用原子力显微镜观察菁染料聚集体

对应用原子力显微镜观察菁染料聚集体的文献进行了评述 ,在此基础上采用原子力显微镜观察了 2个感绿增感染料的聚集体     

青铜表面膜的红外光谱和原子力显微镜分析

用红外反射光谱(FTIR)研究青铜在含有AMT的ACN水溶液(pH=2 2)中形成的膜,发现在青铜表面上只形成Cu(I)AMT络合物膜。并用原子力显微镜(AFM)观察其膜的微观形貌,结果表明:膜是致密平整的,且膜厚约为10nm左右,是非电子导体膜。     

以次亚磷酸钠为还原剂的塑料直接镀铜

以次亚磷酸钠为还原剂在ABS塑料表面进行化学镀铜，镀液的组成为：0．04mol／L的硫酸铜，0．28mol／L的次亚磷酸钠，0．051mol／L的柠檬酸钠，0．485mol／L的硼酸，以及5mg／L的2-2’联吡啶。化学镀5min后在该化学镀铜溶液中直接进行电镀铜。用原子力显微镜（AFM）、循环伏安法和X射线荧光光谱（XRF）分别研究了电镀层的形貌和次亚磷酸钠在该电镀液中的作用。15℃时，次亚磷酸钠在电镀液中不发生任何反应，镀层中只有Cu元素；50℃时，次亚磷酸钠发生电还原和歧化反应，镀层中不仅有Cu还有P，其中w（P）=6．56％：70℃时，次亚磷酸钠在溶液中仍有上述反应，只是还原峰向负方向发生了偏移，得到镀层中w（P）=14．36％：低温下可以获得较为致密、粗糙度小的镀层。因此，在电镀过程中，可以通过控制温度来调整铜镀层形貌及其磷元素含量。     

An improved fabrication method for carbon nanotube probe

An improved arc discharge method is developed to fabricate the carbon nanotube probe. In this method, the silicon probe and the carbon nanotube were manipulated under an optical microscope. When the silicon probe and the carbon nanotube were very close, 30-60 V dc or ae was applied between them, and the carbon nanotube was divided and attached to the end of the silicon probe. Comparing with the arc discharge method, the new method need not coat the silicon probe with metal in advance, which can greatly reduce the fabrication difficulty and cost. The fabricated carbon nanotube probe exhibits the good property of high aspect ratio and can reflect the true topography more accurately than the silicon probe.     

闪锌矿BxAl1-xAs合金的LP-MOCVD生长研究

利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长工艺,采用三乙基硼(TEB)源,在GaAs(001)衬底上生长了B并入比为0.4%～4.4%的一系列BxAl1-xAs合金。实验结果表明,BxAl1-xAs的最优生长温度为580℃;当生长温度为550℃和610℃时,BxAl1-xAs中B并入比都会下降,550℃时B并入比下降更为显著。在580℃最优生长温度下,B并入比随着TEB摩尔流量增加而提高,且B并入比从临界值2.1%增加至最大值4.4%时,DCXRDω-2θ扫描BxAl1-xAs衍射峰的半高宽值从51.8 arcsec升高到204.7 arcsec,原子力显微镜(AFM)测试表面粗糙度从2.469 nm增大到29.086 nm,说明B并入比超过临界值后BxAl1-xAs晶体质量已经逐渐严重恶化。     

衬底及压强对磁控溅射ZnO薄膜表面形貌的影响

在压强为0.5Pa和0.7Pa的情况下,采用磁控溅射法分别在Si及石英玻璃衬底上生长ZnO薄膜。利用原子力显微镜对ZnO薄膜的表面形貌进行观察,研究了压强及衬底对薄膜表面形貌的影响。研究表明:在Si衬底上生长的ZnO薄膜,压强为0.7Pa时比压强为0.5Pa时表面粗糙度要大;在相同溅射气压(0.7Pa)下,Si衬底上得到的ZnO薄膜质量明显优于石英玻璃衬底上的。     

Atomic scale imaging of monocrystalline Si （001） surface by molecular dynamic simulation

Non-contact atomic force microscopy(nc-AFM) atomic-scale imaging process of monocrystalline silicon surface using capped single-wall carbon nanotube tip is simulated by molecular dynamic method. The simulation results show that the nc-AFM imaging force mainly comes from the C-Si and C-C chemical covalent bonding forces, especially the former, the nonbonding Van der Waals force change is small during the range of stable imaging height. When the tip-surface distance is smaller than the stable imaging height, several neighboring carbon atoms at the tip apex are attracted, and some of them jump onto the sample surface. Finally the tip apex configuration is destroyed with the tip indenting further.     

沥青表面形貌的表征与测试及其对与集料接触特性的影响

采用原子力显微镜对SK90#基质沥青和SBSⅠ-C改性沥青的表面形貌进行了测试,获得了两种沥青的表面形貌参数,并基于此对沥青的表面形貌特性进行了分析;基于沥青表面的高度概率密度曲线和承载面曲线,从界面实际接触面积的角度分析了沥青表面特性对与集料接触特性的影响.结果表明,SBSⅠ-C改性沥青的表面起伏情况高于SK90#基质沥青,具有更大的表面粗糙度.具有更大Ssk(歪斜度)的沥青更有利于形成更好的黏附强度,但也更容易发生磨损而使黏附性能快速降低.沥青与集料间的接触性能受其实际接触面积的影响,SBSⅠ-C改性沥青具有与集料更大的实际接触面积,从而形成更大的摩擦力而具有更优良的黏附性能.     

Y_2O_3∶Eu~(3 )薄膜的制备及发光性能的研究

以稀土氧化物为原料,用溶胶-凝胶法制备前驱液,加入适量的聚乙烯醇做成膜物质,用浸渍拉提法在石英玻璃表面上得到均匀的薄膜,然后经过适当的干燥和热处理得到Y2O3∶Eu3 发光薄膜.讨论了Eu3 的掺杂浓度和热处理温度对薄膜发光性能的影响.试验表明:Eu3 的最佳掺杂浓度为8%(摩尔分数),薄膜的发光性能随热处理温度提高而增强,当热处理温度达到700℃后,薄膜的发光性能基本上稳定.同时用原子力显微镜和X射线衍射分析了薄膜的表面形貌和结构.     

用ECR-PECVD低温沉积多晶硅薄膜

在自行设计研制的先进的电子回旋共振（ECR）等离子体增强化学气相沉（PECVD）装置上,采用ECR-PECVD可控活化低温外延技术,以SiH4＋H2为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温（小于等于550℃）制备多晶硅（poly-Si）薄膜。利用反射高能电子衍射、透射电子显微镜和原子力显微镜研究了SiH4流量、H2流量和衬底温度等工艺参数的改变对薄膜晶化的影响。通过分析薄膜结构和形貌,得出适宜低温生长多晶硅薄膜的工艺参数。