腐蚀环境下自冲铆接头竞争失效机制及力学性能分析

为研究腐蚀环境下自冲铆接头失效模式的转变机理和力学性能特征,采用0.6 mol/L的NaCl溶液对多组自冲铆接头进行周浸腐蚀试验,通过力学测试和扫描电子显微镜对接头的力学性能及失效模式进行分析. 结果表明,异质接头的失效模式随腐蚀周期延长由 Ⅰ 向 Ⅲ 转变,转变速率取决于接头材质,同质接头的失效模式不受腐蚀周期的影响. 短期腐蚀下,搭接区板间腐蚀产物使得同质和异质接头失效载荷均有所上升;异质接头上升幅度较大,腐蚀后期其失效载荷较同质接头损失严重. 异质接头稳定性较差,凸模制备的同质组合接头较平模稳定性好. 异质接头电化学腐蚀剧烈,下板铆接点底部材料的脱落由应力集中所产生的撕裂纹所致.     

基于无杂质空位混杂法制备带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器研究

为提高940nm半导体激光器抗灾变性光学损伤(COD)能力,采用无杂质空位量子阱混杂技术制备了带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器。借助光致发光光谱分析了退火温度和介质膜厚度对GaInP/GaAsP/GaInAs单量子阱混杂的影响;通过电化学电容-电压(EC-V)方法检测了经高温退火后激光器外延片的掺杂浓度分布的变化情况。实验发现,在875℃快速热退火条件下,带有磁控溅射法制备的200nm厚的SiO2盖层样品发生蓝移达29.8nm,而电子束蒸发法制备的200nm厚TiO2样品在相同退火条件下蓝移量仅为4.3nm。两种方法分别对蓝移起到很好的促进和抑制作用。将优化后的条件用于带有窗口结构的激光器器件制备,其抗COD能力提高了1.6倍。     

高磨地区白云岩储层反演预测研究

地震反演是利用地震资料,以已知地质规律和钻井、测井资料为约束条件对地下岩层空间结构和物理性质进行成像(求解)的过程。结合研究区地震资料及测井资料中的构造、层位及岩性信息,推导出目的层的波阻抗、密度、速度、孔隙度、渗透率以及压力等信息,为储层优选提供更多依据。     

四川盆地东部五百梯地区构造变形特征

基于四川盆地东部五百梯地区钻井和测井资料综合分析,通过对三维地震资料进行精细构造解释,结合典型地震剖面和建立的三维构造模型,研究五百梯地区构造变形特征,认为五百梯地区构造变形具有纵向分层、平面分段的特征,由4套滑脱层作为间隔在纵向上划分5套构造层：寒武系膏盐层底界以下构造层,构造简单,断裂少,多为低幅度隆起;寒武系膏盐层顶界—志留系底界构造层,受寒武系膏盐层控制,发育断层传播褶皱;志留系底界—二叠系底界构造层,受志留系泥页岩滑脱层控制,呈反冲背斜、断背斜;二叠系底界—下三叠统嘉陵江组四段底构造层,受二叠系煤系滑脱层控制,具双重构造和反冲背斜;上三叠统须家河组底界以上构造层,整体与主体构造形态一致,局部受控于三叠系嘉陵江组膏盐滑脱层,呈宽缓背斜。根据寒武系盐上各构造层变形差异,在平面上分为西南段、中段和东北段;结合各构造层变形程度和盐下震旦系古隆起顶界面上超下削的特征,认为研究区东北段盐下构造层油气保存条件最好,是深层勘探的有利目标。     

不同聚合度菊粉的吸附特性

为了研究菊粉聚合度不同对其吸附特性的影响规律,以天然和长链菊粉为原料,采用离心法与静态吸附法对菊粉的吸油特性、吸湿特性和水合性能进行分析。结果发现,天然菊粉对植物油脂的吸附量在30℃时达到最大值1.17 g/g,对动物油脂的吸附量在50℃时达最大值1.04 g/g;温度对天然菊粉吸附油脂量的影响比长链菊粉显著,随温度升高天然菊粉吸附油脂量呈显著下降趋势。天然菊粉的吸湿性比长链菊粉强,随温度的升高,两类菊粉的吸湿率和溶解度都增加,但持水性和膨胀度均呈先升高后下降的趋势,长链菊粉出现最大值时所对应的温度比天然菊粉高20~30℃。     

浅谈中职学生健美操教学中如何提高学生的协调性

健美操教学中，坚持在每节课运用韵律操、提沉、压腿、手位波浪等几项内容的配合教学．使学生桑韧性、灵活性得到很大提高。     

Influence of sputtering pressure on optical constants of a-GaAs1-xNx thin films*

Amorphous GaAs_1-xN_x(a-GaAs_1-xN_x) thin films have been deposited at room temperature by a reactive magnetron sputtering technique on glass substrates with different sputtering pressures.The thickness,nitrogen content,carrier concentration and transmittance of the as-deposited films were determined experimentally.The influence of sputtering pressure on the optical band gap,refractive index and dispersion parameters（E_o,E_d） has been investigated.An analysis of the absorption coefficient revealed a direct optical transition characterizing the asdeposited films.The refractive index dispersions of the as-deposited a-GaAs_1-xN_x films fitted well to the Cauchy dispersion relation and the Wemple model.     

射频反应溅射AL2O3薄膜组分研究

通过射频反应溅射的方法制备Al2O3薄膜,并研究其中AL和O的化学配比,并取得初步结果。实验以高纯Al作为靶材,高纯度O2为反应气体,在单晶(100)Si片上镀制Al2O3薄膜。用XPS能谱分析仪测试,不同氩氧比的情况下,氧化铝薄膜的化学配比,并与反应速率曲线进行对比确定氩氧比工艺。结果表明,应用此工艺制备的Al2O3薄膜具有良好的化学配比,得出了用试验方法确定反应溅射Al2O3薄膜氧氩比工艺的方法,此方法简单有效。