间的联系,解释了电滞回线不对称的原因.     

金属离子同晶置换对TiO2A→R相变的影响研究

二氧化钛的金红石型（Ｒｕｔｉｌｅ）和锐钛型（Ａｎａｔａｓｅ）产品中,前者具有更广泛的用途、更好的性能、更高的价格。锐钛型ＴｉＯ２转变为金红石型ＴｉＯ２（简称Ａ→Ｒ相变）的温度通常为 ６１０℃～ ９１５℃,且转化时间较长。由转变温度一时间关系图［１］可以发现,在８００℃煅烧２４ｈ也难以使转化率达到１００％。在工业生产中,通常用的回转窑只能加热到 ８００℃左右,因而需要采取措施来降低转化温度,提高转化率． 不少研究人员指出,在ＴｉＯ２的煅烧过程中引入杂质离子、有机物、氧化物等可以抑制或促进ＴｉＯ２的Ａ→…     

射频磁控溅射法制备BST薄膜及性能研究

采用射频磁控溅射法制备了钛酸锶钡薄膜材料,研究了薄膜的晶体结构和微观形貌,测试了其偏压特性曲线和电滞回线。初步探讨了εr-E曲线、电滞回线发生平移的原因：上下电极与钛酸锶钡薄膜间的界面势垒不对称。     

锆钛酸钡薄膜材料制备研究进展

综述了磁控溅射、脉冲激光沉积、sol-gel法制备锆钛酸钡(简称BZT)薄膜的研究现状,及其制备工艺参数与显微结构、介电性能的关系,提出了制备BZT薄膜材料需要解决的工艺和理论问题。     

微波合成Mg2Si1-xSnx热电固溶体

为了解决传统方法制备Mg2Si1-xSnx(0≤x≤1.0)固溶体过程中带来Mg的氧化和挥发等问题,引进微波低温合成法制备Mg2Si1-xSnx热电固溶体,用XRD及SEM分析手段对合成的块体的物相和形貌进行表征,并研究Mg2Si1-xSnx化合物的热电特性和在微波场中的加热特性以及合成工艺对Mg2Sil xSnx压坯制备的影响。结果表明:Mg2Si1-xSnx压坯在微波场中的加热升温曲线与Mg2Si1-xSnx压坯密度相关,随压坯密度增大,升温速率降低;XRD分析表明在微波辐射下Mg2Si1-xSnx形成了良好的固溶体;在测试温度范围内,Mg2Si1-xSnx在500 K温度下最高的ZT值达到0.26。     

二维多铁材料制备与性能调控研究进展

综述了二维多铁材料的物理和化学制备方法，简要介绍了其性能调控手段，包括掺杂、引入缺陷和形成异质结，并在此基础上展望了二维多铁性材料目前存在的问题及未来的研究方向。     

BiFeO3 多铁薄膜掺杂改性研究进展

铁酸铋是目前发现的唯一的室温单相多铁性的材料,其禁带宽度较小,剩余极化强度较大,居里温度较高,在光电器件、自旋电子器件、铁电随机存储器、磁电存储单元等领域有着广阔的应用前景。但铁酸铋薄膜存在漏电流较大、磁电耦合性较弱等问题,制约了在实际中的应用。离子掺杂具有操作方便、易于实现薄膜的微结构及性能调控等优点,因而受到广泛关注。综述了国内外近年来关于铁酸铋薄膜电性能掺杂改性的相关工作,阐述了不同种类的掺杂,包括A位(三价镧系元素与二价碱金属元素)、B位(过渡金属元素等)以及AB位共掺杂,同时根据掺杂对铁酸铋薄膜的漏电流、铁电性以及介电性能的影响,对A位掺杂和B位掺杂中的元素进行了分类,系统总结了各类元素掺杂改性的效果及其机理。最后,提出了铁酸铋薄膜亟待解决的问题。