热处理对球磨LaNi5-15%Mg合金相组成及热稳定性的影响

采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、示差热分析仪(DTA)研究了热处理对球磨LaNi5-15%(质量分数,下同)Mg合金的组织形貌、结构变化及热稳定性的影响.结果表明,经250r/min球磨250h,样品由La、Mg、Ni非晶体及微量的晶体Ni、MgNi2组成,其DTA曲线上只出现了一个峰值温度为564.0K的放热峰.球磨粉末为规则的球形或近球形,颗粒直径范围为0.05～9.00μm,其中94%的颗粒尺寸为0.05～1.00μm;经763K×35天热处理后,样品由具有纳米尺度的MgNi2、LaMg2Ni9、Mg2NiLa三相组成,其平均晶粒直径为21.7nm,热处理样品的DTA曲线上没有吸热或放热峰出现,具有较好的热稳定性能.     

MoSi2—Mo5Si3复合材料的低温氧化行为

通过热重分析（TGA）、X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）研究了MoSi2-Mo5Si3复合材料的低温氧化行为,指出材料低温氧化时,随Mo5Si3量增多,材料氧化加剧,当Mo5Si3含量超过16％（质量分数）时发生“PEST”现象,所形成的SiO2由于MoS3晶须的大量存在,使其不能均匀连续地分布于材料表面,从而加剧了氧化。     

工科大学生创新能力评价方法研究

开展大学生创新能力培养评价方法和评价体系的研究,有助于培养学生的创新意识、创新能力及正确认识它在高等教育中的地位和作用.基于评价原则和指标体系,初步提出评价大学生创新能力的方法.结果显示,评价结果与实际情况符合的较好,该方法具有一定的应用价值.     

含Bi2O3的MgO-Al2O3-SiO2玻璃核化与晶化动力学研究

使用差热分析(DTA)的方法研究了含Bi2O3的MgO-Al2O3-SiO2玻璃粉末(粒度≤0．054mm)的核化与晶化动力学。由此方法确定了样品最大成核速度温度，同时计算出晶体生长的活化能和动力学参数。结果表明，含Bi2O3玻璃的晶化指数(n)和晶体生长维数(m)都为1．15(约等于1)，这说明该玻璃的晶化机制是表面晶化。由Kissinger和Augis—Bennett方程计算出的活化能较为接近，平均值为401kJ／mol。     

金属间化合物二硅化钼在干摩擦条件下的磨粒磨损特性

在磨损试验机上考察了金属间化合物二硅化钼材料在干摩擦条件下与氧化铝砂轮对磨时的磨粒磨损性能 ,用扫描电镜和定点探针观察了其磨损表面形貌 ,并对材料的磨损机理进行了探讨。结果表明 :MoSi2 材料具有较高的耐磨性 ,质量磨损率维持在 3.3× 10 - 4mg/min水平 ;微切削和疲劳微断裂是其主要磨粒磨损机理     

BaNb2O6掺杂Na1/2Bi1/2TiO3无铅压电陶瓷的介电弛豫

采用传统陶瓷制备方法,制备了无铅新压电陶瓷材料Na1/2Bi1/2TiO3-xBaNb2O6.研究了BaNb2O6掺杂对(Na1/2Bi1/2)TiO3陶瓷晶体结构、介电性能与介电弛豫行为的影响.XRD分析表明,在所研究的组成范围内陶瓷材料均能够形成纯钙钛矿固溶体.材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷具有两个介电反常峰Tf和Tm,修正的居里一外斯公式较好的描述了陶瓷弥散相变特征,弥散指数随BaNb2O6掺杂量的增加而增加.该体系陶瓷表现出与典型弛豫铁电体明显不同的弛豫行为,低掺杂量的陶瓷仅在低温介电反常峰Tf附近表现出明显的频率依赖性,而高掺杂的陶瓷材料在室温和Tf之间都表现出明显的频率依赖性.并根据宏畴一微畴转变理论探讨了该体系陶瓷产生介电弛豫的机理.     

堇青石基玻璃陶瓷的制备与展望

介绍了制备堇青石基玻璃陶瓷的三种方法：熔融法、烧结法和溶胶-凝胶法，综述了玻璃组成、添加剂和成核剂对堇青石基玻璃陶瓷的烧结及性能的影响，并对其未来的发展进行了展望。     

固相烧结反应法合成MgB2超导材料

分别在流动Ar和真空的密封石英玻璃管条件下制备了MgB2超导材料。研究了固相烧结反应合成Mg-B过程中相的变化以及粉末配比对合成样品纯度的影响,并讨论了烧结工艺对合成MgB2的影响。     

Na~+掺杂量对BaBiO_3基陶瓷NTC特性的影响

以BaCO3、Bi2O3为原料,Na2C2O4为掺杂剂,用传统固相法制备了具有NTC特性的BaBi1–xNaxO3陶瓷。用XRD,SEM和ρ-t特性测量仪,研究了Na+掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明:BaBi1–xNaxO3陶瓷的B25/85值和室温电阻率ρ25均随着x(Na2C2O4)的增加呈现先减小后变大的趋势;当x(Na2C2O4)为0.050时,获得了具有较好NTC特性的试样,其ρ25为2200?·cm,B25/85值为3365K。     

真空退火时间对ZAO薄膜的结构与性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究了真空退火对其组织结构和光电性能的影响规律.结果表明,所制备的ZAO薄膜厚度均匀、组织致密,具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,400℃真空退火后,薄膜晶粒粗大,(002)晶面择优取向性进一步加强.延长退火时间对薄膜的相结构、组织形貌及晶粒大小没有明显的影响.随着退火时间的增加,薄膜的电阻率呈降低趋势,退火3 h时电阻率最低,为2.25×10-3Ω·cm,但长时间退火,电阻率变化不大.薄膜样品的透光率随真空退火时间的延长先降低,后升高,再降低;样品在真空退火4 h时对可见光的平均透过率最佳,在80%以上.退火后,ZAO薄膜的吸收边发生了蓝移现象,光学禁带宽度增大.