工程设计集成系统CAD/CAPP/CAM的应用

本文对山东某机床厂CIMS系统研究的关键技术之一CAD／CAPP／CAM信息集成问题进行了初步的研究，把长期分别独立发展的CAD、CAPP、CAM进行有机集成，并提出3C集成系统的关键技术及解决方案，为3C集成系统的应用提供了新的思路。     

基于芴和噻吩的共轭聚合物的固相合成及其表征

通过Stille偶合反应合成了2,7位二噻吩基取代的新型芴类衍生物并首次应用固相聚合法合成出聚-2,7-二噻吩基芴.在25℃测得聚合物的特性粘度为0.68dl/g.通过核磁共振(1H-NMR)、红外光谱(FTIR)对单体和聚合物的结构进行了表征确认,同时研究了聚合物的光学、结晶态形貌及热学性能.研究发现,2,7-二噻吩基芴在研磨过程中发生了聚合反应且其偶合发生在e,e′位置.     

扭臂式静电微驱动器的pulli-n现象分析

从扭臂式微驱动器模型出发,分析了器件在静电驱动条件下pulli-n现象的产生条件,并给出公式化结果。讨论了器件的几何结构参数对于pulli-n现象的影响,并对具体结构的器件给出了pulli-n角度和pulli-n电压等方面的分析结果。对于特定的扭臂结构,pulli-n角度为悬臂梁最大扭转角度的44.04%,且与扭臂的结构参数无关。     

具有倾斜下电极的扭臂驱动结构的设计与制作

分析了扭臂驱动结构的上电极端部位移与外加电压之间的关系,提出了一种具有倾斜下电极的驱动结构,并通过倾斜一定角度的(111)硅片的各向异性腐蚀制作了倾斜下电极.理论分析和实验结果表明,倾斜下电极的pull-in电压几乎比平面下电极的pull-in电压降低一半.     

8×8 MEMS光开关阵列的制作

采用MEMS技术制作了静电驱动的扭臂结构8×8光开关阵列,主要包括上下电极的制作.利用硅在KOH溶液中各向异性腐蚀特性及(110)硅的结晶学特点,在(110)硅片上制作出8×8光开关微反射镜上电极阵列,考虑到在腐蚀时微反射镜有很大的侧蚀,对开关结构进行了调整.在偏一定角度的(111)硅片上制作了倾斜的下电极.整个开关制作工艺简单,成本低.开关寿命大于1000万次,开关时间小于10ms.     

GVF Snake模型时间复杂度的研究

对使用GVF Snake动态轮廓模型算法中两次迭代的时间复杂度进行了统计计算,并进行了力场分析,在此基础上对初始轮廓线设定位置进行了研究。实验结果表明,初始轮廓线的设置应避免跨越能量极小值,此时可以得到比较好的提取效果。GVF力场迭代的次数和轮廓逼近次数与时间成正比。     

标量衍射理论的非傍轴修正

当光束具有较大的发散角或光束束腰可与波长相比拟时,傍轴近似不再成立.用微扰级数法处理非傍轴光束的传播问题,数值计算发现,对受硬边光阑限制的光束,由于高频分量的贡献,当传输距离较大时,高阶级数解的修正效果不好,甚至失效,级数解的有效范围将受到很大限制.在标量衍射理论角谱表示的基础上,以平面波圆孔衍射为例,给出了衍射场的非傍轴修正解,得到的非傍轴修正解避免了级数解本身在数学上的发散性问题,并在一定条件下,可过渡到级数解,并且指出在近场或非傍轴区对傍轴解进行高阶修正的必要性和有效性.     

一种有效实现"自动漫游管理"的机制

提出一种有效的实现机制，使HLR和VLR数据库能实现对用户数据表的有序管理，不仅保证HLR/VLR的错误恢复操作有效完成而且大大提高系统对漫游用户的管理效率。同时，从一定程度上降低了系统的存储开销。     

Ce:Eu:SBN晶体的生长和全息存储性能研究

在SBN中掺进0.1%(质量分数)CeO2和0.1%(质量分数)Eu2O3,以Czochralski技术生长CeEuSBN晶体,在空气中退火24h,退火温度为1300℃.测试CeEuSBN晶体的住相共轭反射率和响应时间.CeEuSBN晶体最大位相共轭反射率(R=92%)和响应时间(38s),以CeEuSBN晶体作为存储元件和位相共轭镜(阈值,增益反馈系统)进行全息关联存储实验.系统具有实时处理、反复使用、成像质量好、信噪比高等优点.CeEuSBN晶体是比SBN晶体全息存储性能更好的晶体.     

基于C4.5决策树的IMS网络畸形SIP消息检测方法

针对现有方法对与正常消息相似度较高的畸形SIP消息检测效果不佳的问题,提出了一种基于c4．5决策树的IMS网络畸形SIP消息检测方法。该方法首先利用n—gram技术将SIP消息映射至高维空间,利用样本属性的信息增益进行特征提取;然后基于C4．5决策树算法,根据特征属性的信息增益率构建决策树并对畸形SiP消息进行检测;最后定义了畸形SIP消息构造函数并构建相应样本数据集,对该方法进行了仿真验证。仿真结果表明,该方法对与正常消息相似度较高的畸形SIP消息具有94．8％的检测率。