高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析

制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2.     

高质量立方相InGaN的生长

利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一个简单模型解释了在改变 TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律 ,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻合 ,由此推断 ,在现在的生长条件下 ,表面单个 Ga原子作为临界晶核吸附 Ga或 In原子实现生长的模型与实际情况较为接近 .对于晶体质量的变化也给予了说明 .得到的高质量立方相 In Ga N室温下有很强的发光峰 ,光致发光峰半高宽为 1 2 8me V左右 .     

冬荪液体深层培养不同时期胞外代谢物研究

为探究冬荪液体深层培养不同时期代谢物动态变化及其关系,基于液体深层培养技术,超高效液相色谱-串联飞行时间质谱联用技术研究了不同发酵时间菌丝体分泌物差异情况。结果表明,534种差异代谢物隶属于有机酸及衍生物、有机氧化合物、苯丙素和聚酮类化合物等13个不同化学类别,有机酸类化合物占比为17.978%是发酵环境成酸性的主要原因。通过主成分分析和正交偏最小二乘判别分析,以FC>1.5或FC<0.67,P value<0.05为条件筛选鉴定到大豆苷,大豆苷元,水苏糖,反式-4-羟基-L-脯氨酸,L-二氢月桂酸盐,UDP-GlcNAc等37种特征代谢物。KEGG通路分析表明,差异代谢物显著富集在ABC转运蛋白、cAMP信号通路、半乳糖代谢等86条代谢途径,推测了冬荪水苏糖等胞外多糖的合成路径,对鬼笔属真菌胞外多糖研究具有指导意义。不同发酵时间代谢物种类和数量远高于已研究报道的子实体和菌丝体化学成分,为今后深层研究冬荪活性成分提供理论参考。     

注浆刚性微型桩复合地基在某工程中的应用

注浆刚性微型桩复合地基兼有微型桩复合地基处理和注浆加固处理的双重效果,在一些场地狭窄地段或大型设备无法展开施工的情况下具有其独特的优势,可获得良好的加固效果。通过北京某实际工程的成功应用,对注浆刚性微型桩的设计方法、施工工艺加以总结。     

辣椒籽不溶性膳食纤维碱法提取工艺研究及其理化性质分析

以辣椒籽为材料,采用碱法提取辣椒籽不溶性膳食纤维(insoluble dietary fiber, IDF);以辣椒籽IDF提取率为指标,通过单因素试验结合响应面分析对提取工艺进行优化,确定最优提取条件,并分析最优条件下提取的IDF成分组成和微观结构。结果表明,最佳工艺条件为：NaOH浓度0.26 mol/L、碱解时间94 min、碱解温度40℃、料液比1∶18(g∶mL),此时IDF提取率可达68.01%,与理论值67.83%相比,差异不显著;IDF的持水力、持油力以及膨胀力均随目数的增加而显著下降(P<0.05);膳食纤维是辣椒籽IDF的主要组成成分,含量达80.93%,IDF具有典型的膳食纤维网状结构。以上结果说明碱法提取的辣椒籽IDF提取率高,品质优良,此工艺可有效地从辣椒籽中提取不溶性膳食纤维,该研究将为辣椒籽IDF的开发应用提供数据支撑。     

Suppression of electron leakage in 808 nm laser diodes with asymmetric waveguide layer

Electron leakage in GaAs-based separately confined heterostructure 808 nm laser diodes (SCH LDs) has a serious influence on device performance. Here, in order to reduce the energy of electrons injected into the quantum well (QW), an AlGaAs interlayer with a smaller Al component is added between the active region and the n-side waveguide. Numerical device simulation reveals that when the Al-composition of the AlGaAs interlayer and its thickness are properly elected, the electron leakage is remarkably depressed and the characteristics of LDs are improved, owing to the reduction of injected electron energy and the improvement of QW capture efficiency.     

复合土钉墙的变形与稳定性分析

复合土钉墙在软土地基基坑工程中得到广泛的应用,其变形和稳定性分析是设计施工中的重要问题。采用平面应变有限元结合实际工程分析了复合土钉墙和搅拌桩重力坝的变形特性,土体本构模型采用硬化模型模拟土在卸荷条件下的变形特性,并在数值分析中利用强度折减法分析基坑开挖后的稳定性。文中给出了各典型工况下的围护结构工作性状,可为设计与施工提供参考。     

高档普采工作面的矿压观测

一、概况自家庄矿2~#井22410工作面位于710大巷东北面约100m处,其右侧为已采工作面,左侧是未采区,距地表深为244～250m。所开采的2~#(9尺)煤层呈单斜构造,平均厚度2.43m,倾角13°～15°。煤层自顶板往下0.8m处有一层夹石,厚度为0.05～0.15m,煤层底板无底鼓现象,见图1。     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭。实验发现非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者的却有明显减小;稍后再次加淬灭光前者的持续光电导无变化,而后者的有明显增加。我们认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭;认为掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位。     

加强企业内部制度控制 不断提升企业管理水平

加强企业内部控制是提高企业管理水平的重要手段,同时加强企业内部控制对有效规避企业投资决策失误,保障企业经济效益的最大化同样有着不可替代的作用。本文主要阐述了企业内部控制所包含的各要素,并对企业内部如何制定科学、合理、严谨的控制制度进行了分析,进而提出了建立企业内部控制制度的各种保障措施。希望通过本文的论述能够有效地提升企业内部控制能力,不断提高企业管理水平。