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目前网络上的服装图像数量增长迅猛,对于大量服装图像实现智能分类的需求日益增加。将基于区域的全卷积网络(Region-Based Fully Convolutional Networks,R-FCN)引入到服装图像识别中,针对服装图像分类中网络训练时间长、形变服装图像识别率低的问题,提出一种新颖的改进框架HSR-FCN。新框架将R-FCN中的区域建议网络和HyperNet网络相融合,改变图片特征学习方式,使得HSR-FCN可以在更短的训练时间内达到更高的准确率。在模型中引入了空间转换网络,对输入服装图像和特征图进行了空间变换及对齐,加强了对多角度服装和形变服装的特征学习。实验结果表明,改进后的HSR-FCN模型有效地加强了对形变服装图像的学习,且在训练时间更短的情况下,比原来的网络模型R-FCN平均准确率提高了大约3个百分点,达到96.69%。 相似文献
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在受到陀螺效应、动框架效应等影响后产生的磁力非线性问题是磁悬浮控制力矩陀螺(MSCMG)高速转子位置精度下降的主要因素。为解决以上问题,提高转子位置精度,本文分析了转子所受磁力的特性,建立了转子系统非线性动力学模型,提出了神经网络滑模控制方法。设计滑模控制律,采用径向基函数神经网络逼近控制律中的非线性模型,自适应算法根据误差在线调整神经网络的权值,同时可以保证整个系统的稳定性。仿真和实验结果表明,所提出方法的转子位置精度达到99%,稳态误差为0.000 2 mm。神经网络滑模控制可以实现MSCMG转子系统的高精度位置控制。 相似文献
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硅因其超高的理论比容量而被视为最具潜力的下一代锂离子电池(LIBs)负极材料。目前,硅负极材料的高成本和极其苛刻的合成条件严重阻碍了其在LIBs中的使用。以天然凹凸棒为原料,通过水热法提纯和镁热还原反应制备了硅纳米颗粒(MRR Si),并进一步采用化学气相沉积法以乙炔为碳源制备了MRR Si@C复合材料,系统研究了其作为LIBs负极材料的储锂性能。研究结果表明:通过镁热还原制备的硅纳米在0.2 A/g的电流密度下可展现出2 362 mAh/g的比容量,首次库伦效率(CE)为71.87%,100次(0.5 A/g)循环充放电测试后比容量为909 mAh/g。相比之下,在MRR Si纳米颗粒表面沉积碳层后制备的MRR Si@C复合材料可展现出2 494 mAh/g的放电容量和78.92 %的高CE值。循环性能显示,该复合材料在0.5 A/g的电流密度下充/放电100次后的比容量值可达到1 324mAh/g。同时,该复合材料还可在5 A/g的大电流密度下依然可展现出高达844 mAh/g的高比容量。该MRR Si@C复合材料显示了优异的倍率性能和良好的应用前景。 相似文献
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沙垒田凸起地区是渤海海域西部新近系油气最为富集的区域,为了明确新近系走滑断裂发育特征及对油气富集的控制作用,依托连片高精度三维地震、钻井取心等资料,对走滑断裂类型及发育特征进行了详细刻画,并对走滑断裂与成藏要素之间的关系进行了探讨。综合研究表明:研究区发育断穿基底走滑断裂、盖层走滑断裂及伸展-走滑断裂三种不同类型走滑断裂;走滑断裂对圈闭的控制作用表现为在不同类型走滑断裂控制下,断裂带内及断裂带间形成了多种类型圈闭,其中大型披覆背斜圈闭、断鼻、断背斜圈闭为有利圈闭,小型断块圈闭为不利圈闭;走滑断裂对输导体系的控制作用体现在断裂活动控制了骨架砂体输导体系及断裂输导体系的形成发育,有利于周边凹陷成熟烃源岩排烃及运移输导;走滑断裂对储层的控制作用表现为走滑作用形成的高角度裂缝提高了储层渗透率,改善了储层物性。新近纪普遍发育的走滑断裂是研究区油气富集的主控因素。 相似文献
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为加大我国蔬菜加工利用率,提高日常蔬菜营养的摄入值,以传统果酱的制作配方和工艺流程为基础,以色泽、香味、组织、形态、滋味、黏稠度及感官综合评价为评定指标,在单因素试验基础上,选取果胶添加量,蔗糖添加量,小白菜、卷心菜和菜花添加量为自变量,感官评定得分为响应值,利用Box-Behnken中心组合设计原理和响应面的分析方法,对蔬菜酱的制作工艺和最优配方进行优化探索。结果表明,果胶0.25%,蔗糖60%,小白菜19.5%,卷心菜16%,菜花15.2%,pH 3.04时,复合蔬菜酱品质最好,色泽翠绿纯正,产品稳定性最佳,感官评分为97.12分。 相似文献
29.
采用四种不同V含量焊丝对高强钢板进行钨极氩弧焊试验,焊后对熔敷金属进行640 ℃保温2 h的回火处理. 研究了V含量和回火处理对熔敷金属微观组织及力学性能的影响. 结果表明,焊态及焊后回火态条件下,随着V含量的增加,熔敷金属强度升高,延伸率和冲击功降低,经回火处理后,不含V熔敷金属内晶界处析出M2C碳化物,而含V熔敷金属内析出弥散分布的VC析出相,焊后回火过程中位错回复引起基体软化的作用高于M2C及VC的析出强化作用,导致回火后强度降低,断后伸长率冲击吸收能量升高. 细小VC具有阻碍位错运动的作用,导致回火后含V熔敷金属仍保留较高的位错密度. 实际应用中应根据熔敷金属性能要求合理选择V含量及焊后回火工艺. 相似文献