1050铝合金热压缩变形道次间软化规律

在 Gleeble- 15 0 0热模拟试验机上 ,采用高温等温压缩试验 ,对 10 5 0铝合金两道次间的软化规律进行了研究。结果表明 ,在热压缩变形两道次间保温停歇之后 ,流变应力出现了明显的软化现象 ,保温时间越长 ,合金软化率越高 ;变形及停歇保温温度越高 ,合金软化越严重     

射频磁控溅射法制备(111)取向Pt薄膜

以稀土元素Pr薄膜为缓冲层,采用低功率射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功制备了(111)强烈取向的Pt薄膜,研究了退火热处理工艺对Pt薄膜择优取向及晶粒尺寸的影响规律,并对Pt(111)取向生长机制进行了初步探讨。结果表明,所采用的退火工艺能够促进Pt纳米晶粒的逐步长大,但对Pt薄膜沿(111)择优取向生长的影响并不明显;保温5 h时晶粒生长较快,延长保温时间对晶粒生长速度的影响不大,但随着退火时间的增加,薄膜质量会越来越好。稀土Pr对Pt(111)择优取向生长可能有一定的促进作用。从简化工艺及降低成本角度考虑,该工艺优于以往的制备工艺,可望用做制备高取向PZT铁电薄膜所需的(111)强烈取向Pt底电极。     

树脂基稀土超磁致伸缩复合材料的磁电性能研究

采用粉末粘结-压缩成型工艺制备出性能良好的超磁致伸缩复合材料（Giant Magnetostrictive Powder Composite, GMPC ），着重研究了合金粉末与绝缘树脂的配比对GMPC的磁致伸缩性能及密度的影响规律，并对其动态电阻率进行了测试分析。结果表明，所制备的GMPC的磁致伸缩量随合金含量的增加而增加，当磁场强度为400kA/m、树脂与合金粉末的体积比为1：9时，GMPC具有最高磁致伸缩系数λm，为558×10^-6；当粘结剂与磁粉的体积比小于3：7时，GMPC的密度随树脂含量增加而增大，体积比为3：7时，密度达最大值，为6．25g/cm，此后，随着树脂含量的增加，GMPC密度明显减小，当体积比为7：3时，密度达最小值，为3．06g/cm^3；GMPC的动态电阻率大于5．24×10^3Ω·cm，GMPC的成功制备将大大拓宽其在高频技术领域中的应用．     

Al掺杂ZnO薄膜的射频磁控溅射工艺与光电性能研究

用射频磁控溅射法制备Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究溅射与真空退火工艺对ZAO薄膜的显微结构及光电性能的影响.采用X射线衍射(XRD)对ZAO薄膜的显微结构进行了测试分析,用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对ZAO薄膜的光电性能进行了测试分析.结果表明:随溅射时间的增加,样品由非晶态向晶态转变,同时也出现(002)择优取向强弱的变化.退火提高了溅射时间较长的薄膜的结晶质量.溅射时间的增加使溅射态ZAO薄膜的光学带隙变窄,但退火处理则使光学禁带宽度增大.溅射时间的增加以及退火处理均使薄膜的透光率稍有下降,但所有ZAO薄膜的透光率均在90%.以上.薄膜的电阻率随溅射时间的增加先降低.后稍有回升.退火使薄膜的电阻率显著降低,当溅射时间为60min时退火后薄膜的电阻率达到最低值,为9.4 ×10-4Ω·cm,其方块电阻低至18.80Ωl/□.     

Al2O3弥散强化铜电极点焊镀铝钢板的行为研究

研究了含0．8％A12O3,的弥散强化铜电极材料在点焊镀铝钢板时的作用机理、失效形式及成因。结果表明,A12O3弥散强化铜电极在高温点焊条件下具有较高的强度、优良的传热性和抗蠕变性,其失效形式主要是塑性变形和表面合金化。电极上有少量粘附,但未发现再结晶。电极平均点焊寿命可达7200点,是一种较好的点焊电极材料。     

球磨Mg0.97La0.03Ni合金的热稳定性及电性能研究

采用XRD、DTA、SEM及电池性能测试仪等对球磨Mg0.97La0.03Ni合金的结构、形貌、活化性能、热稳定性、电化学稳定性及容量衰减机理等进行了详细的研究。结果表明：样品的热稳定性及循环稳定性随着球磨时间的延长而增加。经400r／min球磨50h的样品在第二次活化时即达到最大值450mAh／g．经25次循环充放电后．该样品的容量与其最大值相比下降了53％．容量衰减的主要原因有：在循环充放电过程中．非晶体逐渐分解生成Mg2NiH4和Ni等晶体相，同时在颗粒表面形成腐蚀产物Mg(OH)2等。     

多源数据融合的物联网安全知识推理方法

近年来,随着物联网（Internet of things, IoT）设备的大规模部署,针对物联网设备的恶意代码也不断出现,物联网安全面临来自恶意代码的巨大威胁,亟需对物联网恶意代码检测技术进行综合研究. 随着人工智能（artificial intelligence, AI）在计算机视觉和自然语言处理等领域取得了举世瞩目的成就,物联网安全领域也出现了许多基于人工智能的恶意代码检测工作. 通过跟进相关研究成果,从物联网环境和设备的特性出发,提出了基于该领域研究主要动机的分类方法,从面向物联网设备限制缓解的恶意代码检测和面向性能提升的物联网恶意代码检测2方面分析该领域的研究发展现状. 该分类方法涵盖了物联网恶意代码检测的相关研究,充分体现了物联网设备独有的特性以及当前该领域研究存在的不足. 最后通过总结现有研究,深入讨论了目前基于人工智能的恶意代码检测研究中存在的问题,为该领域未来的研究提出了结合大模型实现物联网恶意代码检测,提高检测模型安全性以及结合零信任架构3个可能的发展方向.

     

Sb_2O_3掺杂量对BaBiO_3基陶瓷电性能的影响

为改善BaBiO3基陶瓷的NTC特性,选择Sb2O3为掺杂剂,以固相法合成了BaBiO3基陶瓷。研究了Sb2O3掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明:Sb2O3掺杂BaBiO3基陶瓷的B25/85值和室温电阻率ρ25均随着n(Sb2O3)的增加呈现先减小后增大的趋势;当n(BaBiO3):n(Sb2O3)=1000:3时,获得了具有较好NTC特性的样品,其室温电阻率ρ25为416Ω.cm,B25/85值为2378K。     

新型无铅压电陶瓷NBT-NBSN的研究

采用传统陶瓷制备方法,制备出一种钙钛矿结构无铅新压电陶瓷材料(1-x)(Na1/2Bi1/2)TiO3-x(Na1/2Bi1/2)(Sb1/2Nb1/2)O3(x=0~1.4%,摩尔分数)。研究了(Na1/2Bi1/2)TiO3(NBT)陶瓷B位复合离子(Sb1/2Nb1/2)4 取代对介电和压电性能的影响。X-射线衍射分析表明,所研究的组成均能形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体。陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷在升温过程中存在两个介电常数温度峰,不同频率下陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弛豫铁电体特征。检测了不同组成陶瓷的压电性能,发现材料的压电常数d33、厚度机电耦合系数kt和介电常数rε随着x值的增加先增加后降低,在x=0.8%时,陶瓷的d33=97 pC/N,kt=0.50,为所研究组成中的最大值,介电损耗tanδ则随x值的增加而增加。