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21.
基于分子束外延(MBE)生长技术获得了高量子效率的InAs/GaSb T2SLs中波红外(MWIR)光电探测器结构材料,表现出了层状结构生长的光滑表面和出色的晶体结构均匀性。此超晶格中波红外探测器的50%截止波长约为5.5 μm,峰值响应率为2.6 A/W,77 K下量子效率超过了80%,与碲镉汞的量子效率相当。在77 K,-50 mV偏压下的暗电流密度为1.8×10-6 A/cm2,最大电阻面积乘积(RA)(-50 mV偏压)为3.8×105Ω·cm2,峰值探测率达到了6.1×1012 cm Hz1 / 2/W。 相似文献
22.
近年来,为解决传统介质谐振器天线(dielectric resonator antenna, DRA)体积庞大等问题,新颖的低剖面DRA如介质贴片天线和平面介质天线被提出并迅速成为研究热点. 然而,现有的低剖面DRA设计要么平面尺寸较大(>0.5λ0×0.5λ0),要么带宽较窄(<10%),限制了它们的实际应用. 文中提出了一种具有小型化平面尺寸的宽带低剖面DRA. 本天线采用介质贴片设计,顶部为高介电常数的介质贴片,中间为低介电常数的介质基板,底部为缝隙馈电结构. 缝隙馈电结构可激励起介质贴片谐振器的基模TE111和高次模TE131两种工作模式,这两种模式的场分布在贴片边缘部分存在基模场强较弱而高次模场强较强的显著区别. 本设计巧妙地利用了该区域的模式场强区别,通过略微增加贴片边缘部分高度来显著影响高次模谐振频率而轻微影响基模谐振频率,从而将高次模TE131的谐振频率迅速下拉并与基模TE111的谐振频率靠近合并,在不增大介质贴片平面尺寸的前提条件下获得宽带工作效果. 本天线的三维尺寸为0.35λ0×0.35λ0×0.08λ0 (λ0为中心频率处的空气中波长),线极化实物案例测试结果表明该天线具有18.5%的?10 dB阻抗带宽以及7.3 dBi的最大增益. 该天线平面尺寸小,适用于具有波束扫描功能的阵列天线设计;且提出的设计理念还可进一步拓展应用于圆极化天线设计. 相似文献
23.
24.
基于构件的软件开发方法 总被引:1,自引:1,他引:0
软构件的重用(组合式重用)是一个系统工程。从设计软构件到使用软构件组装生成软件都需要认真研究。 相似文献
25.
为了优化设计的5.8 GHz低噪声放大器(LNA)后仿真的各项性能指标,分析了LNA各部分寄生效应对整个电路噪声系数和增益的影响,提出了电路设计和版图设计中应采取的各种措施,使优化后的后仿真结果与前仿真结果基本一致.在考虑MOS管栅电阻和栅感应噪声电流的情况下,后仿真噪声系数为1.6 dB,前向增益为13.7 dB,功耗为8.3 mW,达到了802.11a系统集成的要求.最后给出了LNA版图和后仿真结果. 相似文献
26.
针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到使用散射参数描述的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的双端口网络参数模型.着重分析了Si/SiGe异质结和基区结构对器件交流性能的作用,并尽量避免省略物理量和对频率上限的限制.与等效电路模型相比,模型的频域精度由半定量提高至优于5%,并将适用频率由特定范围扩展至只计入本征参数时的特征频率fT,涵盖全部SiGe HBT的小信号工作频段,为器件的设计、优化和应用提供了一种宽频带和高精度的定量模拟方法. 相似文献
27.
28.
多发射极Si/SiGe异质结晶体管 总被引:1,自引:0,他引:1
在硅衬底上外延生长一层Si_(1-x)Ge_x合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si_(1-x)Ge_x窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器件的高频、高速、大功率。设计了一种以Si/Si_(1-x)Ge_x/Si为纵向结构,梳状10指发射区为横向结构的异质结晶体管,利用双台面工艺方法制造出具有如下参数的器件:电流增益β=26、V_(CB)=7V、I_(CM)≥180mA、f_T≤ 2GHz,实现了高频大功率,充分显示出Si/Si_(1-x)Ge_x材料的优越性。 相似文献
29.
作为国际原子能机构协作研究项目的分课题之一,对辐射剂量学实验室的内部质量控制试验、剂量比对研究、中国规程与国际原子能机构(IAEA)规程的比较研究、不确定度的评估、校准量的转变、以及质量保证手册等诸方面给出了实验结果,并进行了讨论。 相似文献
30.